| SI7772DP-T1-GE3 | |
|---|---|
| Part Number | SI7772DP-T1-GE3 |
| Producent | Vishay Siliconix |
| Opis | MOSFET N-CH 30V 35.6A PPAK SO-8 |
| dostępna ilość | 17565 pcs new original in stock. Zamów akcje i oferty |
| Model ECAD | |
| Arkusze danych | 1.SI7772DP-T1-GE3.pdf2.SI7772DP-T1-GE3.pdf3.SI7772DP-T1-GE3.pdf4.SI7772DP-T1-GE3.pdf |
| SI7772DP-T1-GE3 Price |
Poproś o cenę i czas dostawy online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Informacje techniczne o SI7772DP-T1-GE3 | |||
|---|---|---|---|
| Numer części producenta | SI7772DP-T1-GE3 | Kategoria | |
| Producent | Vishay / Siliconix | Opis | MOSFET N-CH 30V 35.6A PPAK SO-8 |
| Pakiet / obudowa | PowerPAK® SO-8 | dostępna ilość | 17565 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | Vgs (maks.) | ±20V |
| Technologia | MOSFET (Metal Oxide) | Dostawca urządzeń Pakiet | PowerPAK® SO-8 |
| Seria | SkyFET®, TrenchFET® | RDS (Max) @ ID, Vgs | 13mOhm @ 15A, 10V |
| Strata mocy (max) | 3.9W (Ta), 29.8W (Tc) | Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Pakiet | Tape & Reel (TR) | temperatura robocza | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania | Surface Mount | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | 1084 pF @ 15 V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs | 28 nC @ 10 V | Rodzaj FET | N-Channel |
| Cecha FET | - | Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Spust do źródła napięcia (Vdss) | 30 V | Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C | 35.6A (Tc) |
| Podstawowy numer produktu | SI7772 | ||
| Pobieranie | SI7772DP-T1-GE3 PDF - EN.pdf | ||
Napisz do nas: Info@Ariat-Tech.com lub RFQ SI7772DP-T1-GE3 Online.
| SI7772DP-T1-GE3 Zapasy | SI7772DP-T1-GE3 Cena | SI7772DP-T1-GE3 Electronics |
| Komponenty SI7772DP-T1-GE3 | SI7772DP-T1-GE3 Zapasy | SI7772DP-T1-GE3 Digikey |
| Dostawca SI7772DP-T1-GE3 | Zamów SI7772DP-T1-GE3 online | Zapytanie SI7772DP-T1-GE3 |
| Obraz SI7772DP-T1-GE3 | SI7772DP-T1-GE3 Zdjęcie | SI7772DP-T1-GE3 PDF |
| Arkusz danych SI7772DP-T1-GE3 | Pobierz arkusz danych SI7772DP-T1-GE3 | Producent Vishay / Siliconix |
