| SI7846DP-T1-E3 | |
|---|---|
| Part Number | SI7846DP-T1-E3 |
| Producent | Vishay Siliconix |
| Opis | MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8 |
| dostępna ilość | 21298 pcs new original in stock. Zamów akcje i oferty |
| Model ECAD | |
| Arkusze danych | SI7846DP-T1-E3.pdf |
| SI7846DP-T1-E3 Price |
Poproś o cenę i czas dostawy online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Informacje techniczne o SI7846DP-T1-E3 | |||
|---|---|---|---|
| Numer części producenta | SI7846DP-T1-E3 | Kategoria | |
| Producent | Vishay / Siliconix | Opis | MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8 |
| Pakiet / obudowa | PowerPAK® SO-8 | dostępna ilość | 21298 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA | Vgs (maks.) | ±20V |
| Technologia | MOSFET (Metal Oxide) | Dostawca urządzeń Pakiet | PowerPAK® SO-8 |
| Seria | TrenchFET® | RDS (Max) @ ID, Vgs | 50mOhm @ 5A, 10V |
| Strata mocy (max) | 1.9W (Ta) | Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Pakiet | Tape & Reel (TR) | temperatura robocza | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania | Surface Mount | Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs | 36 nC @ 10 V |
| Rodzaj FET | N-Channel | Cecha FET | - |
| Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Spust do źródła napięcia (Vdss) | 150 V |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C | 4A (Ta) | Podstawowy numer produktu | SI7846 |
| Pobieranie | SI7846DP-T1-E3 PDF - EN.pdf | ||
Model Produktu
SI7846DP-T1-E3
Wprowadzenie
SI7846DP-T1-E3 to pojedynczy tranzystor N-kanalowy, który działa jako dyskretny półprzewodnik.
Marka i Producent
Producent: Vishay / Siliconix.
Funkcje
Działa w technologii MOSFET (Metal Oxide).
Należy do serii TrenchFET.
Funkcjonuje w temperaturach od -55˚C do 150˚C (TJ).
Można go montować na powierzchni.
Posiada maksymalną moc strat wynoszącą 1,9W (Ta).
Jest zintegrowany w obudowie PowerPAK SO-8.
Wydajność Produktu
Napięcie źródła wynosi 150V.
Drains ma stały prąd 4A przy 25˚C.
Specyfikacja Techniczna
Maksymalne oporności między Drain a Source: 50 mOhm przy 5A, 10V.
Napięcie progowe bramki, Vgs(th) (Max) @ Id: 4,5V @ 250A.
Maksymalny ładunek bramki, Qg (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V.
Maksymalne napięcie sterujące (Max Rds On, Min Rds On): 10V.
Maksymalne Vgs: ±20V.
Rozmiar, Kształt i Opakowanie
Ten tranzystor zaprojektowano w prostokątnej obudowie PowerPAK SO-8 i jest przeznaczony do montażu powierzchniowego. Produkt dostarczany jest w opakowaniu Digi-Reel.
Jakość i Niezawodność
Słynie z wysokiej jakości wykonania i niezawodności, ten tranzystor produkowany jest przez jednego z najbardziej szanowanych producentów półprzewodników na świecie, Vishay / Siliconix.
Zalety Produktu
Do jego głównych zalet należy możliwość pracy w temperaturach sięgających 150˚C oraz tak niskich jak -55˚C, a także relatywnie wysoki prąd drain.
Konkurencyjność Produktu
Ten tranzystor oferuje wysoką wydajność i niezawodne działanie, co czyni go konkurencyjną opcją w swojej kategorii.
Kompatybilność
Jego kompatybilność odnosi się do jego typu, tj. tranzystory - FET-y, MOSFET-y - pojedyncze.
Certyfikacja Standardowa i Zgodność
Tranzystor SI7846DP-T1-E3 spełnia specyfikacje standardów branżowych dla swojej kategorii.
Długość Życia i Trwałość
Ten komponent oferuje długą żywotność i zrównoważoną pracę w swoim zakresie temperatur oraz innych określonych warunkach.
Rzeczywiste Pole Zastosowań
Ten tranzystor MOSFET jest szeroko stosowany w różnych urządzeniach elektronicznych, gdzie wymagane są zarządzanie mocą, wzmocnienie sygnału oraz regulacja napięcia.
