| IXFH12N120P | |
|---|---|
| Part Number | IXFH12N120P |
| Producent | IXYS |
| Opis | MOSFET N-CH 1200V 12A TO247AD |
| dostępna ilość | 3080 pcs new original in stock. Zamów akcje i oferty |
| Model ECAD | |
| Arkusze danych | IXFH12N120P.pdf |
| IXFH12N120P Price |
Poproś o cenę i czas dostawy online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Informacje techniczne o IXFH12N120P | |||
|---|---|---|---|
| Numer części producenta | IXFH12N120P | Kategoria | |
| Producent | IXYS / Littelfuse | Opis | MOSFET N-CH 1200V 12A TO247AD |
| Pakiet / obudowa | TO-247AD (IXFH) | dostępna ilość | 3080 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 6.5V @ 1mA | Vgs (maks.) | ±30V |
| Technologia | MOSFET (Metal Oxide) | Dostawca urządzeń Pakiet | TO-247AD (IXFH) |
| Seria | HiPerFET™, Polar | RDS (Max) @ ID, Vgs | 1.35Ohm @ 500mA, 10V |
| Strata mocy (max) | 543W (Tc) | Package / Case | TO-247-3 |
| Pakiet | Tube | temperatura robocza | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania | Through Hole | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | 5400 pF @ 25 V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs | 103 nC @ 10 V | Rodzaj FET | N-Channel |
| Cecha FET | - | Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Spust do źródła napięcia (Vdss) | 1200 V | Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
| Podstawowy numer produktu | IXFH12 | ||
| Pobieranie | IXFH12N120P PDF - EN.pdf | ||
Model Produktu
IXFH12N120P
Wprowadzenie
Wysokonapięciowy tranzystor MOSFET
Marka i Producent
IXYS Corporation
Funkcje
Tranzystor MOSFET N-channel, wysoka wydajność mocy, wysoka odporność na napięcie, niski opór w stanie włączonym
Wydajność Produktu
Efektywne zarządzanie energią, solidne zarządzanie termiczne, szybkie możliwości przełączania, rozszerzony zakres temperatur pracy
Specyfikacja Techniczna
Technologia metalowo-tlenkowa, maksymalne napięcie od drenu do źródła (Vdss) wynosi 1200V, ciągły prąd drenowy (Id) wynoszący 12A przy 25°C, opór w stanie włączonym (Rds) wynoszący 1.35 Ohm przy 500mA, 10V, napięcie progowe bramki (Vgs(th)) wynoszące 6.5V przy 1mA, ładunek bramki (Qg) wynoszący 103nC przy 10V, pojemność wejściowa (Ciss) wynosząca 5400pF przy 25V
Rozmiar, Kształt i Opakowanie
Typ montażu: przez otwór, opakowanie TO-247-3, pakiet dostawcy TO-247AD, opakowanie w tubie
Jakość i Niezawodność
Wysoka niezawodność w ekstremalnych warunkach
Zalety Produktu
Niskie straty na przewodzeniu, wysokie napięcie przebicia
Konkurencyjność Produktu
Konkurencyjne rozwiązanie w zakresie wysokiego napięcia
Kompatybilność
Kompatybilność z szeroką gamą zastosowań wysokiego napięcia
Certyfikacja Standardowa i Zgodność
Brak ołowiu / Zgodność z dyrektywą RoHS
Długość Życia i Trwałość
Trwałość w warunkach wysokiego stresu i zmiennych temperatur
Rzeczywiste Pole Zastosowań
Systemy zasilania, sterowniki silników, inwertery, zasilacze impulsowe
Napisz do nas: Info@Ariat-Tech.com lub RFQ IXFH12N120P Online.
