| IPB80N04S2-H4 | |
|---|---|
| Part Number | IPB80N04S2-H4 |
| Producent | Infineon Technologies |
| Opis | IPB80N04 - 20V-40V N-CHANNEL AUT |
| dostępna ilość | 15000 pcs new original in stock. Zamów akcje i oferty |
| Model ECAD | |
| Arkusze danych | |
| IPB80N04S2-H4 Price |
Poproś o cenę i czas dostawy online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Informacje techniczne o IPB80N04S2-H4 | |||
|---|---|---|---|
| Numer części producenta | IPB80N04S2-H4 | Kategoria | |
| Producent | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Opis | IPB80N04 - 20V-40V N-CHANNEL AUT |
| Pakiet / obudowa | PG-TO263-3-2 | dostępna ilość | 15000 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | Vgs (maks.) | ±20V |
| Technologia | MOSFET (Metal Oxide) | Dostawca urządzeń Pakiet | PG-TO263-3-2 |
| Seria | CoolMOS™ | RDS (Max) @ ID, Vgs | 3.7mOhm @ 80A, 10V |
| Strata mocy (max) | 300W (Tc) | Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Pakiet | Bulk | temperatura robocza | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania | Surface Mount | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | 4400 pF @ 25 V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs | 148 nC @ 10 V | Rodzaj FET | N-Channel |
| Cecha FET | - | Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Spust do źródła napięcia (Vdss) | 40 V | Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
| Pobieranie | IPB80N04S2-H4 PDF - EN.pdf | ||
Model Produktu
IPB80N04S2-H4
Wprowadzenie
Specjalizowany układ scalony zaprojektowany do zastosowań w zarządzaniu energią o wysokiej wydajności.
Marka i Producent
International Rectifier, obecnie część Infineon Technologies
Funkcje
Zaprojektowany dla niskiego oporu w stanie włączonym oraz wysokiej prędkości przełączania. Optymalizowany do prostownictwa synchronicznego w SMPS. Klasyfikacja awaryjna dla wytrzymałości. Niski opór termiczny.
Wydajność Produktu
Wysoka zdolność ciągłego prądu drenowego. Niski ładunek bramki i pojemność. Szybka wydajność przełączania. Zwiększona gęstość mocy.
Specyfikacja Techniczna
Typ: MOSFET. Technologia: PowerTrench. Konfiguracja: Pojedyncza. Napięcie dren-source (Vdss): 40V. Prąd - Ciągły Dren (Id) @ 25°C: 80A. Rds On (Maks) @ Id, Vgs: 2,5 mOhm @ 80A, 10V. Rozpraszanie mocy (Maks): 300W.
Rozmiar, Kształt i Opakowanie
Opakowanie: SOT-263. Bez ołowiu, zgodne z RoHS.
Jakość i Niezawodność
Wysoka niezawodność i stabilność podczas rozległych testów przemysłowych. Zgodność z normami przemysłu motoryzacyjnego.
Zalety Produktu
Zmniejszone straty mocy. Wysoka wydajność i niezawodność. Zwiększona wydajność termiczna.
Konkurencyjność Produktu
Konkurencyjny w zastosowaniach wysokiej mocy. Idealny dla kompaktowych projektów dzięki opakowaniu SOT-263.
Kompatybilność
Kompatybilny z standardową technologią montażu powierzchniowego. Łatwa integracja z istniejącymi projektami bez rozległych przeróbek.
Certyfikacja Standardowa i Zgodność
Zgodność z RoHS. Spełnia standardy JEDEC dla komponentów elektronicznych.
Długość Życia i Trwałość
Zaprojektowany do długotrwałej trwałości. Może wytrzymać intensywne użytkowanie w warunkach przemysłowych.
Rzeczywiste Pole Zastosowań
Wykorzystywany w zasilaczach serwerowych, przetwornikach DC/DC, systemach zarządzania bateriami oraz napędach silników.
Napisz do nas: Info@Ariat-Tech.com lub RFQ IPB80N04S2-H4 Online.
| IPB80N04S2-H4 Zapasy | IPB80N04S2-H4 Cena | IPB80N04S2-H4 Electronics |
| Komponenty IPB80N04S2-H4 | IPB80N04S2-H4 Zapasy | IPB80N04S2-H4 Digikey |
| Dostawca IPB80N04S2-H4 | Zamów IPB80N04S2-H4 online | Zapytanie IPB80N04S2-H4 |
| Obraz IPB80N04S2-H4 | IPB80N04S2-H4 Zdjęcie | IPB80N04S2-H4 PDF |
| Arkusz danych IPB80N04S2-H4 | Pobierz arkusz danych IPB80N04S2-H4 | Producent Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
