SI7858BDP-T1-GE3 | |
---|---|
Part Number | SI7858BDP-T1-GE3 |
Producent | Vishay Siliconix |
Opis | MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8 |
dostępna ilość | 1500 pcs new original in stock. Zamów akcje i oferty |
Model ECAD | |
Arkusze danych | 1.SI7858BDP-T1-GE3.pdf2.SI7858BDP-T1-GE3.pdf3.SI7858BDP-T1-GE3.pdf4.SI7858BDP-T1-GE3.pdf |
SI7858BDP-T1-GE3 Price |
Poproś o cenę i czas dostawy online or Email us: Info@ariat-tech.com |
Informacje techniczne o SI7858BDP-T1-GE3 | |||
---|---|---|---|
Numer części producenta | SI7858BDP-T1-GE3 | Kategoria | |
Producent | Vishay / Siliconix | Opis | MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8 |
Pakiet / obudowa | PowerPAK® SO-8 | dostępna ilość | 1500 pcs |
VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA | Vgs (maks.) | ±8V |
Technologia | MOSFET (Metal Oxide) | Dostawca urządzeń Pakiet | PowerPAK® SO-8 |
Seria | TrenchFET® | RDS (Max) @ ID, Vgs | 2.5mOhm @ 15A, 4.5V |
Strata mocy (max) | 5W (Ta), 48W (Tc) | Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
Pakiet | Tape & Reel (TR) | temperatura robocza | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rodzaj mocowania | Surface Mount | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | 5760 pF @ 6 V |
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs | 84 nC @ 4.5 V | Rodzaj FET | N-Channel |
Cecha FET | - | Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Spust do źródła napięcia (Vdss) | 12 V | Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C | 40A (Tc) |
Podstawowy numer produktu | SI7858 | ||
Pobieranie | SI7858BDP-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
SI7858BDP-T1-GE3
Produkt ten jest dyskretnym półprzewodnikowym tranzystorem, a dokładniej mówiąc, tranzystorem N-channel MOSFET z serii TrenchFET.
Producentem jest firma Vishay/Siliconix.
Główne cechy tego modelu obejmują konfigurację N-Channel, typ montażu na powierzchni oraz technologię MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor). Oferuje maksymalne wydzielanie mocy wynoszące 5W (Ta), 48W (Tc).
Produkt ten charakteryzuje się napięciem Drain to Source (Vdss) wynoszącym 12V oraz prądem - ciągłym drain (Id) @ 25°C rzędu 40A (Tc). Obiecuje również Rds On (Max) @ Id, Vgs równe 2.5 mOhm@15A, 4.5V oraz ładunek bramki (Qg) (Max) @ Vgs wynoszący 84nC@ 4.5V.
Niektóre specyfikacje techniczne tego modelu obejmują zakres temperatury pracy od -55°C do 150°C, pojemność wejściową (Ciss) (Max) @ Vds wynoszącą 5760pF@ 6V oraz zakres napięcia roboczego dla Vgs (Max) wynoszący -8V.
Opakowanie dla tego produktu ma postać PowerPAK SO-8, dostarczany jest w takim samym opakowaniu. Produkt ten pakowany jest w taśmę i szpulę.
Pochodząc od uznanego producenta Vishay/Siliconix, oferuje niezawodne działanie i wysoką jakość.
Dzięki szerokiemu zakresowi temperatury pracy oraz solidnemu wydzielaniu mocy, ten tranzystor jest wydajny i zdolny do pracy w trudnych warunkach.
Produkt wyróżnia się wysoką zdolnością do przewodzenia prądu i niską rezystancją, co czyni go konkurencyjną opcją.
Będąc komponentem montażowym, jest kompatybilny z różnymi projektami obwodów, co zapewnia elastyczność w zastosowaniach.
Jako produkt firmy Vishay/Siliconix, oczekuje się, że będzie spełniać wszystkie standardowe certyfikaty branżowe.
