| SI7540DP-T1-E3 | |
|---|---|
| Part Number | SI7540DP-T1-E3 |
| Producent | Vishay Siliconix |
| Opis | MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8 |
| dostępna ilość | 2835 pcs new original in stock. Zamów akcje i oferty |
| Model ECAD | |
| Arkusze danych | 1.SI7540DP-T1-E3.pdf2.SI7540DP-T1-E3.pdf |
| SI7540DP-T1-E3 Price |
Poproś o cenę i czas dostawy online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Informacje techniczne o SI7540DP-T1-E3 | |||
|---|---|---|---|
| Numer części producenta | SI7540DP-T1-E3 | Kategoria | |
| Producent | Vishay / Siliconix | Opis | MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8 |
| Pakiet / obudowa | PowerPAK® SO-8 Dual | dostępna ilość | 2835 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA | Technologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dostawca urządzeń Pakiet | PowerPAK® SO-8 Dual | Seria | TrenchFET® |
| RDS (Max) @ ID, Vgs | 17mOhm @ 11.8A, 4.5V | Moc - Max | 1.4W |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual | Pakiet | Tape & Reel (TR) |
| temperatura robocza | -55°C ~ 150°C (TJ) | Rodzaj mocowania | Surface Mount |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | - | Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs | 17nC @ 4.5V |
| Cecha FET | Logic Level Gate | Spust do źródła napięcia (Vdss) | 12V |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C | 7.6A, 5.7A | Konfiguracja | N and P-Channel |
| Podstawowy numer produktu | SI7540 | ||
| Pobieranie | SI7540DP-T1-E3 PDF - EN.pdf | ||
Model Produktu
SI7540DP-T1-E3
Wprowadzenie
Układ MOSFET n- i p-channel
Marka i Producent
Vishay / Siliconix
Funkcje
Niski poziom bramki, zwiększone możliwości obsługi mocy, podwójna konfiguracja MOSFET n- i p-channel, niski opór w stanie włączonym.
Wydajność Produktu
Wysokie ciągłe prądy drenażowe wynoszące 7,6A (n-channel), 5,7A (p-channel), działa w temperaturze od -55°C do 150°C, niski ładunek bramki.
Specyfikacja Techniczna
Typ FET: n- i p-channel, Napięcie drenażowe do źródła (Vdss): 12V, Rds On (maks): 17 mΩ, Ładunek bramki (Qg): 17nC, Vgs(th) (maks): 1,5V.
Rozmiar, Kształt i Opakowanie
PowerPAK SO-8 w pakiecie podwójnym montowanym na powierzchni; taśma i szpula (TR) do zautomatyzowanego montażu.
Jakość i Niezawodność
Producent Vishay, lider w technologii półprzewodników.
Zalety Produktu
Wysoka efektywność przy zmniejszonych stratach przewodzenia, łatwiejsze sterowanie dzięki progowi napięcia bramki na poziomie logicznym.
Konkurencyjność Produktu
Konkurencyjne parametry Rds(on) i wydajność ładunku bramki, odpowiednie do zastosowań w zarządzaniu mocą o dużej gęstości.
Kompatybilność
Kompatybilny z technologią montażu powierzchniowego, stosowany w układach sterowania drzwiami na poziomie logicznym.
Certyfikacja Standardowa i Zgodność
Zgodny z normami branżowymi dla komponentów elektronicznych.
Długość Życia i Trwałość
Odporność na temperatury robocze w przedziale od -55°C do 150°C.
Rzeczywiste Pole Zastosowań
Zarządzanie mocą, telekomunikacja, obliczenia, systemy zarządzania akumulatorami, przełączanie obciążenia.
Napisz do nas: Info@Ariat-Tech.com lub RFQ SI7540DP-T1-E3 Online.
| SI7540DP-T1-E3 Zapasy | SI7540DP-T1-E3 Cena | SI7540DP-T1-E3 Electronics |
| Komponenty SI7540DP-T1-E3 | SI7540DP-T1-E3 Zapasy | SI7540DP-T1-E3 Digikey |
| Dostawca SI7540DP-T1-E3 | Zamów SI7540DP-T1-E3 online | Zapytanie SI7540DP-T1-E3 |
| Obraz SI7540DP-T1-E3 | SI7540DP-T1-E3 Zdjęcie | SI7540DP-T1-E3 PDF |
| Arkusz danych SI7540DP-T1-E3 | Pobierz arkusz danych SI7540DP-T1-E3 | Producent Vishay / Siliconix |
