| FDA28N50F | |
|---|---|
| Part Number | FDA28N50F |
| Producent | onsemi |
| Opis | MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN |
| dostępna ilość | 9350 pcs new original in stock. Zamów akcje i oferty |
| Model ECAD | |
| Arkusze danych | 1.FDA28N50F.pdf2.FDA28N50F.pdf3.FDA28N50F.pdf4.FDA28N50F.pdf5.FDA28N50F.pdf6.FDA28N50F.pdf7.FDA28N50F.pdf8.FDA28N50F.pdf9.FDA28N50F.pdf |
| FDA28N50F Price |
Poproś o cenę i czas dostawy online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Informacje techniczne o FDA28N50F | |||
|---|---|---|---|
| Numer części producenta | FDA28N50F | Kategoria | |
| Producent | onsemi | Opis | MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN |
| Pakiet / obudowa | TO-3PN | dostępna ilość | 9350 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | Vgs (maks.) | ±30V |
| Technologia | MOSFET (Metal Oxide) | Dostawca urządzeń Pakiet | TO-3PN |
| Seria | UniFET™ | RDS (Max) @ ID, Vgs | 175mOhm @ 14A, 10V |
| Strata mocy (max) | 310W (Tc) | Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Pakiet | Tube | temperatura robocza | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania | Through Hole | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | 5387 pF @ 25 V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs | 105 nC @ 10 V | Rodzaj FET | N-Channel |
| Cecha FET | - | Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Spust do źródła napięcia (Vdss) | 500 V | Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C | 28A (Tc) |
| Podstawowy numer produktu | FDA28 | ||
| Pobieranie | FDA28N50F PDF - EN.pdf | ||
Model Produktu
FDA28N50F
Wprowadzenie
N-Kanałowy MOSFET o napięciu 500V i prądzie 28A zaprojektowany do aplikacji zarządzania energią o wysokiej wydajności
Marka i Producent
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Funkcje
Wysoka zdolność napięciowa do 500V, ciągły prąd drenowy 28A przy 25°C, niskie Rds(on) na poziomie 175 mΩ maksymalizujące wydajność, wysoka moc strat 310W, montaż przez otwory dla łatwej instalacji
Wydajność Produktu
Działa skutecznie w zakresie temperatur od -55°C do 150°C, wspiera ładunek bramki 105nC przy 10V, pojemność wejściowa 5387pF przy 25V, napięcie sterujące 10V dla optymalnego Rds On
Specyfikacja Techniczna
Typ FET: N-Kanałowy; Napięcie dren-źródło (Vdss): 500V; Prąd - Ciągły Dren (Id) @ 25°C: 28A; Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175 mΩ; Vgs(th) (Max) @ Id: 5V; Ładunek bramki (Qg) (Max) @ Vgs: 105nC; Pojemność wewnętrzna (Ciss) (Max) @ Vds: 5387pF; Napięcie sterujące (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rozmiar, Kształt i Opakowanie
Opakowanie / Obudowa: TO-3P-3, SC-65-3; Pakiet dostawcy: TO-3PN; Pakowanie: Tubka
Jakość i Niezawodność
Bez ołowiu i zgodne z normami RoHS; Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL): 1 (nieograniczony)
Zalety Produktu
Wysokie możliwości napięcia i prądu odpowiednie dla wymagających aplikacji; Niski opór w stanie włączonym pomaga zredukować straty mocy
Konkurencyjność Produktu
Konkurencyjny czas realizacji zamówienia wynoszący 6 tygodni; Część serii UniFET znanej z niezawodności i wydajności
Kompatybilność
Kompatybilny ze standardowymi procedurami montażu przez otwory
Certyfikacja Standardowa i Zgodność
Status bez ołowiu / Status RoHS: Bez ołowiu / Zgodny z RoHS
Długość Życia i Trwałość
Trwała konstrukcja odpowiednia do zastosowań przemysłowych z szerokim zakresem temperatur eksploatacyjnych
Rzeczywiste Pole Zastosowań
Zasilacze, sterowniki silników, obwody inwerterowe, zasilacze impulsowe
Napisz do nas: Info@Ariat-Tech.com lub RFQ FDA28N50F Online.
