SI7858BDP-T1-GE3
Part Number SI7858BDP-T1-GE3
Producent Vishay Siliconix
Opis MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8
dostępna ilość 1500 pcs new original in stock.
Zamów akcje i oferty
Model ECAD
Arkusze danych 1.SI7858BDP-T1-GE3.pdf2.SI7858BDP-T1-GE3.pdf3.SI7858BDP-T1-GE3.pdf4.SI7858BDP-T1-GE3.pdf
SI7858BDP-T1-GE3 Price Poproś o cenę i czas dostawy online
or Email us: Info@ariat-tech.com
Informacje techniczne o SI7858BDP-T1-GE3
Numer części producenta SI7858BDP-T1-GE3 Kategoria  
Producent Vishay / Siliconix Opis MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8
Pakiet / obudowa PowerPAK® SO-8 dostępna ilość 1500 pcs
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Vgs (maks.) ±8V
Technologia MOSFET (Metal Oxide) Dostawca urządzeń Pakiet PowerPAK® SO-8
Seria TrenchFET® RDS (Max) @ ID, Vgs 2.5mOhm @ 15A, 4.5V
Strata mocy (max) 5W (Ta), 48W (Tc) Package / Case PowerPAK® SO-8
Pakiet Tape & Reel (TR) temperatura robocza -55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania Surface Mount Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds 5760 pF @ 6 V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs 84 nC @ 4.5 V Rodzaj FET N-Channel
Cecha FET - Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Spust do źródła napięcia (Vdss) 12 V Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C 40A (Tc)
Podstawowy numer produktu SI7858  
PobieranieSI7858BDP-T1-GE3 PDF - EN.pdf

Model Produktu

SI7858BDP-T1-GE3

Wprowadzenie

Produkt ten jest dyskretnym półprzewodnikowym tranzystorem, a dokładniej mówiąc, tranzystorem N-channel MOSFET z serii TrenchFET.

Marka i Producent

Producentem jest firma Vishay/Siliconix.

Funkcje

Główne cechy tego modelu obejmują konfigurację N-Channel, typ montażu na powierzchni oraz technologię MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor). Oferuje maksymalne wydzielanie mocy wynoszące 5W (Ta), 48W (Tc).

Wydajność Produktu

Produkt ten charakteryzuje się napięciem Drain to Source (Vdss) wynoszącym 12V oraz prądem - ciągłym drain (Id) @ 25°C rzędu 40A (Tc). Obiecuje również Rds On (Max) @ Id, Vgs równe 2.5 mOhm@15A, 4.5V oraz ładunek bramki (Qg) (Max) @ Vgs wynoszący 84nC@ 4.5V.

Specyfikacja Techniczna

Niektóre specyfikacje techniczne tego modelu obejmują zakres temperatury pracy od -55°C do 150°C, pojemność wejściową (Ciss) (Max) @ Vds wynoszącą 5760pF@ 6V oraz zakres napięcia roboczego dla Vgs (Max) wynoszący -8V.

Rozmiar, Kształt i Opakowanie

Opakowanie dla tego produktu ma postać PowerPAK SO-8, dostarczany jest w takim samym opakowaniu. Produkt ten pakowany jest w taśmę i szpulę.

Jakość i Niezawodność

Pochodząc od uznanego producenta Vishay/Siliconix, oferuje niezawodne działanie i wysoką jakość.

Zalety Produktu

Dzięki szerokiemu zakresowi temperatury pracy oraz solidnemu wydzielaniu mocy, ten tranzystor jest wydajny i zdolny do pracy w trudnych warunkach.

Konkurencyjność Produktu

Produkt wyróżnia się wysoką zdolnością do przewodzenia prądu i niską rezystancją, co czyni go konkurencyjną opcją.

Kompatybilność

Będąc komponentem montażowym, jest kompatybilny z różnymi projektami obwodów, co zapewnia elastyczność w zastosowaniach.

Certyfikacja Standardowa i Zgodność

Jako produkt firmy Vishay/Siliconix, oczekuje się, że będzie spełniać wszystkie standardowe certyfikaty branżowe.

Długość Życia i Trwałość

Produkt zaprojektowany jest na trwałe działanie z żywotnością dostosowaną do długotrwałych zastosowań przemysłowych lub komercyjnych.

Rzeczywiste Pole Zastosowań

Tego typu produkt stosowany jest zazwyczaj w elektronice ogólnej, zasilaczach, sprzęcie audio oraz różnych zastosowaniach przemysłowych.

SI7858BDP-T1-GE3 są nowe i oryginalne w magazynie, znajdź zapasy komponentów elektronicznych SI7858BDP-T1-GE3, zestaw danych, zapasy i ceny w Ariat-Tech .com online, zamów SI7858BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix z gwarancją i zaufaniem z technologii Ariat Limitd. Wysyłka przez DHL / FedEx / UPS. Płatność przelewem lub PayPal jest OK.
Napisz do nas: Info@Ariat-Tech.com lub RFQ SI7858BDP-T1-GE3 Online.
*Part No. Manufacturer Target Price(USD) *Request Qty Action
Add Item

