| CSD17573Q5B | |
|---|---|
| Part Number | CSD17573Q5B |
| Producent | N/A |
| Opis | MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON |
| dostępna ilość | 5300 pcs new original in stock. Zamów akcje i oferty |
| Model ECAD | |
| Arkusze danych | CSD17573Q5B.pdf |
| CSD17573Q5B Price |
Poproś o cenę i czas dostawy online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Informacje techniczne o CSD17573Q5B | |||
|---|---|---|---|
| Numer części producenta | CSD17573Q5B | Kategoria | |
| Producent | N/A | Opis | MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON |
| Pakiet / obudowa | 8-VSON-CLIP (5x6) | dostępna ilość | 5300 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 250µA | Vgs (maks.) | ±20V |
| Technologia | MOSFET (Metal Oxide) | Dostawca urządzeń Pakiet | 8-VSON-CLIP (5x6) |
| Seria | NexFET™ | RDS (Max) @ ID, Vgs | 1mOhm @ 35A, 10V |
| Strata mocy (max) | 3.2W (Ta), 195W (Tc) | Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Pakiet | Tape & Reel (TR) | temperatura robocza | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania | Surface Mount | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | 9000 pF @ 15 V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs | 64 nC @ 4.5 V | Rodzaj FET | N-Channel |
| Cecha FET | - | Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Spust do źródła napięcia (Vdss) | 30 V | Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C | 100A (Ta) |
| Podstawowy numer produktu | CSD17573Q5 | ||
| Pobieranie | CSD17573Q5B PDF - EN.pdf | ||
Model Produktu
CSD17573Q5B
Wprowadzenie
Wysokowydajny tranzystor MOSFET z kanałem N
Marka i Producent
Luminary Micro / Texas Instruments
Funkcje
Technologia MOSFET z kanałem N, wysoki ciągły prąd drenu wynoszący 100A, niska rezystancja w stanie włączonym 1 mOhm, wysokie możliwości rozpraszania mocy
Wydajność Produktu
Działa w temperaturach od -55°C do 150°C, napięcie od drenu do źródła 30V, ładunek bramki wynoszący 64nC przy 4,5V, napięcie sterujące w zakresie 4,5V do 10V
Specyfikacja Techniczna
Metalowy tranzystor efektu pola (MOSFET)
Rozmiar, Kształt i Opakowanie
Opakowanie: 8-PowerTDFN, typ montażu powierzchniowego, opakowanie dla urządzenia 8-VSON-CLIP (5x6), opakowanie taśmowe (TR) do automatycznego montażu
Jakość i Niezawodność
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL) 1
Zalety Produktu
Wysoka zdolność prądowa z niskim ładunkiem bramki i rezystancją
Konkurencyjność Produktu
Optymalizowany pod kątem wydajności energetycznej i wydajności termicznej
Kompatybilność
Zaprojektowany do zastosowań z montażem powierzchniowym
Certyfikacja Standardowa i Zgodność
Zgodny z RoHS, zawiera ołów
Długość Życia i Trwałość
Solidna konstrukcja zapewnia długi czas użytkowania w odpowiednich warunkach
Rzeczywiste Pole Zastosowań
Szeroko stosowany w aplikacjach zarządzania mocą, idealny do elektroniki komputerowej i konsumenckiej
Napisz do nas: Info@Ariat-Tech.com lub RFQ CSD17573Q5B Online.
| CSD17573Q5B Zapasy | CSD17573Q5B Cena | CSD17573Q5B Electronics | |||
| Komponenty CSD17573Q5B | CSD17573Q5B Zapasy | CSD17573Q5B Digikey | |||
| Dostawca CSD17573Q5B | Zamów CSD17573Q5B online | Zapytanie CSD17573Q5B | |||
| Obraz CSD17573Q5B | CSD17573Q5B Zdjęcie | CSD17573Q5B PDF | |||
| Arkusz danych CSD17573Q5B | Pobierz arkusz danych CSD17573Q5B | Producent | |||
| Powiązane części dla CSD17573Q5B | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Obraz | Part Number | Opis | Producent | Uzyskaj wycenę | |
 |
CSD17556Q5B | MOSFET N-CH 30V 34A/100A 8VSON | N/A | ||
|
CSD17577Q3A | MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON | N/A | ||
|
CSD17571Q2/1751 | CSD17571Q2/1751 BBTI | BBTI | ||
|
CSD17575Q3T | MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON | N/A | ||
|
CSD17559Q5T | MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON | N/A | ||
|
CSD17573Q5B/CSD17573Q5BT | N/A | |||
|
CSD17576Q5B MOS | TI SON5X6 | N/A | ||
|
CSD17556Q5BT | MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON | N/A | ||
|
CSD17575Q3 | MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON | N/A | ||
|
CSD17576Q5BT | MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON | N/A | ||
|
CSD17556Q5B IC | TI VSON8 | N/A | ||
|
CSD17577Q3A IC | TI VSOP8 | N/A | ||
|
CSD17570Q5BT | MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON | N/A | ||
|
CSD17571Q2 MOS | CCSEMI SON2X2-6 | CCSEMI | ||
|
CSD17571Q2 | MOSFET N-CH 30V 22A 6SON | N/A | ||
|
CSD17576Q5B | MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON | N/A | ||
|
CSD17573Q5BT | MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON | N/A | ||
|
CSD17573Q5B MOS | TI QFN | N/A | ||
|
CSD17559Q5 | MOSFET N-CH 30V 40A/100A 8VSON | N/A | ||
|
CSD17570Q5B | MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON | N/A | ||
Aktualności
Jeszcze
Polarfire® SOC FPGA firmy Microchip otrzymał certyfikat AEC -Q100, potwierdzając jego niezawodność w trudnych warunkach motoryzacyjnych, w tym dz...
PSOCTM 4000T jest pierwszym produktem Infineon, który zawiera technologię Capsense ™ z piątej generacji firmy i funkcjonalność wieloosobową.Ta ...
Dostawca części motoryzacyjnych ujawnił, że rozwój EV na rynku Ameryki Północnej zatrzymał się, gdy producenci samochodów decydują się na ...
Infineon i Eatron rozszerzają współpracę AI System zarządzania akumulatorami (BMS) o elektronikę przemysłową i konsumpcyjną.Na podstawie mikr...
Na półprzewodnik ogłosił niedawno uruchomienie swojego pierwszego czujnika w czasie rzeczywistym, czasem lotu (ITOF), serii Hyperlux ID, która mo...
Nowe Produkty
Jeszcze
Czujnik fotoelektryczny serii PD30 Miniaturowe czujniki fotoelektryczne Carlo Gavazzi charakteryzuj...
Zestaw do oceny XC112 / XR112 dla koherentnego radaru impulsowego A111Zestaw ewaluacyjny XC112 i XR112 firmy Acconeer z płaskimi elastycznymi kablami...
Serwonapęd i silniki Serii MINAS A6 Rodzina MINAS A6 firmy Panasonic zapewnia stabilną pracę, zmn...
Tablica sterująca UV LED Płytka sterownika LED RayVio dla serii XE i XP1 emitera UV-C Płytka st...
Przemysłowy i rozszerzony test DDR SDRAM Urządzenia DDR SDRAM firmy Insignis gwarantują pracę w ...
E-mail: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966DODAJ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hongkong.
Informacja o prawach autorskich © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Wszelkie prawa zastrzeżone.