| ZXMN2088DE6TA | |
|---|---|
| Part Number | ZXMN2088DE6TA |
| Producent | Diodes Incorporated |
| Opis | MOSFET 2N-CH 20V 1.7A SOT-26 |
| dostępna ilość | 11000 pcs new original in stock. Zamów akcje i oferty |
| Model ECAD | |
| Arkusze danych | 1.ZXMN2088DE6TA.pdf2.ZXMN2088DE6TA.pdf3.ZXMN2088DE6TA.pdf4.ZXMN2088DE6TA.pdf5.ZXMN2088DE6TA.pdf6.ZXMN2088DE6TA.pdf |
| ZXMN2088DE6TA Price |
Poproś o cenę i czas dostawy online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Informacje techniczne o ZXMN2088DE6TA | |||
|---|---|---|---|
| Numer części producenta | ZXMN2088DE6TA | Kategoria | |
| Producent | Diodes Incorporated | Opis | MOSFET 2N-CH 20V 1.7A SOT-26 |
| Pakiet / obudowa | SOT-23-6 | dostępna ilość | 11000 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA | Technologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dostawca urządzeń Pakiet | SOT-23-6 | Seria | - |
| RDS (Max) @ ID, Vgs | 200mOhm @ 1A, 4.5V | Moc - Max | 1.1W |
| Package / Case | SOT-23-6 | Pakiet | Tape & Reel (TR) |
| temperatura robocza | -55°C ~ 150°C (TJ) | Rodzaj mocowania | Surface Mount |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | 279pF @ 10V | Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs | 3.8nC @ 4.5V |
| Cecha FET | Logic Level Gate | Spust do źródła napięcia (Vdss) | 20V |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C | 1.7A | Konfiguracja | 2 N-Channel (Dual) |
| Podstawowy numer produktu | ZXMN2088 | ||
| Pobieranie | ZXMN2088DE6TA PDF - EN.pdf | ||
Model Produktu
ZXMN2088DE6TA
Wprowadzenie
Podwójny układ MOSFET N-Kanałowy
Marka i Producent
Diodes Incorporated
Funkcje
Brama logiczna, wysoki ciągły prąd drenowy, niski Rds On
Wydajność Produktu
Działa w zakresie temperatur od -55°C do 150°C, wysoka moc rozpraszania
Specyfikacja Techniczna
Podwójny MOSFET N-Kanałowy, opakowanie montażowe SOT-23-6, napięcie dren-emiter 20V
Rozmiar, Kształt i Opakowanie
Opakowanie SOT-23-6, pakowanie taśmowe i rolkowe dla łatwego montażu
Jakość i Niezawodność
Bez ołowiu i zgodne z dyrektywą RoHS, testowane w zakresie temperatur przemysłowych
Zalety Produktu
Wysoka wydajność z niską rezystancją w stanie włączonym, odpowiednie dla gęstych układów PCB
Konkurencyjność Produktu
Oferowane przez znanego producenta, zapewnia wydajność i jakość
Kompatybilność
Kompatybilne z źródłami nawozów logicznych, technologia montażu powierzchniowego do szerokiego użytku
Certyfikacja Standardowa i Zgodność
Zgodne z normami środowiskowymi RoHS
Długość Życia i Trwałość
Trwała konstrukcja zapewniająca długoterminową wydajność
Rzeczywiste Pole Zastosowań
Obwody zarządzania energią, konwertery DC-DC, systemy zasilane bateriami, systemy sterowania silnikami
Napisz do nas: Info@Ariat-Tech.com lub RFQ ZXMN2088DE6TA Online.