Enter Your Contact Information

Zatwierdź
SI7858BDP-T1-GE3 ZapasySI7858BDP-T1-GE3 CenaSI7858BDP-T1-GE3 Electronics
Komponenty SI7858BDP-T1-GE3SI7858BDP-T1-GE3 ZapasySI7858BDP-T1-GE3 Digikey
Dostawca SI7858BDP-T1-GE3Zamów SI7858BDP-T1-GE3 online Zapytanie SI7858BDP-T1-GE3
Obraz SI7858BDP-T1-GE3SI7858BDP-T1-GE3 ZdjęcieSI7858BDP-T1-GE3 PDF
Arkusz danych SI7858BDP-T1-GE3Pobierz arkusz danych SI7858BDP-T1-GE3Producent Vishay / Siliconix
Powiązane części dla SI7858BDP-T1-GE3
Obraz Part Number Opis Producent PDF Uzyskaj wycenę
SI7858ADP-T1-GE3 MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8 Vishay Siliconix
Uzyskaj wycenę
SI7858DP-T1 SI7858DP-T1 VISHHY VISHHY  
Uzyskaj wycenę
SI7860DP SI7860DP SI SI  
Uzyskaj wycenę
SI7860ADP-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8 Electro-Films (EFI) / Vishay  
Uzyskaj wycenę
SI7858BDP SI7858BDP VB VB  
Uzyskaj wycenę
SI7860ADP SI7860ADP VISHAY VISHAY  
Uzyskaj wycenę
SI7858BDP-T1-GE3 MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8 Electro-Films (EFI) / Vishay
Uzyskaj wycenę
SI7858ADP-T1-GE3 MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8 Electro-Films (EFI) / Vishay  
Uzyskaj wycenę
SI7858ADP SI7858ADP VISHAY VISHAY  
Uzyskaj wycenę
SI7858ADP-T1 SI7858ADP-T1 VISHAY VISHAY  
Uzyskaj wycenę
SI7858DP-T1-GE3 VISHAY PAKSO-8 VISHAY  
Uzyskaj wycenę
SI7860ADP-T1-E3 QFN8 SI7860ADP-T1-E3 QFN8 VISHAY VISHAY  
Uzyskaj wycenę
SI7858BDP-T1-E3 SI7858BDP-T1-E3 VISHAY VISHAY  
Uzyskaj wycenę
SI7860ADP-TI-E3 SI7860ADP-TI-E3 VISHAY VISHAY  
Uzyskaj wycenę
SI7858ADP-T1-E3 MOS VISHAY NA VISHAY  
Uzyskaj wycenę
SI7860ADP-T1-E3 MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8 Vishay Siliconix
Uzyskaj wycenę
SI7858ADP-T1-E3 MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8 Electro-Films (EFI) / Vishay  
Uzyskaj wycenę
SI7860ADP-T1-E3 MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8 Electro-Films (EFI) / Vishay  
Uzyskaj wycenę
SI7858ADP-T1-E3 MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8 Vishay Siliconix
Uzyskaj wycenę
SI7860ADP-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8 Vishay Siliconix
Uzyskaj wycenę

Aktualności

Jeszcze
Microchip's Polarfire SOC FPGA osiąga kwalifikacje mot...

Polarfire® SOC FPGA firmy Microchip otrzymał certyfikat AEC -Q100, potwierdzając jego niezawodność w trudnych warunkach motoryzacyjnych, w tym dz...

Infineon uwalnia PSOC 4 Multi-Sense, rozszerzającą się t...

PSOCTM 4000T jest pierwszym produktem Infineon, który zawiera technologię Capsense ™ z piątej generacji firmy i funkcjonalność wieloosobową.Ta ...

Rozwój EV w USA utknie w związku z zmianami rynkowymi nap...

Dostawca części motoryzacyjnych ujawnił, że rozwój EV na rynku Ameryki Północnej zatrzymał się, gdy producenci samochodów decydują się na ...

Infineon i Eatron rozszerzają współpracę z zarządzanie...

Infineon i Eatron rozszerzają współpracę AI System zarządzania akumulatorami (BMS) o elektronikę przemysłową i konsumpcyjną.Na podstawie mikr...

Na półprzewodnik uruchamia czujniki głębokości serii H...

Na półprzewodnik ogłosił niedawno uruchomienie swojego pierwszego czujnika w czasie rzeczywistym, czasem lotu (ITOF), serii Hyperlux ID, która mo...

Nowe Produkty

Jeszcze
Czujnik fotoelektryczny serii PD30

Czujnik fotoelektryczny serii PD30 Miniaturowe czujniki fotoelektryczne Carlo Gavazzi charakteryzuj...

Zestaw do oceny XC112 / XR112 dla koherentnego radaru impul...

Zestaw do oceny XC112 / XR112 dla koherentnego radaru impulsowego A111Zestaw ewaluacyjny XC112 i XR112 firmy Acconeer z płaskimi elastycznymi kablami...

Serwonapęd i silniki Serii MINAS A6

Serwonapęd i silniki Serii MINAS A6 Rodzina MINAS A6 firmy Panasonic zapewnia stabilną pracę, zmn...

Tablica sterująca UV LED

Tablica sterująca UV LED Płytka sterownika LED RayVio dla serii XE i XP1 emitera UV-C Płytka st...

Przemysłowy i rozszerzony test DDR SDRAM

Przemysłowy i rozszerzony test DDR SDRAM Urządzenia DDR SDRAM firmy Insignis gwarantują pracę w ...

E-mail: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966DODAJ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hongkong.