| APT30F50B | |
|---|---|
| Part Number | APT30F50B |
| Producent | Microchip Technology |
| Opis | MOSFET N-CH 500V 30A TO247 |
| dostępna ilość | 3037 pcs new original in stock. Zamów akcje i oferty |
| Model ECAD | |
| Arkusze danych | 1.APT30F50B.pdf2.APT30F50B.pdf3.APT30F50B.pdf4.APT30F50B.pdf5.APT30F50B.pdf6.APT30F50B.pdf |
| APT30F50B Price |
Poproś o cenę i czas dostawy online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Informacje techniczne o APT30F50B | |||
|---|---|---|---|
| Numer części producenta | APT30F50B | Kategoria | |
| Producent | Microsemi | Opis | MOSFET N-CH 500V 30A TO247 |
| Pakiet / obudowa | TO-247 [B] | dostępna ilość | 3037 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA | Vgs (maks.) | ±30V |
| Technologia | MOSFET (Metal Oxide) | Dostawca urządzeń Pakiet | TO-247 [B] |
| Seria | POWER MOS 8™ | RDS (Max) @ ID, Vgs | 190mOhm @ 14A, 10V |
| Strata mocy (max) | 415W (Tc) | Package / Case | TO-247-3 |
| Pakiet | Tube | temperatura robocza | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania | Through Hole | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | 4525 pF @ 25 V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs | 115 nC @ 10 V | Rodzaj FET | N-Channel |
| Cecha FET | - | Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Spust do źródła napięcia (Vdss) | 500 V | Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
| Podstawowy numer produktu | APT30F50 | ||
| Pobieranie | APT30F50B PDF - EN.pdf | ||
Model Produktu
APT30F50B
Wprowadzenie
Wysoka moc tranzystora MOSFET N-Kanałowego
Marka i Producent
Microsemi
Funkcje
Technologia półprzewodników tlenkowych
Konfiguracja N-Kanałowa
Wysoka zdolność do rozpraszania mocy
Wydajność Produktu
Tolerancja napięcia do 500V
Ciągły prąd drenu do 30A przy 25°C
Niskie Rds On dla efektywnej kondukcji
Solidna wydajność termiczna
Specyfikacja Techniczna
Typ FET: MOSFET N-Kanałowy
Napięcie drenu do źródła (Vdss): 500V
Rds On (maks): 190 mOhm
Ładowanie bramki (Qg): 115nC
Pojemność wejściowa (Ciss): 4525pF
Rozmiar, Kształt i Opakowanie
Opakowanie TO-247-3
Montaż przez otwór
Dostarczane w opakowaniu rurkowym
Jakość i Niezawodność
Bez ołowiu i zgodne z RoHS
Szeroki zakres temperatury pracy -55°C do 150°C
Zalety Produktu
Odpowiednie do aplikacji wysokiego napięcia
Efektywne zarządzanie mocą
Konkurencyjność Produktu
Doskonale parametry elektryczne
Niezawodne w trudnych warunkach
Kompatybilność
Szeroka kompatybilność z obwodami sterującymi
Standardowe napięcie sterujące
Certyfikacja Standardowa i Zgodność
Zgodne z RoHS
Długość Życia i Trwałość
Trwała konstrukcja zapewniająca długą żywotność operacyjną
Rzeczywiste Pole Zastosowań
Zasilacze
Sterowanie silnikami
Obwody elektroniczne dużej mocy
Napisz do nas: Info@Ariat-Tech.com lub RFQ APT30F50B Online.
