| MMBF170LT1G | |
|---|---|
| Part Number | MMBF170LT1G |
| Producent | onsemi |
| Opis | MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3 |
| dostępna ilość | 32500 pcs new original in stock. Zamów akcje i oferty |
| Model ECAD | |
| Arkusze danych | 1.MMBF170LT1G.pdf2.MMBF170LT1G.pdf3.MMBF170LT1G.pdf4.MMBF170LT1G.pdf5.MMBF170LT1G.pdf |
| MMBF170LT1G Price |
Poproś o cenę i czas dostawy online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Informacje techniczne o MMBF170LT1G | |||
|---|---|---|---|
| Numer części producenta | MMBF170LT1G | Kategoria | |
| Producent | onsemi | Opis | MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3 |
| Pakiet / obudowa | SOT-23-3 (TO-236) | dostępna ilość | 32500 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA | Vgs (maks.) | ±20V |
| Technologia | MOSFET (Metal Oxide) | Dostawca urządzeń Pakiet | SOT-23-3 (TO-236) |
| Seria | - | RDS (Max) @ ID, Vgs | 5Ohm @ 200mA, 10V |
| Strata mocy (max) | 225mW (Ta) | Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Pakiet | Tape & Reel (TR) | temperatura robocza | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania | Surface Mount | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | 60 pF @ 10 V |
| Rodzaj FET | N-Channel | Cecha FET | - |
| Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Spust do źródła napięcia (Vdss) | 60 V |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C | 500mA (Ta) | Podstawowy numer produktu | MMBF170 |
| Pobieranie | MMBF170LT1G PDF - EN.pdf | ||
Model Produktu
MMBF170LT1G
Wprowadzenie
N-Kanałowy MOSFET do wydajnego przełączania i wzmocnienia
Marka i Producent
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Funkcje
N-Kanałowy; technologia MOSFET; bez ołowiu; zgodny z RoHS; poziom wrażliwości na wilgoć 1
Wydajność Produktu
Działa w zakresie temperatur od -55°C do 150°C; obsługuje ciągły prąd drenażu do 500mA; maksymalne wydzielanie mocy 225mW; niska wartość Rds (on) wynosząca 5 Ohm
Specyfikacja Techniczna
Napięcie dren-źródło: 60V; Prąd - ciągły drenaż: 500mA; Rds On (maks.): 5 Ohm; Vgs(th) (maks.): 3V; Pojemność wejściowa (Ciss): 60pF; Napięcie sterujące: 10V; Vgs (maks.): ±20V
Rozmiar, Kształt i Opakowanie
Opakowanie SOT-23-3 (TO-236); montaż powierzchniowy; pakowane w Digi-Reel
Jakość i Niezawodność
Wysoka niezawodność przy niskim wskaźniku defektów; poziom wrażliwości na wilgoć (MSL) 1
Zalety Produktu
Efektywna zdolność do zarządzania mocą; wydajność w szerokim zakresie temperatur; niska rezystancja cieplna
Konkurencyjność Produktu
Konkurencyjna cena i wydajność w swojej kategorii; wysoka dostępność na rynku
Kompatybilność
Kompatybilny z technologią montażu powierzchniowego; wymienny z innymi urządzeniami SOT-23
Certyfikacja Standardowa i Zgodność
Bez ołowiu; zgodny z RoHS
Długość Życia i Trwałość
Trwały i stabilny w rozszerzonym zakresie temperatur roboczych
Rzeczywiste Pole Zastosowań
Zarządzanie mocą; zarządzanie akumulatorami; przełącznik obciążenia; przełączanie zasilania; przetwarzanie sygnałów; telekomunikacja; aplikacje obliczeniowe
Napisz do nas: Info@Ariat-Tech.com lub RFQ MMBF170LT1G Online.
