| SI6913DQ-T1-GE3 | |
|---|---|
| Part Number | SI6913DQ-T1-GE3 |
| Producent | Vishay Siliconix |
| Opis | MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8-TSSOP |
| dostępna ilość | 17500 pcs new original in stock. Zamów akcje i oferty |
| Model ECAD | |
| Arkusze danych | 1.SI6913DQ-T1-GE3.pdf2.SI6913DQ-T1-GE3.pdf3.SI6913DQ-T1-GE3.pdf |
| SI6913DQ-T1-GE3 Price |
Poproś o cenę i czas dostawy online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Informacje techniczne o SI6913DQ-T1-GE3 | |||
|---|---|---|---|
| Numer części producenta | SI6913DQ-T1-GE3 | Kategoria | |
| Producent | Vishay / Siliconix | Opis | MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8-TSSOP |
| Pakiet / obudowa | 8-TSSOP | dostępna ilość | 17500 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 900mV @ 400µA | Technologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dostawca urządzeń Pakiet | 8-TSSOP | Seria | TrenchFET® |
| RDS (Max) @ ID, Vgs | 21mOhm @ 5.8A, 4.5V | Moc - Max | 830mW |
| Package / Case | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | Pakiet | Tape & Reel (TR) |
| temperatura robocza | -55°C ~ 150°C (TJ) | Rodzaj mocowania | Surface Mount |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | - | Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs | 28nC @ 4.5V |
| Cecha FET | Logic Level Gate | Spust do źródła napięcia (Vdss) | 12V |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C | 4.9A | Konfiguracja | 2 P-Channel (Dual) |
| Podstawowy numer produktu | SI6913 | ||
| Pobieranie | SI6913DQ-T1-GE3 PDF - EN.pdf | ||
Model Produktu
SI6913DQ-T1-GE3
Wprowadzenie
Układ tranzystorów MOSFET typu P
Marka i Producent
Vishay / Siliconix
Funkcje
Brama na poziomie logiki, Podwójny tranzystor MOSFET typu P, Technologia TrenchFET
Wydajność Produktu
Wysoki ciągły prąd drenażu 4,9A przy 25°C, Niskie Rds(on) wynoszące 21 mΩ przy 5,8A, 4,5V, Obsługuje szeroki zakres temperatur roboczych -55°C do 150°C
Specyfikacja Techniczna
Napięcie dren źródło (Vdss) 12V, Napięcie progowe bramy-źródło (Vgs th) 900mV przy 400 µA, Ładunek bramy (Qg) 28nC przy 4,5V
Rozmiar, Kształt i Opakowanie
8-TSSOP (0,173”, 4,40mm szerokości), Format opakowania Digi-Reel dla elastycznych ilości zamówień
Jakość i Niezawodność
Bez ołowiu i zgodny z RoHS dla bezpieczeństwa środowiska, Sprawdzona technologia TrenchFET dla lepszej wydajności
Zalety Produktu
Energooszczędny design z niskim oporem włączonym, Wysoka niezawodność i odporność w różnych zakresach temperatur
Konkurencyjność Produktu
Idealny do aplikacji zarządzania zasilaniem, Odpowiedni do przenośnych i ograniczonych przestrzennie projektów elektronicznych
Kompatybilność
Kompatybilny z układami napędowymi na poziomie logiki
Certyfikacja Standardowa i Zgodność
Zgodny z RoHS, co oznacza ograniczenie substancji niebezpiecznych
Długość Życia i Trwałość
Trwała konstrukcja odpowiednia do długotrwałego użytkowania w urządzeniach elektronicznych
Rzeczywiste Pole Zastosowań
Regulacja mocy w sprzęcie komputerowym i telekomunikacyjnym, Systemy zarządzania baterią, Aplikacje przełączników obciążeniowych, Konwersja mocy w elektronice konsumenckiej
Napisz do nas: Info@Ariat-Tech.com lub RFQ SI6913DQ-T1-GE3 Online.