| APT30F50B Zapasy | APT30F50B Cena | APT30F50B Electronics | |||
| Komponenty APT30F50B | APT30F50B Zapasy | APT30F50B Digikey | |||
| Dostawca APT30F50B | Zamów APT30F50B online | Zapytanie APT30F50B | |||
| Obraz APT30F50B | APT30F50B Zdjęcie | APT30F50B PDF | |||
| Arkusz danych APT30F50B | Pobierz arkusz danych APT30F50B | Producent Microsemi | |||
| Powiązane części dla APT30F50B | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Obraz | Part Number | Opis | Producent | Uzyskaj wycenę | |
 |
APT30DQ60K | APT30DQ60K APT | APT | ||
 |
APT30GN60BG | IGBT 600V 63A 203W TO247 | Microchip Technology | ||
|
APT30DS60B | APT30DS60B PHILIPS | PHILIPS | ||
|
APT30GN60BDQ2G | IGBT 600V 63A 203W TO247 | Microchip Technology | ||
|
APT30GN60BDQ2 | APT30GN60BDQ2 APT | APT | ||
|
APT30DQ60BCTG | DIODE ARRAY GP 600V 30A TO247 | Microchip Technology | ||
 |
APT30F60J | MOSFET N-CH 600V 31A ISOTOP | Microchip Technology | ||
|
APT30DS30B | APT30DS30B APT | APT | ||
|
APT30DQ60BHBG | DIODE ARRAY GP 600V 30A TO247 | Microchip Technology | ||
|
APT30DQ60BCT | IGBT Modules | APT | ||
|
APT30GF60BN | APT New | APT | ||
|
APT30DS20HJ | BRIDGE RECT 1P 200V 45A SOT227 | Microsemi Corporation | ||
 |
APT30GF60JU2 | IGBT MODULE 600V 58A 192W SOT227 | Microchip Technology | ||
 |
APT30DQ60BG | DIODE GP 600V 30A TO247 | Microchip Technology | ||
|
APT30DS60BG | DIODE ARRAY GP 600V 20A TO247 | Microchip Technology | ||
|
APT30GL100BN | APT New | APT | ||
 |
APT30F50S | MOSFET N-CH 500V 30A D3PAK | Microchip Technology | ||
|
APT30GF60JU3 | IGBT MODULE 600V 58A 192W ISOTOP | Microchip Technology | ||
|
APT30GN60B | IGBT Modules | APT | ||
 |
APT30DQ60KG | DIODE GP 600V 30A TO220 | Microchip Technology | ||
Aktualności
Jeszcze
Polarfire® SOC FPGA firmy Microchip otrzymał certyfikat AEC -Q100, potwierdzając jego niezawodność w trudnych warunkach motoryzacyjnych, w tym dz...
PSOCTM 4000T jest pierwszym produktem Infineon, który zawiera technologię Capsense ™ z piątej generacji firmy i funkcjonalność wieloosobową.Ta ...
Dostawca części motoryzacyjnych ujawnił, że rozwój EV na rynku Ameryki Północnej zatrzymał się, gdy producenci samochodów decydują się na ...
Infineon i Eatron rozszerzają współpracę AI System zarządzania akumulatorami (BMS) o elektronikę przemysłową i konsumpcyjną.Na podstawie mikr...
Na półprzewodnik ogłosił niedawno uruchomienie swojego pierwszego czujnika w czasie rzeczywistym, czasem lotu (ITOF), serii Hyperlux ID, która mo...
Nowe Produkty
Jeszcze
Czujnik fotoelektryczny serii PD30 Miniaturowe czujniki fotoelektryczne Carlo Gavazzi charakteryzuj...
Zestaw do oceny XC112 / XR112 dla koherentnego radaru impulsowego A111Zestaw ewaluacyjny XC112 i XR112 firmy Acconeer z płaskimi elastycznymi kablami...
Serwonapęd i silniki Serii MINAS A6 Rodzina MINAS A6 firmy Panasonic zapewnia stabilną pracę, zmn...
Tablica sterująca UV LED Płytka sterownika LED RayVio dla serii XE i XP1 emitera UV-C Płytka st...
Przemysłowy i rozszerzony test DDR SDRAM Urządzenia DDR SDRAM firmy Insignis gwarantują pracę w ...
E-mail: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966DODAJ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hongkong.
Informacja o prawach autorskich © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Wszelkie prawa zastrzeżone.