| SSM3J356R | |
|---|---|
| Part Number | SSM3J356R |
| Producent | TOSHIBA |
| Opis | SSM3J356R TOSHIBA |
| dostępna ilość | 3397 pcs new original in stock. Zamów akcje i oferty |
| Model ECAD | |
| Arkusze danych | |
| SSM3J356R Price |
Poproś o cenę i czas dostawy online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Informacje techniczne o SSM3J356R | |||
|---|---|---|---|
| Numer części producenta | SSM3J356R | Kategoria | Układy scalone |
| Producent | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) | Opis | SSM3J356R TOSHIBA |
| Pakiet / obudowa | dostępna ilość | 3397 pcs | |
| Pakiet | SOT-23F | Condtion | New Original Stock |
| Gwarancja | 100% Perfect Functions | Czas oczekiwania | 2-3days after payment. |
| Zapłata | PayPal / Telegraphic Transfer / Western Union | Wysyłka przez | DHL / Fedex / UPS |
| Port | HongKong | Email RFQ | |
| Pobieranie | SSM3J356R PDF - EN.pdf | ||
Model Produktu
SSM3J356R
Wprowadzenie
SSM3J356R to zintegrowany układ scalony zaprojektowany do specjalistycznych zastosowań.
Marka i Producent
Toshiba Semiconductor and Storage
Funkcje
MOSFET typu N kanałowego, niskopodstawowe oporności w stanie włączenia: RDS(on), szybkie przełączanie, obudowa do montażu powierzchniowego, zmniejsza zużycie energii.
Wydajność Produktu
Efektywne zarządzanie energią, wysoka niezawodność i stabilność, zoptymalizowany do pracy przy niskich napięciach, stabilna wydajność w szerokim zakresie temperatur.
Specyfikacja Techniczna
Wartości RDS(on), napięcie progowe bramki, napięcie źródło- dren, ciągły prąd drenażowy, całkowite rozpraszanie mocy.
Rozmiar, Kształt i Opakowanie
Kompaktowy rozmiar, typ obudowy do montażu powierzchniowego, dostarczany w taśmie i zwój do automatycznego montażu, ustandaryzowane wymiary komponentów do integracji z płytkami obwodów.
Jakość i Niezawodność
Produkcja przez firmę Toshiba, wiodącego producenta półprzewodników, zgodność z przemysłowymi standardami jakości, odporność na stres elektryczny i cieplny, długoterminowa stabilność operacyjna.
Zalety Produktu
Wysoka efektywność energetyczna, niskie RDS(on) przyczynia się do minimalizacji strat energii, nadaje się do układów PCB o dużej gęstości, łatwość integracji z istniejącymi projektami.
Konkurencyjność Produktu
Konkurencyjny w stosunku do podobnych MOSFET-ów typu N kanałowego na rynku, atrakcyjny dla wrażliwych kosztowo zastosowań dzięki skali produkcji Toshiby, potencjał obniżenia całkowitych kosztów systemu.
Kompatybilność
Zgodny z standardowymi procesami lutowania SMD, integruje się z szeroką gamą układów elektronicznych i produktów.
Certyfikacja Standardowa i Zgodność
Zgodność z dyrektywą RoHS i innymi dyrektywami środowiskowymi, spełnia standardowe certyfikaty branżowe dla specjalistycznych układów scalonych.
Długość Życia i Trwałość
Wytrzymały podczas długoterminowej pracy, zaprojektowany do zastosowań energooszczędnych, przyczyniając się do zrównoważonego rozwoju.
Rzeczywiste Pole Zastosowań
Systemy zarządzania energią, przetwornice DC-DC, urządzenia zasilane z baterii, przełączniki obciążenia, zasilacze o wysokiej wydajności.
Napisz do nas: Info@Ariat-Tech.com lub RFQ SSM3J356R Online.
| SSM3J356R Zapasy | SSM3J356R Cena | SSM3J356R Electronics |
| Komponenty SSM3J356R | SSM3J356R Zapasy | SSM3J356R Digikey |
| Dostawca SSM3J356R | Zamów SSM3J356R online | Zapytanie SSM3J356R |
| Obraz SSM3J356R | SSM3J356R Zdjęcie | SSM3J356R PDF |
| Arkusz danych SSM3J356R | Pobierz arkusz danych SSM3J356R | Producent TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) |
