SI1539CDL-T1-GE3 | |
---|---|
Part Number | SI1539CDL-T1-GE3 |
Producent | Vishay Siliconix |
Opis | MOSFET N/P-CH 30V SOT363 |
dostępna ilość | 4800 pcs new original in stock. Zamów akcje i oferty |
Model ECAD | |
Arkusze danych | 1.SI1539CDL-T1-GE3.pdf2.SI1539CDL-T1-GE3.pdf |
SI1539CDL-T1-GE3 Price |
Poproś o cenę i czas dostawy online or Email us: Info@ariat-tech.com |
Informacje techniczne o SI1539CDL-T1-GE3 | |||
---|---|---|---|
Numer części producenta | SI1539CDL-T1-GE3 | Kategoria | |
Producent | Vishay / Siliconix | Opis | MOSFET N/P-CH 30V SOT363 |
Pakiet / obudowa | SC-70-6 | dostępna ilość | 4800 pcs |
VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | Technologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Dostawca urządzeń Pakiet | SC-70-6 | Seria | TrenchFET® |
RDS (Max) @ ID, Vgs | 388mOhm @ 600mA, 10V | Moc - Max | 340mW |
Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Pakiet | Tape & Reel (TR) |
temperatura robocza | -55°C ~ 150°C (TJ) | Rodzaj mocowania | Surface Mount |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | 28pF @ 15V | Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs | 1.5nC @ 10V |
Cecha FET | Logic Level Gate | Spust do źródła napięcia (Vdss) | 30V |
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C | 700mA, 500mA | Konfiguracja | N and P-Channel |
Podstawowy numer produktu | SI1539 | ||
Pobieranie | SI1539CDL-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
SI1539CDL-T1-GE3
Układ MOSFET - kanały N i P
Vishay / Siliconix
Logika poziomowa bramki, kanały N i P w kompaktowej obudowie, Technologia montażu powierzchniowego dla łatwiejszego montażu
Praca w wysokich temperaturach do 150°C, efektywne zarządzanie energią, niski opór w stanie włączonym, szybka prędkość przełączenia
Napięcie od drenu do źródła (Vdss): 30V, Prąd - ciągły dren (Id): 700mA (kanał N), 500mA (kanał P), Rds On (Max): 388 mΩ przy Vgs 10V, Napięcie progowe bramki (Vgs(th)): Max 2.5V przy Id 250µA
Obudowa 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Pakiet urządzenia dostawcy: SOT-363, Pakowanie producenta: Digi-Reel
Bezdotykowe i zgodne z RoHS, Zaprojektowane dla długowieczności i stabilnej wydajności
Wyjątkowy stosunek mocy do rozmiaru, Doskonałe w aplikacjach na poziomie logicznym
Dostosowane do kompaktowych i wysokoefektywnych projektów, Silna wydajność w swojej kategorii
Kompatybilne z standardowymi procesami SMT
Bezdotykowe, Zgodne z RoHS
Trwałe w szerokim zakresie temperatur, Odpowiednie do wymagających warunków
Używane w układach zarządzania energią, Idealne do aplikacji z sygnałami mieszanymi, Powszechne w sprzęcie komputerowym i telekomunikacyjnym
SI1539CDL-T1-GE3 Zapasy | SI1539CDL-T1-GE3 Cena | SI1539CDL-T1-GE3 Electronics | |||
Komponenty SI1539CDL-T1-GE3 | SI1539CDL-T1-GE3 Zapasy | SI1539CDL-T1-GE3 Digikey | |||
Dostawca SI1539CDL-T1-GE3 | Zamów SI1539CDL-T1-GE3 online | Zapytanie SI1539CDL-T1-GE3 | |||
Obraz SI1539CDL-T1-GE3 | SI1539CDL-T1-GE3 Zdjęcie | SI1539CDL-T1-GE3 PDF | |||
