| ZXM62P02E6TA | |
|---|---|
| Part Number | ZXM62P02E6TA |
| Producent | Diodes Incorporated |
| Opis | MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6 |
| dostępna ilość | 10280 pcs new original in stock. Zamów akcje i oferty |
| Model ECAD | |
| Arkusze danych | 1.ZXM62P02E6TA.pdf2.ZXM62P02E6TA.pdf3.ZXM62P02E6TA.pdf4.ZXM62P02E6TA.pdf |
| ZXM62P02E6TA Price |
Poproś o cenę i czas dostawy online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Informacje techniczne o ZXM62P02E6TA | |||
|---|---|---|---|
| Numer części producenta | ZXM62P02E6TA | Kategoria | |
| Producent | Diodes Incorporated | Opis | MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6 |
| Pakiet / obudowa | SOT-23-6 | dostępna ilość | 10280 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA (Min) | Vgs (maks.) | ±12V |
| Technologia | MOSFET (Metal Oxide) | Dostawca urządzeń Pakiet | SOT-23-6 |
| Seria | - | RDS (Max) @ ID, Vgs | 200mOhm @ 1.6A, 4.5V |
| Strata mocy (max) | 1.1W (Ta) | Package / Case | SOT-23-6 |
| Pakiet | Tape & Reel (TR) | temperatura robocza | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania | Surface Mount | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | 320 pF @ 15 V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs | 5.8 nC @ 4.5 V | Rodzaj FET | P-Channel |
| Cecha FET | - | Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On) | 2.7V, 4.5V |
| Spust do źródła napięcia (Vdss) | 20 V | Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C | 2.3A (Ta) |
| Podstawowy numer produktu | ZXM62P02 | ||
| Pobieranie | ZXM62P02E6TA PDF - EN.pdf | ||
Model Produktu
ZXM62P02E6TA
Wprowadzenie
Tranzystor MOSFET P-Kanałowy
Marka i Producent
Diodes Incorporated
Funkcje
Technologia Metal-Oxide Semiconductor FET, Typ FET P-Kanałowy, Wysoka zdolność do rozpraszania mocy, Niski opór w stanie włączonym, Zwiększona efektywność dzięki szybkim czasom przełączania
Wydajność Produktu
Stabilna praca w temperaturze od -55°C do 150°C, Obudowa Surface Mount SOT-23-6, Ciągły prąd drenowy 2,3A przy temperaturze otoczenia 25°C, Niski napięcie progowe
Specyfikacja Techniczna
Napięcie dren-source: 20V, Opór włączony: 200 mOhm, Napięcie progowe bramki: 700mV, Ładowanie bramki: 5.8nC, Pojemność wejściowa: 320pF, Zakres napięcia sterującego: 2.7V do 4.5V, Maksymalne napięcie bramki: ±12V
Rozmiar, Kształt i Opakowanie
Obudowa SOT-23-6, Dostarczany w taśmach i na bębnach
Jakość i Niezawodność
Niezawodna praca w określonych zakresach temperatur
Zalety Produktu
Wydajne zarządzanie energią, Oszczędność miejsca dzięki konstrukcji
Konkurencyjność Produktu
Konkurencyjne urządzenie P-Kanałowe MOSFET w swojej kategorii
Kompatybilność
Kompatybilny z standardowymi procesami montażu SMT
Certyfikacja Standardowa i Zgodność
Spełnia odpowiednie normy (Specyficzne certyfikaty nie zostały podane)
Długość Życia i Trwałość
Zaprojektowany do długotrwałego użytkowania w elektronice
Rzeczywiste Pole Zastosowań
Odpowiedni do zarządzania mocą w elektronice konsumenckiej, telekomunikacji i aplikacjach przemysłowych
Napisz do nas: Info@Ariat-Tech.com lub RFQ ZXM62P02E6TA Online.
