| IRLR2908PBF | |
|---|---|
| Part Number | IRLR2908PBF |
| Producent | International Rectifier |
| Opis | HEXFET POWER MOSFET |
| dostępna ilość | 2831 pcs new original in stock. Zamów akcje i oferty |
| Model ECAD | |
| Arkusze danych | |
| IRLR2908PBF Price |
Poproś o cenę i czas dostawy online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Informacje techniczne o IRLR2908PBF | |||
|---|---|---|---|
| Numer części producenta | IRLR2908PBF | Kategoria | |
| Producent | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Opis | HEXFET POWER MOSFET |
| Pakiet / obudowa | D-PAK | dostępna ilość | 2831 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | Vgs (maks.) | ±16V |
| Technologia | MOSFET (Metal Oxide) | Dostawca urządzeń Pakiet | D-Pak |
| Seria | HEXFET® | RDS (Max) @ ID, Vgs | 28mOhm @ 23A, 10V |
| Strata mocy (max) | 120W (Tc) | Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Pakiet | Bulk | temperatura robocza | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania | Surface Mount | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | 1890 pF @ 25 V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs | 33 nC @ 4.5 V | Rodzaj FET | N-Channel |
| Cecha FET | - | Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Spust do źródła napięcia (Vdss) | 80 V | Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
| Pobieranie | IRLR2908PBF PDF - EN.pdf | ||
Model Produktu
IRLR2908PBF
Wprowadzenie
MOSFET N-kanałowy do zarządzania energią o wysokiej wydajności
Marka i Producent
International Rectifier, obecnie część Infineon Technologies
Funkcje
MOSFET N-kanałowy, niskie Rds (on) dla wyższej wydajności, wysoka pojemność ciągłego prądu drenażowego
Wydajność Produktu
Może obsługiwać ciągły prąd drenażowy do 30A, wspiera napięcie drenu do źródła do 80V, działa skutecznie w zakresie temperatur od -55°C do 175°C
Specyfikacja Techniczna
Typ FET: N-kanałowy, Napięcie drenu do źródła (Vdss): 80V, Prąd - ciągły drenaż (Id) przy 25°C: 30A, Rds On (Max) przy Id, Vgs: 28 mOhm przy 23A, 10V, Ładowanie bramki (Qg) (Max) przy Vgs: 33nC przy 4.5V
Rozmiar, Kształt i Opakowanie
Opakowanie / obudowa: TO-252-3, DPAK, Opakowanie: Rura
Jakość i Niezawodność
Zbudowany zgodnie z wysokimi standardami przemysłowymi dla długowieczności i niezawodności
Zalety Produktu
Wysoka wydajność przy niskim oporze włączonym, doskonała wydajność termiczna
Konkurencyjność Produktu
Konkurencyjny w zastosowaniach zarządzania energią
Kompatybilność
Kompatybilny z standardowymi procesami montażu powierzchniowego
Certyfikacja Standardowa i Zgodność
Spełnia normy certyfikacyjne branży dla komponentów elektronicznych
Długość Życia i Trwałość
Zaprojektowany z myślą o długoterminowej niezawodności w różnych warunkach środowiskowych
Rzeczywiste Pole Zastosowań
Zasilacze, sterowanie silnikami, systemy obliczeniowe i przechowywania danych, systemy zarządzania energią, zastosowania motoryzacyjne
Napisz do nas: Info@Ariat-Tech.com lub RFQ IRLR2908PBF Online.
