| BSC082N10LS G | |
|---|---|
| Part Number | BSC082N10LS G |
| Producent | INFINEON |
| Opis | INFINEON 2008+RoHS |
| dostępna ilość | 5900 pcs new original in stock. Zamów akcje i oferty |
| Model ECAD | |
| Arkusze danych | |
| BSC082N10LS G Price |
Poproś o cenę i czas dostawy online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Informacje techniczne o BSC082N10LS G | |||
|---|---|---|---|
| Numer części producenta | BSC082N10LS G | Kategoria | Układy scalone |
| Producent | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Opis | INFINEON 2008+RoHS |
| Pakiet / obudowa | TDSON-8 | dostępna ilość | 5900 pcs |
| Condtion | New Original Stock | Gwarancja | 100% Perfect Functions |
| Czas oczekiwania | 2-3days after payment. | Zapłata | PayPal / Telegraphic Transfer / Western Union |
| Wysyłka przez | DHL / Fedex / UPS | Port | HongKong |
| Email RFQ |
Model Produktu
BSC082N10LS G
Wprowadzenie
Transistor mocy MOSFET N-kanalowy
Marka i Producent
Infineon Technologies
Funkcje
Tryb wzmacniania N-kanalowy, niskie oporności w stanie włączenia, szybkie przełączanie, wysoka gęstość mocy, zoptymalizowany do prostownika synchronicznego, poprawione zachowanie termiczne, zminimalizowany ładunek bramkowy.
Wydajność Produktu
Wysoka zdolność przenoszenia prądu, niski spadek napięcia pod obciążeniem, szybkie czasy przełączania, odporność na trudne warunki przełączania.
Specyfikacja Techniczna
Vds - Napięcie przebicia dren-źródło: 100V, Rds On - Oporność dren-źródło: 8,2 mΩ, Id - Ciągły prąd drenowy: 100A, Qg - Ładunek bramkowy: 47nC.
Rozmiar, Kształt i Opakowanie
Opakowanie TO-220-3, prosty kształt nóżki, opakowanie hurtowe.
Jakość i Niezawodność
Sprawdzona technologia MOSFET, starannie testowany pod kątem wytrzymałości, zgodny z normami przemysłowymi.
Zalety Produktu
Efektywność energetyczna, redukcja złożoności systemu, oferuje rozwiązania zarządzania termicznego.
Konkurencyjność Produktu
Wysoka wydajność w zadaniach konwersji mocy, konkurencyjny stosunek ceny do wydajności.
Kompatybilność
Kompatybilny ze standardowymi technikami montażu SMD, odpowiedni do projektowania płytek PCB o dużej gęstości.
Certyfikacja Standardowa i Zgodność
Zgodny z dyrektywą RoHS, bez Pb, wolny od halogenów.
Długość Życia i Trwałość
Wydłużony cykl życia produktu, zaprojektowany z myślą o długoterminowej niezawodności.
Rzeczywiste Pole Zastosowań
Zasilacze, konwertery DC-DC, napędy silników, systemy zarządzania akumulatorami, systemy energii odnawialnej.
Napisz do nas: Info@Ariat-Tech.com lub RFQ BSC082N10LS G Online.
