| CSD13201W10 | |
|---|---|
| Part Number | CSD13201W10 |
| Producent | N/A |
| Opis | MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA |
| dostępna ilość | 3054 pcs new original in stock. Zamów akcje i oferty |
| Model ECAD | |
| Arkusze danych | 1.CSD13201W10.pdf2.CSD13201W10.pdf3.CSD13201W10.pdf |
| CSD13201W10 Price |
Poproś o cenę i czas dostawy online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Informacje techniczne o CSD13201W10 | |||
|---|---|---|---|
| Numer części producenta | CSD13201W10 | Kategoria | |
| Producent | N/A | Opis | MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA |
| Pakiet / obudowa | 4-DSBGA (1x1) | dostępna ilość | 3054 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA | Vgs (maks.) | ±8V |
| Technologia | MOSFET (Metal Oxide) | Dostawca urządzeń Pakiet | 4-DSBGA (1x1) |
| Seria | NexFET™ | RDS (Max) @ ID, Vgs | 34mOhm @ 1A, 4.5V |
| Strata mocy (max) | 1.2W (Ta) | Package / Case | 4-UFBGA, DSBGA |
| Pakiet | Tape & Reel (TR) | temperatura robocza | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania | Surface Mount | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | 462 pF @ 6 V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs | 2.9 nC @ 4.5 V | Rodzaj FET | N-Channel |
| Cecha FET | - | Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Spust do źródła napięcia (Vdss) | 12 V | Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C | 1.6A (Ta) |
| Podstawowy numer produktu | CSD13201 | ||
| Pobieranie | CSD13201W10 PDF - EN.pdf | ||
Model Produktu
CSD13201W10
Wprowadzenie
NexFET Power MOSFET, N-Channel, 12V, 1.6A
Marka i Producent
Luminary Micro / Texas Instruments
Funkcje
Technologia MOSFET (Metal Oxide), opakowanie do montażu powierzchniowego, FET N-Channel, niski Rds (opór w stanie włączonym), wysoki prąd ciągły odpływu
Wydajność Produktu
Wysoka moc rozpraszania wynosząca 1,2 W, działa w temperaturze od -55°C do 150°C, solidne parametry termiczne
Specyfikacja Techniczna
Napięcie drenaż - źródło (Vdss): 12V, Prąd - ciągły odpływ (Id): 1,6A, Rds On: 34 mOhm, Ładunek bramki (Qg): 2,9 nC, Pojemność wejściowa (Ciss): 462 pF
Rozmiar, Kształt i Opakowanie
Opakowanie 4-UFBGA, DSBGA, opakowanie Tape & Reel (TR) dla zamówień hurtowych
Jakość i Niezawodność
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL) 1, bez ołowiu i zgodność z RoHS
Zalety Produktu
Optymalizacja do zastosowań niskonapięciowych, kompaktowy kształt 4-DSBGA (1x1), wysoka wydajność przy niskim oporze w stanie włączonym
Konkurencyjność Produktu
Standardowy czas realizacji producenta wynoszący 35 tygodni, konkurencyjny w projektach wymagających krytycznej mocy
Kompatybilność
Kompatybilny z standardowym montażem SMT
Certyfikacja Standardowa i Zgodność
Status bez ołowiu / zgodność z RoHS
Długość Życia i Trwałość
Wysoka trwałość z szerokim zakresem temperatury pracy
Rzeczywiste Pole Zastosowań
Nadaje się do zarządzania mocą w przenośnej elektronice, informática i systemach telekomunikacyjnych
Napisz do nas: Info@Ariat-Tech.com lub RFQ CSD13201W10 Online.