| SI6913DQ-T1-GE3 Zapasy | SI6913DQ-T1-GE3 Cena | SI6913DQ-T1-GE3 Electronics | |||
| Komponenty SI6913DQ-T1-GE3 | SI6913DQ-T1-GE3 Zapasy | SI6913DQ-T1-GE3 Digikey | |||
| Dostawca SI6913DQ-T1-GE3 | Zamów SI6913DQ-T1-GE3 online | Zapytanie SI6913DQ-T1-GE3 | |||
| Obraz SI6913DQ-T1-GE3 | SI6913DQ-T1-GE3 Zdjęcie | SI6913DQ-T1-GE3 PDF | |||
| Arkusz danych SI6913DQ-T1-GE3 | Pobierz arkusz danych SI6913DQ-T1-GE3 | Producent Vishay / Siliconix | |||
| Powiązane części dla SI6913DQ-T1-GE3 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Obraz | Part Number | Opis | Producent | Uzyskaj wycenę | |
 |
SI6924AEDQ | VISHAY 09+ | VISHAY | ||
|
SI6880EDQ-T1-E3 | SI6880EDQ-T1-E3 VISHAY | VISHAY | ||
|
SI6923DQ-T1-E3 | SI6923DQ-T1-E3 VISHAY | VISHAY | ||
 |
SI6923DQ-T1 | SI6923DQ-T1 VISHAY/SIL | VISHAY/SIL | ||
|
SI6924AEDQ | VISHAY | |||
 |
SI6913DQ-T1-BE3 | DUAL P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET | Vishay Siliconix | ||
 |
SI6913DQ-T1-E3 | MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8TSSOP | Vishay Siliconix | ||
|
SI6880EDQ-T1 | SI6880EDQ-T1 VISHAY | VISHAY | ||
|
SI6923DQ-T1. | SI6923DQ-T1. VIS | VIS | ||
|
SI6913DQ-T1-E3 MOS | VISHAY TSSOP-8 | VISHAY | ||
|
SI6913DQ | SI6913DQ VISHAY | VISHAY | ||
|
SI6882EDQ | SI6882EDQ VISHAY | VISHAY | ||
|
SI6911DQ-T1-E3 | SI6911DQ-T1-E3 VISHAY | VISHAY | ||
|
SI6923DQ | VISHAY | |||
 |
SI6924AEDQ-T1-E3 | MOSFET 2N-CH 28V 4.1A 8-TSSOP | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SI6923DQ-TI | SI6923DQ-TI VISHAY | VISHAY | ||
|
SI6913DQ-T1-E3 | MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8TSSOP | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SI6913DQ-T1-GE3 | MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8-TSSOP | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SI6880EDQ | SI6880EDQ VB | VB | ||
|
SI6913DQ-T1-GE3 MOS | VISHAY MSOP-8 | VISHAY | ||
Aktualności
Jeszcze
Polarfire® SOC FPGA firmy Microchip otrzymał certyfikat AEC -Q100, potwierdzając jego niezawodność w trudnych warunkach motoryzacyjnych, w tym dz...
PSOCTM 4000T jest pierwszym produktem Infineon, który zawiera technologię Capsense ™ z piątej generacji firmy i funkcjonalność wieloosobową.Ta ...
Dostawca części motoryzacyjnych ujawnił, że rozwój EV na rynku Ameryki Północnej zatrzymał się, gdy producenci samochodów decydują się na ...
Infineon i Eatron rozszerzają współpracę AI System zarządzania akumulatorami (BMS) o elektronikę przemysłową i konsumpcyjną.Na podstawie mikr...
Na półprzewodnik ogłosił niedawno uruchomienie swojego pierwszego czujnika w czasie rzeczywistym, czasem lotu (ITOF), serii Hyperlux ID, która mo...
Nowe Produkty
Jeszcze
Czujnik fotoelektryczny serii PD30 Miniaturowe czujniki fotoelektryczne Carlo Gavazzi charakteryzuj...
Zestaw do oceny XC112 / XR112 dla koherentnego radaru impulsowego A111Zestaw ewaluacyjny XC112 i XR112 firmy Acconeer z płaskimi elastycznymi kablami...
Serwonapęd i silniki Serii MINAS A6 Rodzina MINAS A6 firmy Panasonic zapewnia stabilną pracę, zmn...
Tablica sterująca UV LED Płytka sterownika LED RayVio dla serii XE i XP1 emitera UV-C Płytka st...
Przemysłowy i rozszerzony test DDR SDRAM Urządzenia DDR SDRAM firmy Insignis gwarantują pracę w ...
E-mail: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966DODAJ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hongkong.
Informacja o prawach autorskich © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Wszelkie prawa zastrzeżone.