Arkusz danych SI1539CDL-T1-GE3 | Pobierz arkusz danych SI1539CDL-T1-GE3 | Producent Vishay / Siliconix |
Powiązane części dla SI1539CDL-T1-GE3 | |||||
---|---|---|---|---|---|
Obraz | Part Number | Opis | Producent | Uzyskaj wycenę | |
![]() |
SI1539DDL-T1-GE3 | MOSFET N/P-CH 30V SC70-6 | Vishay Siliconix | ||
![]() |
SI1539DL | SI1539DL VISHAY | VISHAY | ||
![]() |
SI1539CDL-TI-GE3 | VISHAY | |||
![]() |
SI1501DL | SI1501DL VISHAY | VISHAY | ||
![]() |
SI1539CDL-T1-GE3 | MOSFET N/P-CH 30V SOT363 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
![]() |
SI1501DL-T1 | SI1501DL-T1 SILICONIX | SILICONIX | ||
![]() |
SI1551DL | SI1551DL VISHAY | VISHAY | ||
![]() |
SI1551 | SI1551 VISHAY | VISHAY | ||
![]() |
SI1539CDL-T1-BE3 | MOSFET N/P-CH 30V SOT363 | Vishay Siliconix | ||
![]() |
SI1501DL-T1-E3 | SI1501DL-T1-E3 VISHAY | VISHAY | ||
![]() |
SI1499DH-T1-GE3 MOS | VBSEMI SC70 | VBSEMI | ||
![]() |
SI1539DL-T1-E3 | MOSFET N/P-CH 30V SC70-6 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
![]() |
SI1500 500G BTL | SCOTCH-WELD SURFACE INSENSITIVE | 3M | ||
![]() |
SI1539DL-T1-E3 | MOSFET N/P-CH 30V SC70-6 | Vishay Siliconix | ||
![]() |
SI1501DL-T1-GE3 | SI1501DL-T1-GE3 VB | VB | ||
![]() |
SI1539DL-T1-GE3 | MOSFET N/P-CH 30V SC70-6 | Vishay Siliconix | ||
![]() |
SI1539DL-T1-GE3 | MOSFET N/P-CH 30V SC70-6 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
![]() |
SI1539DL-T1 | VISHAY | |||
![]() |
SI1500 50G BTL | SCOTCH-WELD SURFACE INSENSITIVE | 3M | ||
![]() |
SI1499DH-T1-GE3 | MOSFET P-CH 8V 1.6A SC-70-6 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Aktualności
JeszczePolarfire® SOC FPGA firmy Microchip otrzymał certyfikat AEC -Q100, potwierdzając jego niezawodność w trudnych warunkach motoryzacyjnych, w tym dz...
PSOCTM 4000T jest pierwszym produktem Infineon, który zawiera technologię Capsense ™ z piątej generacji firmy i funkcjonalność wieloosobową.Ta ...
Dostawca części motoryzacyjnych ujawnił, że rozwój EV na rynku Ameryki Północnej zatrzymał się, gdy producenci samochodów decydują się na ...
Infineon i Eatron rozszerzają współpracę AI System zarządzania akumulatorami (BMS) o elektronikę przemysłową i konsumpcyjną.Na podstawie mikr...
Na półprzewodnik ogłosił niedawno uruchomienie swojego pierwszego czujnika w czasie rzeczywistym, czasem lotu (ITOF), serii Hyperlux ID, która mo...
Nowe Produkty
JeszczeCzujnik fotoelektryczny serii PD30 Miniaturowe czujniki fotoelektryczne Carlo Gavazzi charakteryzuj...
Zestaw do oceny XC112 / XR112 dla koherentnego radaru impulsowego A111Zestaw ewaluacyjny XC112 i XR112 firmy Acconeer z płaskimi elastycznymi kablami...
Serwonapęd i silniki Serii MINAS A6 Rodzina MINAS A6 firmy Panasonic zapewnia stabilną pracę, zmn...
Tablica sterująca UV LED Płytka sterownika LED RayVio dla serii XE i XP1 emitera UV-C Płytka st...
Przemysłowy i rozszerzony test DDR SDRAM Urządzenia DDR SDRAM firmy Insignis gwarantują pracę w ...
E-mail: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966DODAJ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hongkong.