Napisz do nas: Info@Ariat-Tech.com lub RFQ SI7846DP-T1-E3 Online.
| SI7846DP-T1-E3 Zapasy | SI7846DP-T1-E3 Cena | SI7846DP-T1-E3 Electronics | |||
| Komponenty SI7846DP-T1-E3 | SI7846DP-T1-E3 Zapasy | SI7846DP-T1-E3 Digikey | |||
| Dostawca SI7846DP-T1-E3 | Zamów SI7846DP-T1-E3 online | Zapytanie SI7846DP-T1-E3 | |||
| Obraz SI7846DP-T1-E3 | SI7846DP-T1-E3 Zdjęcie | SI7846DP-T1-E3 PDF | |||
| Arkusz danych SI7846DP-T1-E3 | Pobierz arkusz danych SI7846DP-T1-E3 | Producent Vishay / Siliconix | |||
| Powiązane części dla SI7846DP-T1-E3 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Obraz | Part Number | Opis | Producent | Uzyskaj wycenę | |
 |
SI7844DP-T1-E3 | MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
 |
SI7846DP | SI7846DP SI | SI | ||
 |
SI7846DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
|
SI7844DP-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
|
SI7848BDP-T1-E3 | MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
 |
SI7846DP-TI | SI7846DP-TI VISHAY | VISHAY | ||
|
SI7848BDP-T1 | SI7848BDP-T1 VISHAY | VISHAY | ||
|
SI7846DP-T1 | VISHAY QFN | VISHAY | ||
|
SI7844DP-T1-E3 | MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
|
SI7846DP-T1-E3 IC | VISHAY QFN | VISHAY | ||
 |
SI7846DP-T1-E3 | MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SI7846DP-TI-GE3 | VISHAY | |||
|
SI7844DP-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SI7846DP-T1-E3 MOS | VISHAY QFN-8 | VISHAY | ||
|
SI7846SAC | SI7846SAC VISHAY | VISHAY | ||
|
SI7846DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SI7845DP-T1-GE3 | VISHAY PowerPAKSO-8 | VISHAY | ||
|
SI7844DP-T1 | SI7844DP-T1 VISHAY | VISHAY | ||
|
SI7844DP | SI7844DP SI | SI | ||
|
SI7848BDP | SI7848BDP SI | SI | ||
Aktualności
Jeszcze
Polarfire® SOC FPGA firmy Microchip otrzymał certyfikat AEC -Q100, potwierdzając jego niezawodność w trudnych warunkach motoryzacyjnych, w tym dz...
PSOCTM 4000T jest pierwszym produktem Infineon, który zawiera technologię Capsense ™ z piątej generacji firmy i funkcjonalność wieloosobową.Ta ...
Dostawca części motoryzacyjnych ujawnił, że rozwój EV na rynku Ameryki Północnej zatrzymał się, gdy producenci samochodów decydują się na ...
Infineon i Eatron rozszerzają współpracę AI System zarządzania akumulatorami (BMS) o elektronikę przemysłową i konsumpcyjną.Na podstawie mikr...
Na półprzewodnik ogłosił niedawno uruchomienie swojego pierwszego czujnika w czasie rzeczywistym, czasem lotu (ITOF), serii Hyperlux ID, która mo...
Nowe Produkty
Jeszcze
Czujnik fotoelektryczny serii PD30 Miniaturowe czujniki fotoelektryczne Carlo Gavazzi charakteryzuj...
Zestaw do oceny XC112 / XR112 dla koherentnego radaru impulsowego A111Zestaw ewaluacyjny XC112 i XR112 firmy Acconeer z płaskimi elastycznymi kablami...
Serwonapęd i silniki Serii MINAS A6 Rodzina MINAS A6 firmy Panasonic zapewnia stabilną pracę, zmn...
Tablica sterująca UV LED Płytka sterownika LED RayVio dla serii XE i XP1 emitera UV-C Płytka st...
Przemysłowy i rozszerzony test DDR SDRAM Urządzenia DDR SDRAM firmy Insignis gwarantują pracę w ...
E-mail: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966DODAJ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hongkong.
Informacja o prawach autorskich © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Wszelkie prawa zastrzeżone.