SSM3J168F,LF | |
---|---|
Part Number | SSM3J168F,LF |
Producent | Toshiba Semiconductor and Storage |
Opis | MOSFET P-CH 60V 400MA S-MINI |
dostępna ilość | 2519 pcs new original in stock. Zamów akcje i oferty |
Model ECAD | |
Arkusze danych | SSM3J168F,LF.pdf |
SSM3J168F,LF Price |
Poproś o cenę i czas dostawy online or Email us: Info@ariat-tech.com |
Informacje techniczne o SSM3J168F,LF | |||
---|---|---|---|
Numer części producenta | SSM3J168F,LF | Kategoria | |
Producent | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) | Opis | MOSFET P-CH 60V 400MA S-MINI |
Pakiet / obudowa | SOT-23-3 | dostępna ilość | 2519 pcs |
VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA | Vgs (maks.) | +20V, -16V |
Technologia | MOSFET (Metal Oxide) | Dostawca urządzeń Pakiet | SOT-23-3 |
Seria | U-MOSVI | RDS (Max) @ ID, Vgs | 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V |
Strata mocy (max) | 1.2W (Ta) | Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pakiet | Tape & Reel (TR) | temperatura robocza | 150°C |
Rodzaj mocowania | Surface Mount | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | 82 pF @ 10 V |
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs | 3 nC @ 10 V | Rodzaj FET | P-Channel |
Cecha FET | - | Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
Spust do źródła napięcia (Vdss) | 60 V | Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C | 400mA (Ta) |
Podstawowy numer produktu | SSM3J168 | ||
Pobieranie | SSM3J168F,LF PDF - EN.pdf |
SSM3J168F,LF
P-MOSFET zaprojektowany do zarządzania mocą i przełączania
Toshiba Semiconductor and Storage
P-MOSFET, 60V, 400mA, niska rezystancja włączona, wysoka prędkość przełączania, niskie napięcie sterujące
Dopuszczalna moc strat 1,2W, wysoka niezawodność podczas szybkiego przełączania, niskie ładunek bramki dla efektywnej pracy
Napięcie dren-źródło (Vds) 60V, prąd drenowy (Id) 400mA, statyczna rezystancja dren-źródło (Rds(on)) 1,9 Ohm przy 100mA, 4,5V, ładunek bramki (Qg) 82pF przy 10V, całkowity ładunek bramki (Qg) 3nC, napięcie progowe bramka-źródło (Vgs(th)) 2V przy 1mA, maksymalne napięcie bramka-źródło do przodu (Vgs) 20V, maksymalne napięcie bramka-źródło wstecz (Vgs) -16V
Opakowanie TO-236-3, SC-59, SOT-23-3; dostarczane w systemie Tape & Reel (TR) do automatycznego montażu; poziom wrażliwości na wilgoć (MSL) 1
Bezwłodny i zgodny z RoHS; wysoka odporność na wilgoć
Zwiększona wydajność termiczna przy niewielkich rozmiarach; odpowiedni do aplikacji z niskim napięciem
Wysokie możliwości przełączania; energooszczędna operacja
Kompatybilny z technologią montażu powierzchniowego (SMT)
Bezwłodny / Zgodny z RoHS
Zaprojektowany z myślą o długoterminowej niezawodności; materiały i produkcja przyjazne dla środowiska
Systemy zarządzania mocą, aplikacje przełączające, urządzenia przenośne, zasilacze
SSM3J168F,LF Zapasy | SSM3J168F,LF Cena | SSM3J168F,LF Electronics | |||
Komponenty SSM3J168F,LF | SSM3J168F,LF Zapasy | SSM3J168F,LF Digikey | |||
Dostawca SSM3J168F,LF | Zamów SSM3J168F,LF online | Zapytanie SSM3J168F,LF | |||