| IXFH12N120P Zapasy | IXFH12N120P Cena | IXFH12N120P Electronics | |||
| Komponenty IXFH12N120P | IXFH12N120P Zapasy | IXFH12N120P Digikey | |||
| Dostawca IXFH12N120P | Zamów IXFH12N120P online | Zapytanie IXFH12N120P | |||
| Obraz IXFH12N120P | IXFH12N120P Zdjęcie | IXFH12N120P PDF | |||
| Arkusz danych IXFH12N120P | Pobierz arkusz danych IXFH12N120P | Producent IXYS / Littelfuse | |||
| Powiązane części dla IXFH12N120P | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Obraz | Part Number | Opis | Producent | Uzyskaj wycenę | |
 |
IXFH12N90P IC | IXYS TO-247 | IXYS | ||
 |
IXFH12N80P | MOSFET N-CH 800V 12A TO247AD | IXYS | ||
|
IXFH12N90 MOSFETIGBTIC | IXYS TO247-3 | IXYS | ||
 |
IXFH120N30X3 | MOSFET N-CH 300V 120A TO247 | IXYS | ||
|
IXFH12N50F | MOSFET N-CH 500V 12A TO247 | IXYS RF | ||
|
IXFH120N25T | MOSFET N-CH 250V 120A TO247AD | IXYS | ||
|
IXFH12N100Q | MOSFET N-CH 1000V 12A TO247AD | IXYS | ||
|
IXFH12N90 | MOSFET N-CH 900V 12A TO247AD | IXYS | ||
|
IXFH12N50F | MOSFET N-CH 500V 12A TO247 | IXYS | ||
|
IXFH12N100F | MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247AD | IXYS RF | ||
|
IXFH120N20P | MOSFET N-CH 200V 120A TO247AD | IXYS | ||
|
IXFH12N120 | MOSFET N-CH 1200V 12A TO247AD | IXYS | ||
|
IXFH130N15X3 | MOSFET N-CH 150V 130A TO247 | IXYS | ||
|
IXFH12N90P | MOSFET N-CH 900V 12A TO247AD | IXYS | ||
|
IXFH12N90 IC | IXYS TO-247 | IXYS | ||
|
IXFH12N100P | MOSFET N-CH 1000V 12A TO247AD | IXYS | ||
|
IXFH12N50 | IXFH12N50 IXYS | IXYS | ||
|
IXFH12N100 | MOSFET N-CH 1000V 12A TO247AD | IXYS | ||
 |
IXFH120N25X3 | MOSFET N-CH 250V 120A TO247 | IXYS | ||
|
IXFH12N100F | MOSFET N-CH 1000V 12A TO247AD | IXYS | ||
Aktualności
Jeszcze
Polarfire® SOC FPGA firmy Microchip otrzymał certyfikat AEC -Q100, potwierdzając jego niezawodność w trudnych warunkach motoryzacyjnych, w tym dz...
PSOCTM 4000T jest pierwszym produktem Infineon, który zawiera technologię Capsense ™ z piątej generacji firmy i funkcjonalność wieloosobową.Ta ...
Dostawca części motoryzacyjnych ujawnił, że rozwój EV na rynku Ameryki Północnej zatrzymał się, gdy producenci samochodów decydują się na ...
Infineon i Eatron rozszerzają współpracę AI System zarządzania akumulatorami (BMS) o elektronikę przemysłową i konsumpcyjną.Na podstawie mikr...
Na półprzewodnik ogłosił niedawno uruchomienie swojego pierwszego czujnika w czasie rzeczywistym, czasem lotu (ITOF), serii Hyperlux ID, która mo...
Nowe Produkty
Jeszcze
Czujnik fotoelektryczny serii PD30 Miniaturowe czujniki fotoelektryczne Carlo Gavazzi charakteryzuj...
Zestaw do oceny XC112 / XR112 dla koherentnego radaru impulsowego A111Zestaw ewaluacyjny XC112 i XR112 firmy Acconeer z płaskimi elastycznymi kablami...
Serwonapęd i silniki Serii MINAS A6 Rodzina MINAS A6 firmy Panasonic zapewnia stabilną pracę, zmn...
Tablica sterująca UV LED Płytka sterownika LED RayVio dla serii XE i XP1 emitera UV-C Płytka st...
Przemysłowy i rozszerzony test DDR SDRAM Urządzenia DDR SDRAM firmy Insignis gwarantują pracę w ...
E-mail: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966DODAJ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hongkong.
Informacja o prawach autorskich © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Wszelkie prawa zastrzeżone.