| STB30NF10T4 | |
|---|---|
| Part Number | STB30NF10T4 |
| Producent | STMicroelectronics |
| Opis | MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK |
| dostępna ilość | 11309 pcs new original in stock. Zamów akcje i oferty |
| Model ECAD | |
| Arkusze danych | 1.STB30NF10T4.pdf2.STB30NF10T4.pdf3.STB30NF10T4.pdf4.STB30NF10T4.pdf5.STB30NF10T4.pdf |
| STB30NF10T4 Price |
Poproś o cenę i czas dostawy online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Informacje techniczne o STB30NF10T4 | |||
|---|---|---|---|
| Numer części producenta | STB30NF10T4 | Kategoria | |
| Producent | STMicroelectronics | Opis | MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK |
| Pakiet / obudowa | D2PAK | dostępna ilość | 11309 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | Vgs (maks.) | ±20V |
| Technologia | MOSFET (Metal Oxide) | Dostawca urządzeń Pakiet | D2PAK |
| Seria | STripFET™ II | RDS (Max) @ ID, Vgs | 45mOhm @ 15A, 10V |
| Strata mocy (max) | 115W (Tc) | Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Pakiet | Tape & Reel (TR) | temperatura robocza | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania | Surface Mount | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | 1180 pF @ 25 V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs | 55 nC @ 10 V | Rodzaj FET | N-Channel |
| Cecha FET | - | Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Spust do źródła napięcia (Vdss) | 100 V | Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
| Podstawowy numer produktu | STB30 | ||
| Pobieranie | STB30NF10T4 PDF - EN.pdf | ||
Model Produktu
STB30NF10T4
Wprowadzenie
N-kanalowy MOSFET do zastosowań w przełączaniu mocy
Marka i Producent
STMicroelectronics
Funkcje
Technologia półprzewodników tlenkowych, montaż powierzchniowy D2PAK, wysoka zdolność odprowadzania mocy 115W, napięcie dren-źródło (Vdss) 100V, ciągły prąd drenowy (Id) 35A, niski Rds On 45 mΩ, ładunek bramki (Qg) 55nC
Wydajność Produktu
Zakres temperatury pracy od -55°C do 175°C, efektywna konwersja mocy
Specyfikacja Techniczna
N-kanałowy, 100V Vdss, montaż powierzchniowy w obudowie TO-263-3, moc rozpraszania 115W (Tc)
Rozmiar, Kształt i Opakowanie
Obudowa TO-263-3, D2PAK, dostarczany w opakowaniach typu Cut Tape (CT)
Jakość i Niezawodność
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL) 1, wolny od ołowiu, zgodność z dyrektywą RoHS
Zalety Produktu
Wysoka wydajność w wysokich temperaturach, efektywne zarządzanie mocą, niski Rds dla zmniejszenia strat mocy
Konkurencyjność Produktu
Zaprojektowany dla aplikacji wysokowydajnych
Kompatybilność
Kompatybilny z nowoczesną technologii montażu powierzchniowego
Certyfikacja Standardowa i Zgodność
Zgodność z dyrektywą RoHS, produkt wolny od ołowiu
Długość Życia i Trwałość
Trwała konstrukcja zapewniająca długoterminową niezawodność
Rzeczywiste Pole Zastosowań
Zasilacze, kontrola silników, przełączanie obciążenia, systemy zarządzania energią
Napisz do nas: Info@Ariat-Tech.com lub RFQ STB30NF10T4 Online.
| STB30NF10T4 Zapasy | STB30NF10T4 Cena | STB30NF10T4 Electronics | |||
| Komponenty STB30NF10T4 | STB30NF10T4 Zapasy | STB30NF10T4 Digikey | |||
| Dostawca STB30NF10T4 | Zamów STB30NF10T4 online | Zapytanie STB30NF10T4 | |||
| Obraz STB30NF10T4 | STB30NF10T4 Zdjęcie | STB30NF10T4 PDF | |||
| Arkusz danych STB30NF10T4 | Pobierz arkusz danych STB30NF10T4 | Producent | |||
| Powiązane części dla STB30NF10T4 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Obraz | Part Number | Opis | Producent | Uzyskaj wycenę | |
 |
STB30N80K5 | MOSFET N-CHANNEL 800V 24A D2PAK | STMicroelectronics | ||
 |
STB30NM50N | MOSFET N-CH 500V 27A D2PAK | STMicroelectronics | ||
 |
STB30NF10T4 MOS | ST TO-252 | ST | ||
|
STB30NF10 | STB30NF10 ST | ST | ||
|
STB30NF10T4K | ST | |||
|
STB30N65M2AG | MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK | STMicroelectronics | ||
 |
STB30NM60N | MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK | STMicroelectronics | ||
|
STB30N10T4 | STB30N10T4 ST | ST | ||
|
STB30NM60ND | MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK | STMicroelectronics | ||
|
STB30NF10 B30NF10 | ST TO-263 | ST | ||
|
STB30NE06L | STB30NE06L ST | ST | ||
 |
STB30N65DM6AG | AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 650 V | STMicroelectronics | ||
|
STB30NE06LT4 MOS | ST TO-263 | ST | ||
|
STB30N65M5 | MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK | STMicroelectronics | ||
|
STB30NF20 | MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK | STMicroelectronics | ||
|
STB30NS15 | STB30NS15 ST | ST | ||
|
STB30NE06LT4 | STB30NE06LT4 ST | ST | ||
|
STB30NF10T4 IC | ST TO-263 | ST | ||
|
STB30NF20L | MOSFET N CH 200V 30A D2PAK | STMicroelectronics | ||
|
STB30NF20 MOS | VBSEMI TO-263-D2PAK | VBSEMI | ||
Aktualności
Jeszcze
Polarfire® SOC FPGA firmy Microchip otrzymał certyfikat AEC -Q100, potwierdzając jego niezawodność w trudnych warunkach motoryzacyjnych, w tym dz...
PSOCTM 4000T jest pierwszym produktem Infineon, który zawiera technologię Capsense ™ z piątej generacji firmy i funkcjonalność wieloosobową.Ta ...
Dostawca części motoryzacyjnych ujawnił, że rozwój EV na rynku Ameryki Północnej zatrzymał się, gdy producenci samochodów decydują się na ...
Infineon i Eatron rozszerzają współpracę AI System zarządzania akumulatorami (BMS) o elektronikę przemysłową i konsumpcyjną.Na podstawie mikr...
Na półprzewodnik ogłosił niedawno uruchomienie swojego pierwszego czujnika w czasie rzeczywistym, czasem lotu (ITOF), serii Hyperlux ID, która mo...
Nowe Produkty
Jeszcze
Czujnik fotoelektryczny serii PD30 Miniaturowe czujniki fotoelektryczne Carlo Gavazzi charakteryzuj...
Zestaw do oceny XC112 / XR112 dla koherentnego radaru impulsowego A111Zestaw ewaluacyjny XC112 i XR112 firmy Acconeer z płaskimi elastycznymi kablami...
Serwonapęd i silniki Serii MINAS A6 Rodzina MINAS A6 firmy Panasonic zapewnia stabilną pracę, zmn...
Tablica sterująca UV LED Płytka sterownika LED RayVio dla serii XE i XP1 emitera UV-C Płytka st...
Przemysłowy i rozszerzony test DDR SDRAM Urządzenia DDR SDRAM firmy Insignis gwarantują pracę w ...
E-mail: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966DODAJ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hongkong.
Informacja o prawach autorskich © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Wszelkie prawa zastrzeżone.