| ZXM62P02E6TA Zapasy | ZXM62P02E6TA Cena | ZXM62P02E6TA Electronics | |||
| Komponenty ZXM62P02E6TA | ZXM62P02E6TA Zapasy | ZXM62P02E6TA Digikey | |||
| Dostawca ZXM62P02E6TA | Zamów ZXM62P02E6TA online | Zapytanie ZXM62P02E6TA | |||
| Obraz ZXM62P02E6TA | ZXM62P02E6TA Zdjęcie | ZXM62P02E6TA PDF | |||
| Arkusz danych ZXM62P02E6TA | Pobierz arkusz danych ZXM62P02E6TA | Producent Diodes Incorporated | |||
| Powiązane części dla ZXM62P02E6TA | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Obraz | Part Number | Opis | Producent | Uzyskaj wycenę | |
 |
ZXM62N03E6TA | MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-23-6 | Diodes Incorporated | ||
 |
ZXM62P03GTA | MOSFET P-CH 30V 2.9A/4A SOT223 | Diodes Incorporated | ||
 |
ZXM61P03FTA/P03 | DIODES SOT23-3 | DIODES | ||
 |
ZXM62P02E6 | ZXM62P02E6 ZETEX | ZETEX | ||
|
ZXM62N03GTA MOS | DIODES SOT-223 | DIODES | ||
|
ZXM62N02E6 | ZXM62N02E6 ZET | ZET | ||
|
ZXM62P03E6CT | Diodes | |||
|
ZXM61P03FTC MOS | VBSEMI SOT-23 | VBSEMI | ||
 |
ZXM62P03E6TA | MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT26 | Diodes Incorporated | ||
|
ZXM62P03GTA MOS | ZETEX SOT-223 | ZETEX | ||
|
ZXM62N02E6TA | ZXM62N02E6TA DIODES | DIODES | ||
|
ZXM62N03GTA IC | D50000 SOT-223 | D50000 | ||
 |
ZXM61P03FTC | MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3 | Diodes Incorporated | ||
|
ZXM62P02E6TA MOS | ZETEX SOT-163 | ZETEX | ||
|
ZXM62N03GTA | MOSFET N-CH 30V 3.4A/4.7A SOT223 | Diodes Incorporated | ||
|
ZXM62P02E6TA IC | ZETEX SOT23-6 | ZETEX | ||
|
ZXM62P03E6TC | MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT26 | Diodes Incorporated | ||
|
ZXM62P03GTC | DIODES SOT-223 | DIODES | ||
|
ZXM63C02 | ZXM63C02 ZETEX | ZETEX | ||
|
ZXM62P03E6TA MOS | ZETEX SOT23-6 | ZETEX | ||
Aktualności
Jeszcze
Polarfire® SOC FPGA firmy Microchip otrzymał certyfikat AEC -Q100, potwierdzając jego niezawodność w trudnych warunkach motoryzacyjnych, w tym dz...
PSOCTM 4000T jest pierwszym produktem Infineon, który zawiera technologię Capsense ™ z piątej generacji firmy i funkcjonalność wieloosobową.Ta ...
Dostawca części motoryzacyjnych ujawnił, że rozwój EV na rynku Ameryki Północnej zatrzymał się, gdy producenci samochodów decydują się na ...
Infineon i Eatron rozszerzają współpracę AI System zarządzania akumulatorami (BMS) o elektronikę przemysłową i konsumpcyjną.Na podstawie mikr...
Na półprzewodnik ogłosił niedawno uruchomienie swojego pierwszego czujnika w czasie rzeczywistym, czasem lotu (ITOF), serii Hyperlux ID, która mo...
Nowe Produkty
Jeszcze
Czujnik fotoelektryczny serii PD30 Miniaturowe czujniki fotoelektryczne Carlo Gavazzi charakteryzuj...
Zestaw do oceny XC112 / XR112 dla koherentnego radaru impulsowego A111Zestaw ewaluacyjny XC112 i XR112 firmy Acconeer z płaskimi elastycznymi kablami...
Serwonapęd i silniki Serii MINAS A6 Rodzina MINAS A6 firmy Panasonic zapewnia stabilną pracę, zmn...
Tablica sterująca UV LED Płytka sterownika LED RayVio dla serii XE i XP1 emitera UV-C Płytka st...
Przemysłowy i rozszerzony test DDR SDRAM Urządzenia DDR SDRAM firmy Insignis gwarantują pracę w ...
E-mail: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966DODAJ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hongkong.
Informacja o prawach autorskich © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Wszelkie prawa zastrzeżone.