| IRLR2908PBF Zapasy | IRLR2908PBF Cena | IRLR2908PBF Electronics | |||
| Komponenty IRLR2908PBF | IRLR2908PBF Zapasy | IRLR2908PBF Digikey | |||
| Dostawca IRLR2908PBF | Zamów IRLR2908PBF online | Zapytanie IRLR2908PBF | |||
| Obraz IRLR2908PBF | IRLR2908PBF Zdjęcie | IRLR2908PBF PDF | |||
| Arkusz danych IRLR2908PBF | Pobierz arkusz danych IRLR2908PBF | Producent Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | |||
| Powiązane części dla IRLR2908PBF | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Obraz | Part Number | Opis | Producent | Uzyskaj wycenę | |
 |
IRLR2905Z IRLR2905 | IRLR2905Z IRLR2905 IR | IR | ||
|
IRLR2905ZTRPBF MOSFETIGBTIC | IR TO-252 | IR | ||
 |
IRLR2905ZTRPBF | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK | Infineon Technologies | ||
|
IRLR2908TRPBF MOSFETIGBTIC | IR TO-252 | IR | ||
 |
IRLR2905ZTRLPBF | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK | International Rectifier | ||
|
IRLR2950TR | IR | |||
|
IRLR3103 MOS | IR TO-252 | IR | ||
|
IRLR2908TRPBF. | IRLR2908TRPBF. IR | IR | ||
|
IRLR2908 | IRLR2908 IR/VISHAY | IR/VISHAY | ||
|
IRLR2908TRLPBF | IRLR2908 - HEXFET POWER MOSFET | International Rectifier | ||
|
IRLR2905Z IRLR2905 MOS | IR TO-252 | IR | ||
|
IRLR2905ZPBF | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK | Infineon Technologies | ||
|
IRLR2905Z | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK | Infineon Technologies | ||
|
IRLR3103 | MOSFET N-CH 30V 55A DPAK | Infineon Technologies | ||
|
IRLR2905ZTRPBF. | IRLR2905ZTRPBF. IR | IR | ||
|
IRLR2908TRPBF | MOSFET N-CH 80V 30A DPAK | Infineon Technologies | ||
|
IRLR2908TRLPBF-INF | IRLR2908 - HEXFET POWER MOSFET | Infineon Technologies | ||
|
IRLR3103TR | MOSFET N-CH 30V 55A DPAK | Infineon Technologies | ||
|
IRLR3103PBF | MOSFET N-CH 30V 55A DPAK | Infineon Technologies | ||
|
IRLR2905Z IC | IR TO-252 | IR | ||
Aktualności
Jeszcze
Polarfire® SOC FPGA firmy Microchip otrzymał certyfikat AEC -Q100, potwierdzając jego niezawodność w trudnych warunkach motoryzacyjnych, w tym dz...
PSOCTM 4000T jest pierwszym produktem Infineon, który zawiera technologię Capsense ™ z piątej generacji firmy i funkcjonalność wieloosobową.Ta ...
Dostawca części motoryzacyjnych ujawnił, że rozwój EV na rynku Ameryki Północnej zatrzymał się, gdy producenci samochodów decydują się na ...
Infineon i Eatron rozszerzają współpracę AI System zarządzania akumulatorami (BMS) o elektronikę przemysłową i konsumpcyjną.Na podstawie mikr...
Na półprzewodnik ogłosił niedawno uruchomienie swojego pierwszego czujnika w czasie rzeczywistym, czasem lotu (ITOF), serii Hyperlux ID, która mo...
Nowe Produkty
Jeszcze
Czujnik fotoelektryczny serii PD30 Miniaturowe czujniki fotoelektryczne Carlo Gavazzi charakteryzuj...
Zestaw do oceny XC112 / XR112 dla koherentnego radaru impulsowego A111Zestaw ewaluacyjny XC112 i XR112 firmy Acconeer z płaskimi elastycznymi kablami...
Serwonapęd i silniki Serii MINAS A6 Rodzina MINAS A6 firmy Panasonic zapewnia stabilną pracę, zmn...
Tablica sterująca UV LED Płytka sterownika LED RayVio dla serii XE i XP1 emitera UV-C Płytka st...
Przemysłowy i rozszerzony test DDR SDRAM Urządzenia DDR SDRAM firmy Insignis gwarantują pracę w ...
E-mail: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966DODAJ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hongkong.
Informacja o prawach autorskich © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Wszelkie prawa zastrzeżone.