| FDB6030L | |
|---|---|
| Part Number | FDB6030L |
| Producent | onsemi |
| Opis | MOSFET N-CH 30V 48A TO263AB |
| dostępna ilość | 23059 pcs new original in stock. Zamów akcje i oferty |
| Model ECAD | |
| Arkusze danych | 1.FDB6030L.pdf2.FDB6030L.pdf3.FDB6030L.pdf4.FDB6030L.pdf |
| FDB6030L Price |
Poproś o cenę i czas dostawy online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Informacje techniczne o FDB6030L | |||
|---|---|---|---|
| Numer części producenta | FDB6030L | Kategoria | |
| Producent | onsemi | Opis | MOSFET N-CH 30V 48A TO263AB |
| Pakiet / obudowa | D²PAK (TO-263) | dostępna ilość | 23059 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | Vgs (maks.) | ±20V |
| Technologia | MOSFET (Metal Oxide) | Dostawca urządzeń Pakiet | D²PAK (TO-263) |
| Seria | PowerTrench® | RDS (Max) @ ID, Vgs | 13mOhm @ 26A, 10V |
| Strata mocy (max) | 52W (Tc) | Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Pakiet | Tape & Reel (TR) | temperatura robocza | -65°C ~ 175°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania | Surface Mount | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | 1250 pF @ 15 V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs | 18 nC @ 5 V | Rodzaj FET | N-Channel |
| Cecha FET | - | Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Spust do źródła napięcia (Vdss) | 30 V | Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C | 48A (Ta) |
| Podstawowy numer produktu | FDB603 | ||
| Pobieranie | FDB6030L PDF - EN.pdf | ||
Model Produktu
FDB6030L
Wprowadzenie
MOSFET N-Channel do zastosowań w przełączaniu mocy
Marka i Producent
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Funkcje
Wydajna konwersja mocy, Niskie opory w stanie włączonym, Wysoka zdolność do obsługi prądu
Wydajność Produktu
Doskonałe właściwości termiczne, Pracuje w zakresie temperatur od -65°C do 175°C, Solidna pojemność ciągłego prądu drenowego
Specyfikacja Techniczna
Napięcie znamionowe: 30V, Prąd: 48A, Rozpraszanie mocy: 52W, Rds On: 13 mOhm, Napięcie sterujące: 4.5V do 10V
Rozmiar, Kształt i Opakowanie
TO-263-3, montaże DPak na powierzchni, Dostarczane w taśmie i na rolce
Jakość i Niezawodność
Wysokie standardy produkcji, Niezawodność przy długotrwałym użytkowaniu
Zalety Produktu
Wysoka przepustowość prądowa przy minimalnych stratach, Odpowiedni do wymagających zastosowań
Konkurencyjność Produktu
Silny stosunek wydajności do kosztów, Konkurencja z czołowymi standardami przemysłowymi
Kompatybilność
Kompatybilny z technologią montażu powierzchniowego
Certyfikacja Standardowa i Zgodność
Bez ołowiu / Zgodność z dyrektywą RoHS, Spełnia przemysłowe standardy środowiskowe
Długość Życia i Trwałość
Zaprojektowany z myślą o długoterminowej niezawodności, Odpowiedni do różnych zastosowań przemysłowych
Rzeczywiste Pole Zastosowań
Systemy zarządzania energią, Regulatory przełączania, Napędy silników
Napisz do nas: Info@Ariat-Tech.com lub RFQ FDB6030L Online.
| FDB6030L Zapasy | FDB6030L Cena | FDB6030L Electronics | |||
| Komponenty FDB6030L | FDB6030L Zapasy | FDB6030L Digikey | |||
| Dostawca FDB6030L | Zamów FDB6030L online | Zapytanie FDB6030L | |||
| Obraz FDB6030L | FDB6030L Zdjęcie | FDB6030L PDF | |||
| Arkusz danych FDB6030L | Pobierz arkusz danych FDB6030L | Producent | |||
| Powiązane części dla FDB6030L | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Obraz | Part Number | Opis | Producent | Uzyskaj wycenę | |
 |
FDB6021P | MOSFET P-CH 20V 28A TO263AB | onsemi | ||
 |
FDB6035L MOS | FAIRCHILD TO263 | FAIRCHILD | ||
 |
FDB6035L | N-CHANNEL POWER MOSFET | Fairchild Semiconductor | ||
|
FDB6030AL | FDB6030AL FSC | FSC | ||
|
FDB6035AL MOS | FAIRCHILD TO-263 | FAIRCHILD | ||
|
FDB6030 | FDB6030 VB | VB | ||
|
FDB6021p MOS | FAIRCHILD TO-263 | FAIRCHILD | ||
|
FDB6030BL MOS | VBSEMI TO-263AB | VBSEMI | ||
|
FDB6030L MOS | FAIRCHILD TO-263 | FAIRCHILD | ||
|
FDB6035AL | N-CHANNEL POWER MOSFET | Fairchild Semiconductor | ||
|
FDB6030BL | MOSFET N-CH 30V 40A R-6 | onsemi | ||
|
FDB6030PL | FDB6030PL VB | VB | ||
|
FDB6030BL | MOSFET N-CH 30V 40A R-6 | Fairchild Semiconductor | ||
|
FDB60N03L | FDB60N03L VB | VB | ||
|
FDB6030L | MOSFET N-CH 30V 48A TO263AB | Fairchild Semiconductor | ||
|
FDB603AL | N-CHANNEL POWER MOSFET | Fairchild Semiconductor | ||
|
FDB60N03LTM | FDB60N03LTM VB | VB | ||
|
FDB6030BL. | FDB6030BL. FAI | FAI | ||
|
FDB6035 | FDB6035 FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
|
FDB6030AL-M | FDB6030AL-M VB | VB | ||
Aktualności
Jeszcze
Polarfire® SOC FPGA firmy Microchip otrzymał certyfikat AEC -Q100, potwierdzając jego niezawodność w trudnych warunkach motoryzacyjnych, w tym dz...
PSOCTM 4000T jest pierwszym produktem Infineon, który zawiera technologię Capsense ™ z piątej generacji firmy i funkcjonalność wieloosobową.Ta ...
Dostawca części motoryzacyjnych ujawnił, że rozwój EV na rynku Ameryki Północnej zatrzymał się, gdy producenci samochodów decydują się na ...
Infineon i Eatron rozszerzają współpracę AI System zarządzania akumulatorami (BMS) o elektronikę przemysłową i konsumpcyjną.Na podstawie mikr...
Na półprzewodnik ogłosił niedawno uruchomienie swojego pierwszego czujnika w czasie rzeczywistym, czasem lotu (ITOF), serii Hyperlux ID, która mo...
Nowe Produkty
Jeszcze
Czujnik fotoelektryczny serii PD30 Miniaturowe czujniki fotoelektryczne Carlo Gavazzi charakteryzuj...
Zestaw do oceny XC112 / XR112 dla koherentnego radaru impulsowego A111Zestaw ewaluacyjny XC112 i XR112 firmy Acconeer z płaskimi elastycznymi kablami...
Serwonapęd i silniki Serii MINAS A6 Rodzina MINAS A6 firmy Panasonic zapewnia stabilną pracę, zmn...
Tablica sterująca UV LED Płytka sterownika LED RayVio dla serii XE i XP1 emitera UV-C Płytka st...
Przemysłowy i rozszerzony test DDR SDRAM Urządzenia DDR SDRAM firmy Insignis gwarantują pracę w ...
E-mail: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966DODAJ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hongkong.
Informacja o prawach autorskich © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Wszelkie prawa zastrzeżone.