| ZXMN2088DE6TA Zapasy | ZXMN2088DE6TA Cena | ZXMN2088DE6TA Electronics | |||
| Komponenty ZXMN2088DE6TA | ZXMN2088DE6TA Zapasy | ZXMN2088DE6TA Digikey | |||
| Dostawca ZXMN2088DE6TA | Zamów ZXMN2088DE6TA online | Zapytanie ZXMN2088DE6TA | |||
| Obraz ZXMN2088DE6TA | ZXMN2088DE6TA Zdjęcie | ZXMN2088DE6TA PDF | |||
| Arkusz danych ZXMN2088DE6TA | Pobierz arkusz danych ZXMN2088DE6TA | Producent Diodes Incorporated | |||
| Powiązane części dla ZXMN2088DE6TA | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Obraz | Part Number | Opis | Producent | Uzyskaj wycenę | |
 |
ZXMN10B08E6 | ZXMN10B08E6 ZETEX | ZETEX | ||
 |
ZXMN10A25KTC | MOSFET N-CH 100V 4.2A TO252-3 | Diodes Incorporated | ||
 |
ZXMN10B08E6QTA | MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT26 T&R | Diodes Incorporated | ||
 |
ZXMN2A01FTA | MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3 | Diodes Incorporated | ||
|
ZXMN2A01FTC | MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3 | Diodes Incorporated | ||
|
ZXMN20B28KTC MOS | VBSEMI TO252 | VBSEMI | ||
|
ZXMN10B08E6TC | MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT26 | Diodes Incorporated | ||
|
ZXMN2A01FTA MOS | ZETEX SOT-23 | ZETEX | ||
 |
ZXMN2088DE6TA MOS | DIODES SOT-163 | DIODES | ||
|
ZXMN20B28KTC | MOSFET N-CH 200V 1.5A TO252-3 | Diodes Incorporated | ||
|
ZXMN2069FTA | MOSFET N-CH SOT23-3 | Diodes Incorporated | ||
|
ZXMN10A25KTC MOS | DIODES TO-252 | DIODES | ||
|
ZXMN2401E6TA | ZETEX | |||
|
ZXMN10B08E6TA | MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT26 | Diodes Incorporated | ||
|
ZXMN20B28KTC IC | ZETEX TO-252 | ZETEX | ||
 |
ZXMN2A01E6TA | MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-6 | Diodes Incorporated | ||
|
ZXMN2A01E6TC | MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-6 | Diodes Incorporated | ||
|
ZXMN15A27KTC MOS | ZETEX TO-252 | ZETEX | ||
|
ZXMN15A27KTC | MOSFET N-CH 150V 1.7A TO252-3 | Diodes Incorporated | ||
|
ZXMN15A27K | ZXTN TO-252 | ZXTN | ||
Aktualności
Jeszcze
Polarfire® SOC FPGA firmy Microchip otrzymał certyfikat AEC -Q100, potwierdzając jego niezawodność w trudnych warunkach motoryzacyjnych, w tym dz...
PSOCTM 4000T jest pierwszym produktem Infineon, który zawiera technologię Capsense ™ z piątej generacji firmy i funkcjonalność wieloosobową.Ta ...
Dostawca części motoryzacyjnych ujawnił, że rozwój EV na rynku Ameryki Północnej zatrzymał się, gdy producenci samochodów decydują się na ...
Infineon i Eatron rozszerzają współpracę AI System zarządzania akumulatorami (BMS) o elektronikę przemysłową i konsumpcyjną.Na podstawie mikr...
Na półprzewodnik ogłosił niedawno uruchomienie swojego pierwszego czujnika w czasie rzeczywistym, czasem lotu (ITOF), serii Hyperlux ID, która mo...
Nowe Produkty
Jeszcze
Czujnik fotoelektryczny serii PD30 Miniaturowe czujniki fotoelektryczne Carlo Gavazzi charakteryzuj...
Zestaw do oceny XC112 / XR112 dla koherentnego radaru impulsowego A111Zestaw ewaluacyjny XC112 i XR112 firmy Acconeer z płaskimi elastycznymi kablami...
Serwonapęd i silniki Serii MINAS A6 Rodzina MINAS A6 firmy Panasonic zapewnia stabilną pracę, zmn...
Tablica sterująca UV LED Płytka sterownika LED RayVio dla serii XE i XP1 emitera UV-C Płytka st...
Przemysłowy i rozszerzony test DDR SDRAM Urządzenia DDR SDRAM firmy Insignis gwarantują pracę w ...
E-mail: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966DODAJ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hongkong.
Informacja o prawach autorskich © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Wszelkie prawa zastrzeżone.