| FDG6332C | |
|---|---|
| Part Number | FDG6332C |
| Producent | onsemi |
| Opis | MOSFET N/P-CH 20V SC70-6 |
| dostępna ilość | 11000 pcs new original in stock. Zamów akcje i oferty |
| Model ECAD | |
| Arkusze danych | 1.FDG6332C.pdf2.FDG6332C.pdf3.FDG6332C.pdf4.FDG6332C.pdf5.FDG6332C.pdf6.FDG6332C.pdf7.FDG6332C.pdf8.FDG6332C.pdf |
| FDG6332C Price |
Poproś o cenę i czas dostawy online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Informacje techniczne o FDG6332C | |||
|---|---|---|---|
| Numer części producenta | FDG6332C | Kategoria | |
| Producent | onsemi | Opis | MOSFET N/P-CH 20V SC70-6 |
| Pakiet / obudowa | SC-88 (SC-70-6) | dostępna ilość | 11000 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA | Technologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dostawca urządzeń Pakiet | SC-88 (SC-70-6) | Seria | PowerTrench® |
| RDS (Max) @ ID, Vgs | 300mOhm @ 700mA, 4.5V | Moc - Max | 300mW |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Pakiet | Tape & Reel (TR) |
| temperatura robocza | -55°C ~ 150°C (TJ) | Rodzaj mocowania | Surface Mount |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | 113pF @ 10V | Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs | 1.5nC @ 4.5V |
| Cecha FET | Logic Level Gate | Spust do źródła napięcia (Vdss) | 20V |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C | 700mA, 600mA | Konfiguracja | N and P-Channel |
| Podstawowy numer produktu | FDG6332 | ||
| Pobieranie | FDG6332C PDF - EN.pdf | ||
Model Produktu
FDG6332C
Wprowadzenie
Układ Mosfet N i P-Channel 20V 700mA, 600mA
Marka i Producent
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Funkcje
N i P-Channel, Logiczny poziom bramki, Technologia montażu powierzchniowego, Bez ołowiu, Zgodność z RoHS
Wydajność Produktu
Napięcie Drain do Source: 20V, Ciągły prąd Drain: 700mA (N-Channel), 600mA (P-Channel), Rds On (Max): 300 mOhm przy 700mA, 4.5V, Ładowanie bramki (Qg) (Max): 1.5nC przy 4.5V, Pojemność wejściowa (Ciss) (Max): 113pF przy 10V
Specyfikacja Techniczna
Moc - Max: 300mW, Napięcie - Wyjście: PowerTrench, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V przy 250µA
Rozmiar, Kształt i Opakowanie
Opakowanie 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Opakowanie dostawcy: SC-70-6, Opakowanie: Taśma i szpulka (TR)
Jakość i Niezawodność
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL): 1 (nieograniczony)
Zalety Produktu
Wysoka wydajność dzięki technologii PowerTrench, Niska rezystancja w stanie włączonym, Wysoka wydajność termiczna
Konkurencyjność Produktu
Konkurencyjna cena z solidnymi wskaźnikami wydajności w swojej klasie
Kompatybilność
Kompatybilny z aplikacjami logicznymi na poziomie
Certyfikacja Standardowa i Zgodność
Bez ołowiu, Zgodność z RoHS
Długość Życia i Trwałość
Trwała konstrukcja zaprojektowana do długotrwałego użytkowania w różnych środowiskach
Rzeczywiste Pole Zastosowań
Wykorzystywany w zarządzaniu energią, przełączaniu i wzmacnianiu w różnych sektorach, w tym elektronice użytkowej, motoryzacji i systemach przemysłowych
Napisz do nas: Info@Ariat-Tech.com lub RFQ FDG6332C Online.
| FDG6332C Zapasy | FDG6332C Cena | FDG6332C Electronics | |||
| Komponenty FDG6332C | FDG6332C Zapasy | FDG6332C Digikey | |||
| Dostawca FDG6332C | Zamów FDG6332C online | Zapytanie FDG6332C | |||
| Obraz FDG6332C | FDG6332C Zdjęcie | FDG6332C PDF | |||
| Arkusz danych FDG6332C | Pobierz arkusz danych FDG6332C | Producent | |||
| Powiązane części dla FDG6332C | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Obraz | Part Number | Opis | Producent | Uzyskaj wycenę | |
 |
FDG6324L MCU | FAIRCHILD SOT-363 | FAIRCHILD | ||
|
FDG6324 | FAIRCHILD | |||
 |
FDG6332C-F085P | DUAL NP MOS SC70-6 20V | onsemi | ||
 |
FDG6324L | BUFFER/INVERTER BASED PERIPHERAL | Fairchild Semiconductor | ||
 |
FDG6331L IC | ON SOT363 | ON | ||
|
FDG6332C_NL | FDG6332C_NL FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
|
FDG6331L-NL | FDG6331L-NL FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
|
FDG6332C-F085 | MOSFET N/P-CH 20V SC70-6 | onsemi | ||
|
FDG6332C IC | ON SC70-6 | ON | ||
 |
FDG6323L_NL | SOT363 10+ | |||
|
FDG6335N MOS | FAIRCHILD SOT-363 | FAIRCHILD | ||
|
FDG6332C-PG | MOSFET N P-CH 20V SC70-6 | onsemi | ||
|
FDG6332C MOS | ON SC70-6 | ON | ||
|
FDG6324L-NL | FDG6324L-NL FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
|
FDG6332C_F085 | FDG6332C_F085 N/A | N/A | ||
|
FDG6331L | IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC88 | onsemi | ||
|
FDG6335N | MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SOT-363 | onsemi | ||
|
FDG6323L_D87Z | IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC88 | onsemi | ||
|
FDG6324L | IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC88 | onsemi | ||
|
FDG6332C-NL | FDG6332C-NL FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
Aktualności
Jeszcze
Polarfire® SOC FPGA firmy Microchip otrzymał certyfikat AEC -Q100, potwierdzając jego niezawodność w trudnych warunkach motoryzacyjnych, w tym dz...
PSOCTM 4000T jest pierwszym produktem Infineon, który zawiera technologię Capsense ™ z piątej generacji firmy i funkcjonalność wieloosobową.Ta ...
Dostawca części motoryzacyjnych ujawnił, że rozwój EV na rynku Ameryki Północnej zatrzymał się, gdy producenci samochodów decydują się na ...
Infineon i Eatron rozszerzają współpracę AI System zarządzania akumulatorami (BMS) o elektronikę przemysłową i konsumpcyjną.Na podstawie mikr...
Na półprzewodnik ogłosił niedawno uruchomienie swojego pierwszego czujnika w czasie rzeczywistym, czasem lotu (ITOF), serii Hyperlux ID, która mo...
Nowe Produkty
Jeszcze
Czujnik fotoelektryczny serii PD30 Miniaturowe czujniki fotoelektryczne Carlo Gavazzi charakteryzuj...
Zestaw do oceny XC112 / XR112 dla koherentnego radaru impulsowego A111Zestaw ewaluacyjny XC112 i XR112 firmy Acconeer z płaskimi elastycznymi kablami...
Serwonapęd i silniki Serii MINAS A6 Rodzina MINAS A6 firmy Panasonic zapewnia stabilną pracę, zmn...
Tablica sterująca UV LED Płytka sterownika LED RayVio dla serii XE i XP1 emitera UV-C Płytka st...
Przemysłowy i rozszerzony test DDR SDRAM Urządzenia DDR SDRAM firmy Insignis gwarantują pracę w ...
E-mail: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966DODAJ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hongkong.
Informacja o prawach autorskich © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Wszelkie prawa zastrzeżone.