| SCTW90N65G2V | |
|---|---|
| Part Number | SCTW90N65G2V |
| Producent | STMicroelectronics |
| Opis | SICFET N-CH 650V 90A HIP247 |
| dostępna ilość | 478 pcs in stock |
| Model ECAD | |
| Arkusze danych | 1.SCTW90N65G2V.pdf2.SCTW90N65G2V.pdf3.SCTW90N65G2V.pdf |
| SCTW90N65G2V Price |
Poproś o cenę i czas dostawy online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Informacje techniczne o SCTW90N65G2V | |||
|---|---|---|---|
| Numer części producenta | SCTW90N65G2V | Kategoria | |
| Producent | ST | Opis | SICFET N-CH 650V 90A HIP247 |
| Pakiet / obudowa | HiP247™ | dostępna ilość | 478 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | Vgs (maks.) | +22V, -10V |
| Technologia | SiCFET (Silicon Carbide) | Dostawca urządzeń Pakiet | HiP247™ |
| Seria | - | RDS (Max) @ ID, Vgs | 25mOhm @ 50A, 18V |
| Strata mocy (max) | 390W (Tc) | Package / Case | TO-247-3 |
| Pakiet | Tube | temperatura robocza | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania | Through Hole | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | 3300 pF @ 400 V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs | 157 nC @ 18 V | Rodzaj FET | N-Channel |
| Cecha FET | - | Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| Spust do źródła napięcia (Vdss) | 650 V | Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C | 90A (Tc) |
| Podstawowy numer produktu | SCTW90 |
Napisz do nas: Info@Ariat-Tech.com lub RFQ SCTW90N65G2V Online.
| SCTW90N65G2V Zapasy | SCTW90N65G2V Cena | SCTW90N65G2V Electronics | |||
| Komponenty SCTW90N65G2V | SCTW90N65G2V Zapasy | SCTW90N65G2V Digikey | |||
| Dostawca SCTW90N65G2V | Zamów SCTW90N65G2V online | Zapytanie SCTW90N65G2V | |||
| Obraz SCTW90N65G2V | SCTW90N65G2V Zdjęcie | SCTW90N65G2V PDF | |||
| Arkusz danych SCTW90N65G2V | Pobierz arkusz danych SCTW90N65G2V | Producent ST | |||
| Powiązane części dla SCTW90N65G2V | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Obraz | Part Number | Opis | Producent | Uzyskaj wycenę | |
 |
SCTWA20N120 | IC POWER MOSFET 1200V HIP247 | STMicroelectronics | ||
|
SCTWA60N120G2-4 | SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120 | STMicroelectronics | ||
|
SCTWA35N65G2V-4 | DISCRETE | STMicroelectronics | ||
|
SCTL90N65G2V | SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650 | STMicroelectronics | ||
|
SCTWA30N120 | IC POWER MOSFET 1200V HIP247 | STMicroelectronics | ||
 |
SCTW35N65G2V | SICFET N-CH 650V 45A HIP247 | STMicroelectronics | ||
 |
SCTMV3 | ST QFP | ST | ||
 |
SCTL55 | IO LINK SMART CONFIGURATOR | Carlo Gavazzi Inc. | ||
|
SCTWA40N120G2V-4 | DISCRETE | STMicroelectronics | ||
|
SCTW40N120G2VAG | SICFET N-CH 1200V 33A HIP247 | STMicroelectronics | ||
|
SCTW35N65G2VAG | SICFET N-CH 650V 45A HIP247 | STMicroelectronics | ||
|
SCTWA40N120G2V | DISCRETE | STMicroelectronics | ||
|
SCTW100N65G2AG | SICFET N-CH 650V 100A HIP247 | STMicroelectronics | ||
|
SCTWA35N65G2VAG | SICFET N-CH 650V 45A TO247 | STMicroelectronics | ||
|
SCTW40N120G2V | SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120 | STMicroelectronics | ||
|
SCTWA10N120 | IC POWER MOSFET 1200V HIP247 | STMicroelectronics | ||
|
SCTWA35N65G2V | TRANS SJT N-CH 650V 45A TO247 | STMicroelectronics | ||
|
SCTW70N120G2V | TRANS SJT N-CH 1200V 91A HIP247 | STMicroelectronics | ||
|
SCTWA50N120 | SICFET N-CH 1200V 65A HIP247 | STMicroelectronics | ||
|
SCTW60N120G2 | DISCRETE | STMicroelectronics | ||
Aktualności
Jeszcze
Polarfire® SOC FPGA firmy Microchip otrzymał certyfikat AEC -Q100, potwierdzając jego niezawodność w trudnych warunkach motoryzacyjnych, w tym dz...
PSOCTM 4000T jest pierwszym produktem Infineon, który zawiera technologię Capsense ™ z piątej generacji firmy i funkcjonalność wieloosobową.Ta ...
Dostawca części motoryzacyjnych ujawnił, że rozwój EV na rynku Ameryki Północnej zatrzymał się, gdy producenci samochodów decydują się na ...
Infineon i Eatron rozszerzają współpracę AI System zarządzania akumulatorami (BMS) o elektronikę przemysłową i konsumpcyjną.Na podstawie mikr...
Na półprzewodnik ogłosił niedawno uruchomienie swojego pierwszego czujnika w czasie rzeczywistym, czasem lotu (ITOF), serii Hyperlux ID, która mo...
Nowe Produkty
Jeszcze
Czujnik fotoelektryczny serii PD30 Miniaturowe czujniki fotoelektryczne Carlo Gavazzi charakteryzuj...
Zestaw do oceny XC112 / XR112 dla koherentnego radaru impulsowego A111Zestaw ewaluacyjny XC112 i XR112 firmy Acconeer z płaskimi elastycznymi kablami...
Serwonapęd i silniki Serii MINAS A6 Rodzina MINAS A6 firmy Panasonic zapewnia stabilną pracę, zmn...
Tablica sterująca UV LED Płytka sterownika LED RayVio dla serii XE i XP1 emitera UV-C Płytka st...
Przemysłowy i rozszerzony test DDR SDRAM Urządzenia DDR SDRAM firmy Insignis gwarantują pracę w ...
E-mail: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966DODAJ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hongkong.
Informacja o prawach autorskich © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Wszelkie prawa zastrzeżone.