| 71V25761S200PFG | |
|---|---|
| Part Number | 71V25761S200PFG |
| Producent | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Opis | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP |
| dostępna ilość | 2522 pcs new original in stock. Zamów akcje i oferty |
| Model ECAD | |
| Arkusze danych | 1.71V25761S200PFG.pdf2.71V25761S200PFG.pdf |
| 71V25761S200PFG Price |
Poproś o cenę i czas dostawy online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Informacje techniczne o 71V25761S200PFG | |||
|---|---|---|---|
| Numer części producenta | 71V25761S200PFG | Kategoria | Układy scalone |
| Producent | IDT (Renesas Electronics Corporation) | Opis | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP |
| Pakiet / obudowa | 100-TQFP (14x14) | dostępna ilość | 2522 pcs |
| Zapisać czas cyklu - słowo, strona | - | Napięcie - Dostawa | 3.135V ~ 3.465V |
| Technologia | SRAM - Synchronous, SDR | Dostawca urządzeń Pakiet | 100-TQFP (14x14) |
| Seria | - | Package / Case | 100-LQFP |
| Pakiet | Bulk | temperatura robocza | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Rodzaj mocowania | Surface Mount | Typ pamięci | Volatile |
| Rozmiar pamięci | 4.5Mbit | Organizacja pamięci | 128K x 36 |
| Interfejs pamięci | Parallel | Format pamięci | SRAM |
| Częstotliwość zegara | 200 MHz | Podstawowy numer produktu | 71V25761 |
| Czas dostępu | 3.1 ns | ||
| Pobieranie | 71V25761S200PFG PDF - EN.pdf | ||
Numer części producenta
71V25761S200PFG
Opis
Wysokowydajna pamięć SRAM synchroniczna o pojemności 4,5 Mbit, z częstotliwością zegara 200 MHz i czasem dostępu 3,1 ns. Zaprojektowana do systemów wbudowanych, sprzętu sieciowego oraz innych zastosowań wymagających szybkiej i niezawodnej pamięci.
Opakowanie produktu
Opakowanie na tacce
100-LQFP (14x14) obudowa do montażu powierzchniowego
Wspiera napięcia robocze od 3,135V do 3,465V
Zakres temperatur roboczych od 0°C do 70°C
Dlaczego warto wybrać ten produkt?
Oferuje wyjątkową wydajność i niezawodność w wymagających zastosowaniach. Optymalizowana pod kątem pamięci o dużej prędkości i niskiej latencji.
Kluczowe cechy
Pojemność pamięci 4,5 Mbit
Organizacja 128K x 36
Równoległy interfejs pamięci
Częstotliwość zegara 200 MHz
Czas dostępu 3,1 ns
Kompatybilność produktu
Kompatybilna z szeroką gamą systemów wbudowanych, sprzętem sieciowym oraz innymi zastosowaniami wymagającymi wydajnej pamięci SRAM synchronicznej.
Kluczowe zalety
Szybki czas dostępu i wysoka częstotliwość zegara dla efektywnego przetwarzania danych
Niezawodna praca w rozszerzonym zakresie temperatur
Obudowa do montażu powierzchniowego ułatwiająca integrację w kompaktowych projektach
Cykl życia produktu
Ten produkt zbliża się do końca cyklu życia. Klienci są proszeni o kontakt z naszym zespołem sprzedaży w celu uzyskania informacji na temat dostępnych modeli alternatywnych lub równoważnych.
Kluczowe obszary zastosowań
Systemy wbudowane
Sprzęt sieciowy
Automatyka przemysłowa
Zastosowania wojskowe i lotnicze
Działaj teraz
Zdobyć wycenę dla tej wysokowydajnej pamięci SRAM synchronicznej na naszej stronie internetowej już dziś. Ograniczona oferta czasowa - nie przegap tej okazji, aby poprawić wydajność swojego systemu.
Napisz do nas: Info@Ariat-Tech.com lub RFQ 71V25761S200PFG Online.
| 71V25761S200PFG Zapasy | 71V25761S200PFG Cena | 71V25761S200PFG Electronics |
| Komponenty 71V25761S200PFG | 71V25761S200PFG Zapasy | 71V25761S200PFG Digikey |
| Dostawca 71V25761S200PFG | Zamów 71V25761S200PFG online | Zapytanie 71V25761S200PFG |
| Obraz 71V25761S200PFG | 71V25761S200PFG Zdjęcie | 71V25761S200PFG PDF |
| Arkusz danych 71V25761S200PFG | Pobierz arkusz danych 71V25761S200PFG | Producent IDT (Renesas Electronics Corporation) |