| CSD13201W10 Zapasy | CSD13201W10 Cena | CSD13201W10 Electronics | |||
| Komponenty CSD13201W10 | CSD13201W10 Zapasy | CSD13201W10 Digikey | |||
| Dostawca CSD13201W10 | Zamów CSD13201W10 online | Zapytanie CSD13201W10 | |||
| Obraz CSD13201W10 | CSD13201W10 Zdjęcie | CSD13201W10 PDF | |||
| Arkusz danych CSD13201W10 | Pobierz arkusz danych CSD13201W10 | Producent | |||
| Powiązane części dla CSD13201W10 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Obraz | Part Number | Opis | Producent | Uzyskaj wycenę | |
 |
CSD12126SS | BOX S STEEL NAT 12.01"LX12.01"W | Hoffman Enclosures, Inc. | ||
 |
CSD13302WT | MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA | N/A | ||
 |
CSD13202Q2 | MOSFET N-CH 12V 22A 6WSON | N/A | ||
 |
CSD106ANPSA1 | MODULE GATE DRIVER | Infineon Technologies | ||
|
CSD13202Q2 MOS | TI WSON6 | N/A | ||
|
CSD13302W | MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA | N/A | ||
 |
CSD12126 | BOX STEEL GRAY 12.01"L X 12.01"W | Hoffman Enclosures, Inc. | ||
 |
CSD108 | IC GATE DRVR P&P SCALE 1 MODULE | Power Integrations | ||
|
CSD13302W IC | TI DSBGA4 | N/A | ||
 |
CSD13306WT | MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA | N/A | ||
 |
CSD1013B-220M | SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS | CODACA | ||
|
CSD13380F3 | MOSFET N-CH 12V 3.6A 3PICOSTAR | N/A | ||
 |
CSD1060E | CSD1060E CREE | CREE | ||
|
CSD13380F3T | MOSFET N-CH 12V 3.6A 3PICOSTAR | N/A | ||
|
CSD13303W1015 | MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA | N/A | ||
|
CSD128 | IC GATE DRVR P&P SCALE 1 MODULE | Power Integrations | ||
|
CSD127BNPSA1 | MODULE GATE DRIVER | Infineon Technologies | ||
|
CSD13306W | MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA | N/A | ||
|
CSD123 | IC GATE DRVR IGBT PLUG&PLAY | Power Integrations | ||
|
CSD1306E | CSD1306E CDIL | CDIL | ||
Aktualności
Jeszcze
Polarfire® SOC FPGA firmy Microchip otrzymał certyfikat AEC -Q100, potwierdzając jego niezawodność w trudnych warunkach motoryzacyjnych, w tym dz...
PSOCTM 4000T jest pierwszym produktem Infineon, który zawiera technologię Capsense ™ z piątej generacji firmy i funkcjonalność wieloosobową.Ta ...
Dostawca części motoryzacyjnych ujawnił, że rozwój EV na rynku Ameryki Północnej zatrzymał się, gdy producenci samochodów decydują się na ...
Infineon i Eatron rozszerzają współpracę AI System zarządzania akumulatorami (BMS) o elektronikę przemysłową i konsumpcyjną.Na podstawie mikr...
Na półprzewodnik ogłosił niedawno uruchomienie swojego pierwszego czujnika w czasie rzeczywistym, czasem lotu (ITOF), serii Hyperlux ID, która mo...
Nowe Produkty
Jeszcze
Czujnik fotoelektryczny serii PD30 Miniaturowe czujniki fotoelektryczne Carlo Gavazzi charakteryzuj...
Zestaw do oceny XC112 / XR112 dla koherentnego radaru impulsowego A111Zestaw ewaluacyjny XC112 i XR112 firmy Acconeer z płaskimi elastycznymi kablami...
Serwonapęd i silniki Serii MINAS A6 Rodzina MINAS A6 firmy Panasonic zapewnia stabilną pracę, zmn...
Tablica sterująca UV LED Płytka sterownika LED RayVio dla serii XE i XP1 emitera UV-C Płytka st...
Przemysłowy i rozszerzony test DDR SDRAM Urządzenia DDR SDRAM firmy Insignis gwarantują pracę w ...
E-mail: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966DODAJ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hongkong.
Informacja o prawach autorskich © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Wszelkie prawa zastrzeżone.