| IRF9310PBF | |
|---|---|
| Part Number | IRF9310PBF |
| Producent | Infineon Technologies |
| Opis | MOSFET P-CH 30V 20A 8SO |
| dostępna ilość | 8018 pcs new original in stock. Zamów akcje i oferty |
| Model ECAD | |
| Arkusze danych | 1.IRF9310PBF.pdf2.IRF9310PBF.pdf3.IRF9310PBF.pdf4.IRF9310PBF.pdf5.IRF9310PBF.pdf |
| IRF9310PBF Price |
Poproś o cenę i czas dostawy online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Informacje techniczne o IRF9310PBF | |||
|---|---|---|---|
| Numer części producenta | IRF9310PBF | Kategoria | |
| Producent | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Opis | MOSFET P-CH 30V 20A 8SO |
| Pakiet / obudowa | 8-SO | dostępna ilość | 8018 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 100µA | Vgs (maks.) | ±20V |
| Technologia | MOSFET (Metal Oxide) | Dostawca urządzeń Pakiet | 8-SO |
| Seria | HEXFET® | RDS (Max) @ ID, Vgs | 4.6mOhm @ 20A, 10V |
| Strata mocy (max) | 2.5W (Ta) | Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pakiet | Tube | temperatura robocza | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania | Surface Mount | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | 5250 pF @ 15 V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs | 165 nC @ 10 V | Rodzaj FET | P-Channel |
| Cecha FET | - | Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Spust do źródła napięcia (Vdss) | 30 V | Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) |
| Pobieranie | IRF9310PBF PDF - EN.pdf | ||
Model Produktu
IRF9310PBF
Wprowadzenie
P-Channel HEXFET MOSFET mocy
Marka i Producent
International Rectifier (Infineon Technologies)
Funkcje
Technologia HEXFET o wysokiej wydajności, skuteczny MOSFET P-Channel, obudowa SO-8 do montażu powierzchniowego zapewniająca kompaktowy design
Wydajność Produktu
Wysoki ciągły prąd drenowy wynoszący 20A przy 25°C, niski opór włączania wynoszący 4,6 mΩ przy 20A i 10V, działa w zakresie temperatur od -55°C do 150°C
Specyfikacja Techniczna
Technologia MOSFET z tlenku metalu, napięcie dren-źródło (Vdss) oceniane na 30V, ładunek bramki (Qg) wynoszący 165nC przy 10V, próg napięcia bramka-źródło (Vgs(th)) wynoszący 2,4V przy 100µA
Rozmiar, Kształt i Opakowanie
Obudowa 8-SOIC o szerokości 3,90mm, dostarczana w opakowaniu rurkowym
Jakość i Niezawodność
Solidna wydajność termiczna i elektryczna, standardowa obudowa SO-8 do montażu powierzchniowego w branży
Zalety Produktu
Wysoka zdolność prądowa do wymagających zastosowań, efektywne zużycie energii, idealny do aplikacji wymagających szybkiego przełączania
Konkurencyjność Produktu
Konkurencyjny wśród MOSFETów P-Channel w swojej klasie
Kompatybilność
Zgodny z procedurami technologii montażu powierzchniowego, łatwo integrowany w różnych projektach obwodów
Certyfikacja Standardowa i Zgodność
Produkcja przez producenta certyfikowanego ISO
Długość Życia i Trwałość
Długa żywotność operacyjna w określonych warunkach, zaprojektowany dla niezawodnej i trwałej wydajności
Rzeczywiste Pole Zastosowań
Zasilacze impulsowe (SMPS), systemy zarządzania energią, przetworniki DC-DC, aplikacje przełączania obciążenia
Napisz do nas: Info@Ariat-Tech.com lub RFQ IRF9310PBF Online.