| BSC082N10LS G Zapasy | BSC082N10LS G Cena | BSC082N10LS G Electronics | |||
| Komponenty BSC082N10LS G | BSC082N10LS G Zapasy | BSC082N10LS G Digikey | |||
| Dostawca BSC082N10LS G | Zamów BSC082N10LS G online | Zapytanie BSC082N10LS G | |||
| Obraz BSC082N10LS G | BSC082N10LS G Zdjęcie | BSC082N10LS G PDF | |||
| Arkusz danych BSC082N10LS G | Pobierz arkusz danych BSC082N10LS G | Producent Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | |||
| Powiązane części dla BSC082N10LS G | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Obraz | Part Number | Opis | Producent | Uzyskaj wycenę | |
 |
BSC080N03MSGATMA1 | MOSFET N-CH 30V 13A/53A TDSON | Infineon Technologies | ||
 |
BSC082N10NS3G | BSC082N10NS3G INFINEON | INFINEON | ||
|
BSC080P03LS G | BSC080P03LS G Infineon Technologies | Infineon Technologies | ||
 |
BSC082N10LSGATMA1 | MOSFET N-CH 100V 13.8A 8TDSON | Infineon Technologies | ||
|
BSC080N03NS3G | BSC080N03NS3G INFINEON | INFINEON | ||
|
BSC080N12LSGATMA1 | TRENCH >=100V PG-TDSON-8 | Infineon Technologies | ||
|
BSC084P03NS3G | INFINEON TDSON8 | INFINEON | ||
|
BSC080N03S G | BSC080N03S G INFINEON | INFINEON | ||
|
BSC084P03NS3EGATMA1 | MOSFET P-CH 30V 14.9A 8TDSON | Infineon Technologies | ||
|
BSC080P03LS | INFINEON DFN-85X6 | INFINEON | ||
|
BSC084P03NS3GATMA1 | MOSFET P-CH 30V 14.9A 8TDSON | Infineon Technologies | ||
|
BSC082N10LSG | BSC082N10LSG INFINEON | INFINEON | ||
|
BSC080P03LSGAUMA1 | MOSFET P-CH 30V 16A/30A TDSON-8 | Infineon Technologies | ||
|
BSC084P03NS3 | INFINEON | |||
|
BSC084P03NS3 G | BSC084P03NS3 G Infineon Technologies | Infineon Technologies | ||
|
BSC084P03NS3EG | Infineon New | Infineon | ||
 |
BSC084P03NS3E G | BSC084P03NS3E G VB | VB | ||
|
BSC080P03LSG | BSC080P03LSG INFINEO | INFINEO | ||
|
BSC080P03NS3G | BSC080P03NS3G INFINEON | INFINEON | ||
|
BSC082N10LS | INFINEON | |||
Aktualności
Jeszcze
Polarfire® SOC FPGA firmy Microchip otrzymał certyfikat AEC -Q100, potwierdzając jego niezawodność w trudnych warunkach motoryzacyjnych, w tym dz...
PSOCTM 4000T jest pierwszym produktem Infineon, który zawiera technologię Capsense ™ z piątej generacji firmy i funkcjonalność wieloosobową.Ta ...
Dostawca części motoryzacyjnych ujawnił, że rozwój EV na rynku Ameryki Północnej zatrzymał się, gdy producenci samochodów decydują się na ...
Infineon i Eatron rozszerzają współpracę AI System zarządzania akumulatorami (BMS) o elektronikę przemysłową i konsumpcyjną.Na podstawie mikr...
Na półprzewodnik ogłosił niedawno uruchomienie swojego pierwszego czujnika w czasie rzeczywistym, czasem lotu (ITOF), serii Hyperlux ID, która mo...
Nowe Produkty
Jeszcze
Czujnik fotoelektryczny serii PD30 Miniaturowe czujniki fotoelektryczne Carlo Gavazzi charakteryzuj...
Zestaw do oceny XC112 / XR112 dla koherentnego radaru impulsowego A111Zestaw ewaluacyjny XC112 i XR112 firmy Acconeer z płaskimi elastycznymi kablami...
Serwonapęd i silniki Serii MINAS A6 Rodzina MINAS A6 firmy Panasonic zapewnia stabilną pracę, zmn...
Tablica sterująca UV LED Płytka sterownika LED RayVio dla serii XE i XP1 emitera UV-C Płytka st...
Przemysłowy i rozszerzony test DDR SDRAM Urządzenia DDR SDRAM firmy Insignis gwarantują pracę w ...
E-mail: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966DODAJ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hongkong.
Informacja o prawach autorskich © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Wszelkie prawa zastrzeżone.