| FDA28N50F Zapasy | FDA28N50F Cena | FDA28N50F Electronics | |||
| Komponenty FDA28N50F | FDA28N50F Zapasy | FDA28N50F Digikey | |||
| Dostawca FDA28N50F | Zamów FDA28N50F online | Zapytanie FDA28N50F | |||
| Obraz FDA28N50F | FDA28N50F Zdjęcie | FDA28N50F PDF | |||
| Arkusz danych FDA28N50F | Pobierz arkusz danych FDA28N50F | Producent | |||
| Powiązane części dla FDA28N50F | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Obraz | Part Number | Opis | Producent | Uzyskaj wycenę | |
 |
FDA38N30 IC | FAIRCHILD TO-3P | FAIRCHILD | ||
|
FDA24N40F | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 | Fairchild Semiconductor | ||
 |
FDA24N50F | MOSFET N-CH 500V 24A TO3PN | onsemi | ||
 |
FDA4100LV-T | IC AMP D DUAL/QUAD 270W 92HIQUAD | STMicroelectronics | ||
|
FDA24AD | FAIRCHILD TO-252 | FAIRCHILD | ||
|
FDA450LV | IC AMP CLASS D QUAD 50W 100TQFP | STMicroelectronics | ||
 |
FDA28N50 MOS | ON TO-3P | ON | ||
|
FDA24N40F | MOSFET N-CH 400V 23A TO3PN | onsemi | ||
|
FDA28N50 | MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN | onsemi | ||
|
FDA2712 | MOSFET N-CH 250V 64A TO3PN | onsemi | ||
|
FDA4100LV | IC AMP D DUAL/QUAD 270W 92HIQUAD | STMicroelectronics | ||
|
FDA24N50 | MOSFET N-CH 500V 24A TO3PN | onsemi | ||
|
FDA24N50 MOS | FAIRCHILD TO-3P | FAIRCHILD | ||
|
FDA30N06 | FAIRCHILD TO-247 | FAIRCHILD | ||
|
FDA2712 | MOSFET N-CH 250V 64A TO3PN | Fairchild Semiconductor | ||
|
FDA33N25 | MOSFET N-CH 250V 33A TO3PN | onsemi | ||
 |
FDA38N30 | MOSFET N-CH 300V 38A TO3PN | onsemi | ||
|
FDA38N08 | FDA38N08 FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
|
FDA38N30 MOS | FAIRCHILD TO-247 | FAIRCHILD | ||
|
FDA38N30 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3 | Fairchild Semiconductor | ||
Aktualności
Jeszcze
Polarfire® SOC FPGA firmy Microchip otrzymał certyfikat AEC -Q100, potwierdzając jego niezawodność w trudnych warunkach motoryzacyjnych, w tym dz...
PSOCTM 4000T jest pierwszym produktem Infineon, który zawiera technologię Capsense ™ z piątej generacji firmy i funkcjonalność wieloosobową.Ta ...
Dostawca części motoryzacyjnych ujawnił, że rozwój EV na rynku Ameryki Północnej zatrzymał się, gdy producenci samochodów decydują się na ...
Infineon i Eatron rozszerzają współpracę AI System zarządzania akumulatorami (BMS) o elektronikę przemysłową i konsumpcyjną.Na podstawie mikr...
Na półprzewodnik ogłosił niedawno uruchomienie swojego pierwszego czujnika w czasie rzeczywistym, czasem lotu (ITOF), serii Hyperlux ID, która mo...
Nowe Produkty
Jeszcze
Czujnik fotoelektryczny serii PD30 Miniaturowe czujniki fotoelektryczne Carlo Gavazzi charakteryzuj...
Zestaw do oceny XC112 / XR112 dla koherentnego radaru impulsowego A111Zestaw ewaluacyjny XC112 i XR112 firmy Acconeer z płaskimi elastycznymi kablami...
Serwonapęd i silniki Serii MINAS A6 Rodzina MINAS A6 firmy Panasonic zapewnia stabilną pracę, zmn...
Tablica sterująca UV LED Płytka sterownika LED RayVio dla serii XE i XP1 emitera UV-C Płytka st...
Przemysłowy i rozszerzony test DDR SDRAM Urządzenia DDR SDRAM firmy Insignis gwarantują pracę w ...
E-mail: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966DODAJ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hongkong.
Informacja o prawach autorskich © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Wszelkie prawa zastrzeżone.