Obraz SSM3J168F,LF | SSM3J168F,LF Zdjęcie | SSM3J168F,LF PDF | |||
Arkusz danych SSM3J168F,LF | Pobierz arkusz danych SSM3J168F,LF | Producent TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) |
Powiązane części dla SSM3J168F,LF | |||||
---|---|---|---|---|---|
Obraz | Part Number | Opis | Producent | Uzyskaj wycenę | |
![]() |
SSM3J16CT | SSM3J16CT TOSHIBA | TOSHIBA | ||
![]() |
SSM3J15TE(TE85L,F) | SSM3J15TE(TE85L,F) TOSHIBA | TOSHIBA | ||
![]() |
SSM3J16CT(TPL3) | MOSFET P-CH 20V 100MA CST3 | Toshiba Semiconductor and Storage | ||
![]() |
SSM3J16FS MOS | TOSHIBA NA | TOSHIBA | ||
![]() |
SSM3J168F,LXHF | SMOS LOW RON VDS:-60V VGSS:+10/- | Toshiba Semiconductor and Storage | ||
![]() |
SSM3J16CT.L3F | TOSHIBA SOP | TOSHIBA | ||
![]() |
SSM3J168F.LXGF | TOSHIBA SOP | TOSHIBA | ||
![]() |
SSM3J168F | SSM3J168F TOSHIBA | TOSHIBA | ||
![]() |
SSM3J15FVL3F(T | TOSHIBA SOT323 | TOSHIBA | ||
![]() |
SSM3J15TE | SSM3J15TE TOSHIBA | TOSHIBA | ||
![]() |
SSM3J16FS | SSM3J16FS TOS | TOS | ||
![]() |
SSM3J16CT L3F T | TOSHIBA QFN 13PBF | TOSHIBA | ||
![]() |
SSM3J168F.LF | TOSHIBA 2021+RoHS | TOSHIBA | ||
![]() |
SSM3J168 | TOSHIBA | |||
![]() |
SSM3J15TE(TE85L | TOSHIBA SOT-523 | TOSHIBA | ||
![]() |
SSM3J15FV(TPL3Z) | TOSHIBA SOT723 | TOSHIBA | ||
![]() |
SSM3J16CT(TL3APPE | TOSHIBA SOT-723 | TOSHIBA | ||
![]() |
SSM3J168F ,LF | TOSHIBA 2021+RoHS | TOSHIBA | ||
![]() |
SSM3J15FV,L3F | MOSFET P-CH 30V 100MA VESM | Toshiba Semiconductor and Storage | ||
![]() |
SSM3J15FVL3F | TOSHIBA SOT723 | TOSHIBA |
Aktualności
JeszczePolarfire® SOC FPGA firmy Microchip otrzymał certyfikat AEC -Q100, potwierdzając jego niezawodność w trudnych warunkach motoryzacyjnych, w tym dz...
PSOCTM 4000T jest pierwszym produktem Infineon, który zawiera technologię Capsense ™ z piątej generacji firmy i funkcjonalność wieloosobową.Ta ...
Dostawca części motoryzacyjnych ujawnił, że rozwój EV na rynku Ameryki Północnej zatrzymał się, gdy producenci samochodów decydują się na ...
Infineon i Eatron rozszerzają współpracę AI System zarządzania akumulatorami (BMS) o elektronikę przemysłową i konsumpcyjną.Na podstawie mikr...
Na półprzewodnik ogłosił niedawno uruchomienie swojego pierwszego czujnika w czasie rzeczywistym, czasem lotu (ITOF), serii Hyperlux ID, która mo...
Nowe Produkty
JeszczeCzujnik fotoelektryczny serii PD30 Miniaturowe czujniki fotoelektryczne Carlo Gavazzi charakteryzuj...
Zestaw do oceny XC112 / XR112 dla koherentnego radaru impulsowego A111Zestaw ewaluacyjny XC112 i XR112 firmy Acconeer z płaskimi elastycznymi kablami...
Serwonapęd i silniki Serii MINAS A6 Rodzina MINAS A6 firmy Panasonic zapewnia stabilną pracę, zmn...
Tablica sterująca UV LED Płytka sterownika LED RayVio dla serii XE i XP1 emitera UV-C Płytka st...
Przemysłowy i rozszerzony test DDR SDRAM Urządzenia DDR SDRAM firmy Insignis gwarantują pracę w ...
E-mail: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966DODAJ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hongkong.