| SISA01DN-T1-GE3 | |
|---|---|
| Part Number | SISA01DN-T1-GE3 |
| Producent | Vishay Siliconix |
| Opis | MOSFET P-CH 30V 22.4A/60A PPAK |
| dostępna ilość | 60000 pcs new original in stock. Zamów akcje i oferty |
| Model ECAD | |
| Arkusze danych | 1.SISA01DN-T1-GE3.pdf2.SISA01DN-T1-GE3.pdf3.SISA01DN-T1-GE3.pdf |
| SISA01DN-T1-GE3 Price |
Poproś o cenę i czas dostawy online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Informacje techniczne o SISA01DN-T1-GE3 | |||
|---|---|---|---|
| Numer części producenta | SISA01DN-T1-GE3 | Kategoria | |
| Producent | Electro-Films (EFI) / Vishay | Opis | MOSFET P-CH 30V 22.4A/60A PPAK |
| Pakiet / obudowa | PowerPAK® 1212-8 | dostępna ilość | 60000 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA | Vgs (maks.) | +16V, -20V |
| Technologia | MOSFET (Metal Oxide) | Dostawca urządzeń Pakiet | PowerPAK® 1212-8 |
| Seria | TrenchFET® Gen IV | RDS (Max) @ ID, Vgs | 4.9mOhm @ 15A, 10V |
| Strata mocy (max) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) | Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Pakiet | Tape & Reel (TR) | temperatura robocza | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania | Surface Mount | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | 3490 pF @ 15 V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs | 84 nC @ 10 V | Rodzaj FET | P-Channel |
| Cecha FET | - | Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Spust do źródła napięcia (Vdss) | 30 V | Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C | 22.4A (Ta), 60A (Tc) |
| Podstawowy numer produktu | SISA01 | ||
| Pobieranie | SISA01DN-T1-GE3 PDF - EN.pdf | ||
Model Produktu
SISA01DN-T1-GE3
Wprowadzenie
Tranzystor MOSFET typu P do konwersji mocy i przełączania
Marka i Producent
Electro-Films (EFI) / Vishay
Funkcje
Efektywna konwersja mocy, wysoka szybkość przełączania, niska rezystancja w stanie włączonym, zredukowane straty cieplne
Wydajność Produktu
Wysoki ciągły prąd drenu, działa w szerokim zakresie temperatur, doskonałe parametry termiczne
Specyfikacja Techniczna
Tranzystor MOSFET typu P 30V 60A, opakowanie PowerPAK 1212-8
Rozmiar, Kształt i Opakowanie
Kwadratowe opakowanie PowerPAK 1212-8, wysyłane w taśmie i bębnie (TR) do zautomatyzowanego montażu
Jakość i Niezawodność
Bez ołowiu / Zgodne z dyrektywą RoHS, poziom wrażliwości na wilgoć (MSL) 1
Zalety Produktu
Wysoka zdolność prądowa, niska rezystancja termiczna
Konkurencyjność Produktu
Zaawansowana technologia TrenchFET Gen IV
Kompatybilność
Zgodny z technologią montażu powierzchniowego
Certyfikacja Standardowa i Zgodność
Spełnia lub przewyższa normy branżowe dotyczące produktów bez ołowiu i RoHS
Długość Życia i Trwałość
Solidna konstrukcja zapewniająca długoterminową niezawodność
Rzeczywiste Pole Zastosowań
Zarządzanie energią, przetwornice DC/DC, systemy zarządzania bateriami
Napisz do nas: Info@Ariat-Tech.com lub RFQ SISA01DN-T1-GE3 Online.
| SISA01DN-T1-GE3 Zapasy | SISA01DN-T1-GE3 Cena | SISA01DN-T1-GE3 Electronics | |||
| Komponenty SISA01DN-T1-GE3 | SISA01DN-T1-GE3 Zapasy | SISA01DN-T1-GE3 Digikey | |||
| Dostawca SISA01DN-T1-GE3 | Zamów SISA01DN-T1-GE3 online | Zapytanie SISA01DN-T1-GE3 | |||
| Obraz SISA01DN-T1-GE3 | SISA01DN-T1-GE3 Zdjęcie | SISA01DN-T1-GE3 PDF | |||
| Arkusz danych SISA01DN-T1-GE3 | Pobierz arkusz danych SISA01DN-T1-GE3 | Producent Electro-Films (EFI) / Vishay | |||
| Powiązane części dla SISA01DN-T1-GE3 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Obraz | Part Number | Opis | Producent | Uzyskaj wycenę | |
 |
SISA04DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 40A 1212-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
 |
SIS964L A2 | SIS BGA | SIS | ||
|
SIS965L | SIS | |||
 |
SIS990DN-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SIS964L | SIS BGA | SIS | ||
|
SISA04DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8 | Vishay Siliconix | ||
|
SIS968 | SIS | |||
|
SIS968 B0 AA | SIS BGA | SIS | ||
|
SIS968 BO | SIS | |||
|
SISA10DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 30A 1212-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SIS990DN-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8 | Vishay Siliconix | ||
|
SISA10DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 30A PPAK1212-8 | Vishay Siliconix | ||
|
SIS965 B1 | SIS BGA | SIS | ||
 |
SISA10BDN-T1-GE3 | N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE | Vishay Siliconix | ||
 |
SISA12ADN | VISHAY QFN | VISHAY | ||
|
SIS965 | SIS | |||
|
SISA04DN-T1-GE3 IC | VISHAY QFN | VISHAY | ||
|
SISA10DN-T1 | SISA10DN-T1 VISHAY | VISHAY | ||
|
SISA10DN | SISA10DN vishay | vishay | ||
|
SISA04DN-T1-GE3 MOS | VISHAY QFN | VISHAY | ||
Aktualności
Jeszcze
Polarfire® SOC FPGA firmy Microchip otrzymał certyfikat AEC -Q100, potwierdzając jego niezawodność w trudnych warunkach motoryzacyjnych, w tym dz...
PSOCTM 4000T jest pierwszym produktem Infineon, który zawiera technologię Capsense ™ z piątej generacji firmy i funkcjonalność wieloosobową.Ta ...
Dostawca części motoryzacyjnych ujawnił, że rozwój EV na rynku Ameryki Północnej zatrzymał się, gdy producenci samochodów decydują się na ...
Infineon i Eatron rozszerzają współpracę AI System zarządzania akumulatorami (BMS) o elektronikę przemysłową i konsumpcyjną.Na podstawie mikr...
Na półprzewodnik ogłosił niedawno uruchomienie swojego pierwszego czujnika w czasie rzeczywistym, czasem lotu (ITOF), serii Hyperlux ID, która mo...
Nowe Produkty
Jeszcze
Moduły Bluetooth® Xpress i platforma programistycznaBlue Gecko Xpress BGX13 firmy Silicon Labs to bezprzewodowy moduł Xpress zaprojektowany specjal...
Opcjonalne bezprzewodowe zestawy startowe EFR32 ™ Flex Gecko Sub-GHz i 2,4 GHz Dwupasowe bezprzewod...
Zestaw rozwojowy Wi-Fi do modułu Zentri AMW007-E03 Zestaw rozwojowy AMW007 firmy Silicon Lab pomaga...
Si3404 i Si3406x Układy zasilania z zasilaniem przez Ethernet (PoE) Silicon Labs "Si3404 i Si3406x ...
Rodzina izolatorów cyfrowych Si86xx Cyfrowe izolatory Silicon Labs oferują wsparcie dla wzmocnieni...
E-mail: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966DODAJ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hongkong.
Informacja o prawach autorskich © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Wszelkie prawa zastrzeżone.