| IRF9310PBF Zapasy | IRF9310PBF Cena | IRF9310PBF Electronics | |||
| Komponenty IRF9310PBF | IRF9310PBF Zapasy | IRF9310PBF Digikey | |||
| Dostawca IRF9310PBF | Zamów IRF9310PBF online | Zapytanie IRF9310PBF | |||
| Obraz IRF9310PBF | IRF9310PBF Zdjęcie | IRF9310PBF PDF | |||
| Arkusz danych IRF9310PBF | Pobierz arkusz danych IRF9310PBF | Producent Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | |||
| Powiązane części dla IRF9310PBF | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Obraz | Part Number | Opis | Producent | Uzyskaj wycenę | |
 |
IRF9317TRPBF MOS | IR SOP-8 | IR | ||
|
IRF9242 | IRF9242 IR/VISHAY | IR/VISHAY | ||
 |
IRF9310TRPBF | MOSFET P-CH 30V 20A 8SO | Infineon Technologies | ||
 |
IRF9310 | INFINEON 2021+RoHS | INFINEON | ||
|
IRF9310TRPBF MOS | VBSEMI SOP-8 | VBSEMI | ||
|
IRF9240 | HEXFET POWER MOSFET | International Rectifier | ||
|
IRF9214PBF | IR | |||
|
IRF9310TRPBF MOSFETIGBTIC | IR SOP8 | IR | ||
|
IRF9230 | 200V, P-CHANNEL REPETITIVE AVALA | International Rectifier | ||
|
IRF9241 | IRF9241 IR/VISHAY | IR/VISHAY | ||
|
IRF9317TR | IR | |||
|
IRF9310TPRBF | IRF9310TPRBF VB | VB | ||
|
IRF9317TRPBF | MOSFET P-CH 30V 16A 8SO | Infineon Technologies | ||
|
IRF9317PBF | MOSFET P-CH 30V 16A 8SO | Infineon Technologies | ||
|
IRF9234 | IR TO-220 | IR | ||
|
IRF9231 | 6.5A, 150V, 0.8OHM, P-CHANNEL PO | International Rectifier | ||
|
IRF9233 | MOSFET P-CH 150V 5.5A TO204AE | International Rectifier | ||
|
IRF9317 | IR | |||
|
IRF9321 | IRF9321 IR | IR | ||
|
IRF9243 | IRF9243 IR/VISHAY | IR/VISHAY | ||
Aktualności
Jeszcze
Polarfire® SOC FPGA firmy Microchip otrzymał certyfikat AEC -Q100, potwierdzając jego niezawodność w trudnych warunkach motoryzacyjnych, w tym dz...
PSOCTM 4000T jest pierwszym produktem Infineon, który zawiera technologię Capsense ™ z piątej generacji firmy i funkcjonalność wieloosobową.Ta ...
Dostawca części motoryzacyjnych ujawnił, że rozwój EV na rynku Ameryki Północnej zatrzymał się, gdy producenci samochodów decydują się na ...
Infineon i Eatron rozszerzają współpracę AI System zarządzania akumulatorami (BMS) o elektronikę przemysłową i konsumpcyjną.Na podstawie mikr...
Na półprzewodnik ogłosił niedawno uruchomienie swojego pierwszego czujnika w czasie rzeczywistym, czasem lotu (ITOF), serii Hyperlux ID, która mo...
Nowe Produkty
Jeszcze
Czujnik fotoelektryczny serii PD30 Miniaturowe czujniki fotoelektryczne Carlo Gavazzi charakteryzuj...
Zestaw do oceny XC112 / XR112 dla koherentnego radaru impulsowego A111Zestaw ewaluacyjny XC112 i XR112 firmy Acconeer z płaskimi elastycznymi kablami...
Serwonapęd i silniki Serii MINAS A6 Rodzina MINAS A6 firmy Panasonic zapewnia stabilną pracę, zmn...
Tablica sterująca UV LED Płytka sterownika LED RayVio dla serii XE i XP1 emitera UV-C Płytka st...
Przemysłowy i rozszerzony test DDR SDRAM Urządzenia DDR SDRAM firmy Insignis gwarantują pracę w ...
E-mail: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966DODAJ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hongkong.
Informacja o prawach autorskich © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Wszelkie prawa zastrzeżone.