SI7460DP-T1-E3 | |
---|---|
Part Number | SI7460DP-T1-E3 |
Producent | Vishay Siliconix |
Opis | MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8 |
dostępna ilość | 7442 pcs new original in stock. Zamów akcje i oferty |
Model ECAD | |
Arkusze danych | 1.SI7460DP-T1-E3.pdf2.SI7460DP-T1-E3.pdf |
SI7460DP-T1-E3 Price |
Poproś o cenę i czas dostawy online or Email us: Info@ariat-tech.com |
Informacje techniczne o SI7460DP-T1-E3 | |||
---|---|---|---|
Numer części producenta | SI7460DP-T1-E3 | Kategoria | |
Producent | Vishay / Siliconix | Opis | MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8 |
Pakiet / obudowa | PowerPAK® SO-8 | dostępna ilość | 7442 pcs |
VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | Vgs (maks.) | ±20V |
Technologia | MOSFET (Metal Oxide) | Dostawca urządzeń Pakiet | PowerPAK® SO-8 |
Seria | TrenchFET® | RDS (Max) @ ID, Vgs | 9.6mOhm @ 18A, 10V |
Strata mocy (max) | 1.9W (Ta) | Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
Pakiet | Tape & Reel (TR) | temperatura robocza | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rodzaj mocowania | Surface Mount | Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs | 100 nC @ 10 V |
Rodzaj FET | N-Channel | Cecha FET | - |
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Spust do źródła napięcia (Vdss) | 60 V |
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C | 11A (Ta) | Podstawowy numer produktu | SI7460 |
Pobieranie | SI7460DP-T1-E3 PDF - EN.pdf |
SI7460DP-T1-E3
Vishay Siliconix PowerPAK SO-8 N-channel MOSFET
Vishay / Siliconix
Technologia N-Channel TrenchFET, wysoka efektywność dzięki niskiemu oporowi w stanie włączonym, zwiększona gęstość mocy
Działa w temperaturach od -55°C do 150°C, ciągły prąd drenowy wynoszący 11A przy 25°C, strat mocy wynoszący 1,9 W w temperaturze otoczenia
Napięcie dren-do-źródła (Vdss) wynoszące 60V, maksymalne napięcie progowe bramki-źródła (Vgs(th)) 3V przy 250µA, statyczny opór dren-źródło w stanie włączonym (Rds On) 9,6 mOhm przy 18A, 10V
Opakowanie PowerPAK SO-8, dostarczane w formie taśmy i szpuli (TR) do automatycznego montażu
Bez ołowiu i zgodne z wymaganiami RoHS, zaprojektowane z myślą o stałej wydajności i wysokiej niezawodności
Niski opór cieplny, odpowiednie do aplikacji o wysokiej gęstości mocy
Konkurencyjność w aplikacjach zarządzania mocą o wysokiej efektywności
Zgodność z procesem automatycznego montażu, kompatybilne z technologią montażu powierzchniowego
Bez ołowiu i zgodne z wymaganiami RoHS, zapewnia spełnienie standardów ochrony środowiska i zdrowia
Wytrzymałe z długą żywotnością operacyjną w określonych warunkach
Zasilanie, zarządzanie mocą, konwertery DC-DC, aplikacje przełączające
SI7460DP-T1-E3 Zapasy | SI7460DP-T1-E3 Cena | SI7460DP-T1-E3 Electronics | |||
Komponenty SI7460DP-T1-E3 | SI7460DP-T1-E3 Zapasy | SI7460DP-T1-E3 Digikey | |||
Dostawca SI7460DP-T1-E3 | Zamów SI7460DP-T1-E3 online | Zapytanie SI7460DP-T1-E3 | |||
Obraz SI7460DP-T1-E3 | SI7460DP-T1-E3 Zdjęcie | SI7460DP-T1-E3 PDF | |||
Arkusz danych SI7460DP-T1-E3 | Pobierz arkusz danych SI7460DP-T1-E3 | Producent Vishay / Siliconix |
Powiązane części dla SI7460DP-T1-E3 | |||||
---|---|---|---|---|---|
Obraz | Part Number | Opis | Producent | Uzyskaj wycenę | |
![]() |
SI7461DP-T1-E3 | MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
![]() |
SI7461DP-T1-E3 MOS | VISHAT QFN-8 | VISHAT | ||
![]() |
SI7459DP-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 13A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
![]() |
SI7461DP-T1-GE3 | MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
![]() |
SI7461DP-T1-GE3 | MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
![]() |
SI7459DP-T1-E3 IC | VISHAY QFN | VISHAY | ||
![]() |
SI7459DP-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 13A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
![]() |
SI7461DP-T1-E3 | MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
![]() |
SI7460DP | SI7460DP SI | SI | ||
![]() |
SI7460DP-T1-E3 MOS | VBSEMI QFN8 | VBSEMI | ||
![]() |
SI7458DP-T1-GE3 | SI7458DP-T1-GE3 VISHAY | VISHAY | ||
![]() |
SI7460DP-T1-E3 | MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
![]() |
SI7459DP-T1-E3 | MOSFET P-CH 30V 13A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
![]() |
SI7460DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
![]() |
SI7461DP | SI7461DP VISHAY | VISHAY | ||
![]() |
SI7460DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
![]() |
SI7461DP-T1-GE3 IC | VISHAY QFN8 | VISHAY | ||
![]() |
SI7459DP-T1-E3 | MOSFET P-CH 30V 13A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
![]() |
SI7458DP-T1-E3 | SI7458DP-T1-E3 VISHAT | VISHAT | ||
![]() |
SI7459DP | SI7459DP VISHAY | VISHAY |
Aktualności
JeszczePolarfire® SOC FPGA firmy Microchip otrzymał certyfikat AEC -Q100, potwierdzając jego niezawodność w trudnych warunkach motoryzacyjnych, w tym dz...
PSOCTM 4000T jest pierwszym produktem Infineon, który zawiera technologię Capsense ™ z piątej generacji firmy i funkcjonalność wieloosobową.Ta ...
Dostawca części motoryzacyjnych ujawnił, że rozwój EV na rynku Ameryki Północnej zatrzymał się, gdy producenci samochodów decydują się na ...
Infineon i Eatron rozszerzają współpracę AI System zarządzania akumulatorami (BMS) o elektronikę przemysłową i konsumpcyjną.Na podstawie mikr...
Na półprzewodnik ogłosił niedawno uruchomienie swojego pierwszego czujnika w czasie rzeczywistym, czasem lotu (ITOF), serii Hyperlux ID, która mo...
Nowe Produkty
JeszczeCzujnik fotoelektryczny serii PD30 Miniaturowe czujniki fotoelektryczne Carlo Gavazzi charakteryzuj...
Zestaw do oceny XC112 / XR112 dla koherentnego radaru impulsowego A111Zestaw ewaluacyjny XC112 i XR112 firmy Acconeer z płaskimi elastycznymi kablami...
Serwonapęd i silniki Serii MINAS A6 Rodzina MINAS A6 firmy Panasonic zapewnia stabilną pracę, zmn...
Tablica sterująca UV LED Płytka sterownika LED RayVio dla serii XE i XP1 emitera UV-C Płytka st...
Przemysłowy i rozszerzony test DDR SDRAM Urządzenia DDR SDRAM firmy Insignis gwarantują pracę w ...
E-mail: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966DODAJ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hongkong.