| MMBF170LT1G Zapasy | MMBF170LT1G Cena | MMBF170LT1G Electronics | |||
| Komponenty MMBF170LT1G | MMBF170LT1G Zapasy | MMBF170LT1G Digikey | |||
| Dostawca MMBF170LT1G | Zamów MMBF170LT1G online | Zapytanie MMBF170LT1G | |||
| Obraz MMBF170LT1G | MMBF170LT1G Zdjęcie | MMBF170LT1G PDF | |||
| Arkusz danych MMBF170LT1G | Pobierz arkusz danych MMBF170LT1G | Producent | |||
| Powiązane części dla MMBF170LT1G | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Obraz | Part Number | Opis | Producent | Uzyskaj wycenę | |
 |
MMBF2201N | MSV | |||
 |
MMBF170Q-7 | DIODES 2021+RoHS | DIODES | ||
 |
MMBF170LT1G/MMBF170 | ON SOT-23 | ON | ||
|
MMBF170L | ON SOT-23 | ON | ||
 |
MMBF170-7-F | MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3 | Diodes Incorporated | ||
 |
MMBF170LT1 | MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3 | onsemi | ||
|
MMBF170-7-F MOS | DIODES SOT-23 | DIODES | ||
|
MMBF170Q-7-F | MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3 | Diodes Incorporated | ||
|
MMBF170-NL | Son SOT-233L | Son | ||
|
MMBF170LT1G 6Z/SOT23 | YMS SOT-23 | YMS | ||
 |
MMBF170 IC | FAIRCHILD SOT23 | FAIRCHILD | ||
 |
MMBF170G-AE2-R | UTC | |||
|
MMBF170-NL IC | FAIRCHILD SOT-23 | FAIRCHILD | ||
|
MMBF170Q-13-F | MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23 | Diodes Incorporated | ||
|
MMBF170LT1G IC | MSV SOT-23 | MSV | ||
|
MMBF170LT1G MOSFETIGBTIC | ON SOT-23 | ON | ||
|
MMBF170-7-G | DIODES SOT-23 | DIODES | ||
 |
MMBF170LT3G | MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3 | onsemi | ||
|
MMBF170-7 | MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3 | Diodes Incorporated | ||
|
MMBF170LT3 | MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3 | onsemi | ||
Aktualności
Jeszcze
Polarfire® SOC FPGA firmy Microchip otrzymał certyfikat AEC -Q100, potwierdzając jego niezawodność w trudnych warunkach motoryzacyjnych, w tym dz...
PSOCTM 4000T jest pierwszym produktem Infineon, który zawiera technologię Capsense ™ z piątej generacji firmy i funkcjonalność wieloosobową.Ta ...
Dostawca części motoryzacyjnych ujawnił, że rozwój EV na rynku Ameryki Północnej zatrzymał się, gdy producenci samochodów decydują się na ...
Infineon i Eatron rozszerzają współpracę AI System zarządzania akumulatorami (BMS) o elektronikę przemysłową i konsumpcyjną.Na podstawie mikr...
Na półprzewodnik ogłosił niedawno uruchomienie swojego pierwszego czujnika w czasie rzeczywistym, czasem lotu (ITOF), serii Hyperlux ID, która mo...
Nowe Produkty
Jeszcze
Czujnik fotoelektryczny serii PD30 Miniaturowe czujniki fotoelektryczne Carlo Gavazzi charakteryzuj...
Zestaw do oceny XC112 / XR112 dla koherentnego radaru impulsowego A111Zestaw ewaluacyjny XC112 i XR112 firmy Acconeer z płaskimi elastycznymi kablami...
Serwonapęd i silniki Serii MINAS A6 Rodzina MINAS A6 firmy Panasonic zapewnia stabilną pracę, zmn...
Tablica sterująca UV LED Płytka sterownika LED RayVio dla serii XE i XP1 emitera UV-C Płytka st...
Przemysłowy i rozszerzony test DDR SDRAM Urządzenia DDR SDRAM firmy Insignis gwarantują pracę w ...
E-mail: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966DODAJ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hongkong.
Informacja o prawach autorskich © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Wszelkie prawa zastrzeżone.