Produkt zaprojektowany jest na trwałe działanie z żywotnością dostosowaną do długotrwałych zastosowań przemysłowych lub komercyjnych.
Tego typu produkt stosowany jest zazwyczaj w elektronice ogólnej, zasilaczach, sprzęcie audio oraz różnych zastosowaniach przemysłowych.
SI7858BDP-T1-GE3 Zapasy | SI7858BDP-T1-GE3 Cena | SI7858BDP-T1-GE3 Electronics | |||
Komponenty SI7858BDP-T1-GE3 | SI7858BDP-T1-GE3 Zapasy | SI7858BDP-T1-GE3 Digikey | |||
Dostawca SI7858BDP-T1-GE3 | Zamów SI7858BDP-T1-GE3 online | Zapytanie SI7858BDP-T1-GE3 | |||
Obraz SI7858BDP-T1-GE3 | SI7858BDP-T1-GE3 Zdjęcie | SI7858BDP-T1-GE3 PDF | |||
Arkusz danych SI7858BDP-T1-GE3 | Pobierz arkusz danych SI7858BDP-T1-GE3 | Producent Vishay / Siliconix |
Powiązane części dla SI7858BDP-T1-GE3 | |||||
---|---|---|---|---|---|
Obraz | Part Number | Opis | Producent | Uzyskaj wycenę | |
![]() |
SI7858ADP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
![]() |
SI7858DP-T1 | SI7858DP-T1 VISHHY | VISHHY | ||
![]() |
SI7860DP | SI7860DP SI | SI | ||
![]() |
SI7860ADP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
![]() |
SI7858BDP | SI7858BDP VB | VB | ||
![]() |
SI7860ADP | SI7860ADP VISHAY | VISHAY | ||
![]() |
SI7858BDP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
![]() |
SI7858ADP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
![]() |
SI7858ADP | SI7858ADP VISHAY | VISHAY | ||
![]() |
SI7858ADP-T1 | SI7858ADP-T1 VISHAY | VISHAY | ||
![]() |
SI7858DP-T1-GE3 | VISHAY PAKSO-8 | VISHAY | ||
![]() |
SI7860ADP-T1-E3 QFN8 | SI7860ADP-T1-E3 QFN8 VISHAY | VISHAY | ||
![]() |
SI7858BDP-T1-E3 | SI7858BDP-T1-E3 VISHAY | VISHAY | ||
![]() |
SI7860ADP-TI-E3 | SI7860ADP-TI-E3 VISHAY | VISHAY | ||
![]() |
SI7858ADP-T1-E3 MOS | VISHAY NA | VISHAY | ||
![]() |
SI7860ADP-T1-E3 | MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
![]() |
SI7858ADP-T1-E3 | MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
![]() |
SI7860ADP-T1-E3 | MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
![]() |
SI7858ADP-T1-E3 | MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
![]() |
SI7860ADP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix |
Aktualności
JeszczePolarfire® SOC FPGA firmy Microchip otrzymał certyfikat AEC -Q100, potwierdzając jego niezawodność w trudnych warunkach motoryzacyjnych, w tym dz...
PSOCTM 4000T jest pierwszym produktem Infineon, który zawiera technologię Capsense ™ z piątej generacji firmy i funkcjonalność wieloosobową.Ta ...
Dostawca części motoryzacyjnych ujawnił, że rozwój EV na rynku Ameryki Północnej zatrzymał się, gdy producenci samochodów decydują się na ...
Infineon i Eatron rozszerzają współpracę AI System zarządzania akumulatorami (BMS) o elektronikę przemysłową i konsumpcyjną.Na podstawie mikr...
Na półprzewodnik ogłosił niedawno uruchomienie swojego pierwszego czujnika w czasie rzeczywistym, czasem lotu (ITOF), serii Hyperlux ID, która mo...
Nowe Produkty
JeszczeCzujnik fotoelektryczny serii PD30 Miniaturowe czujniki fotoelektryczne Carlo Gavazzi charakteryzuj...
Zestaw do oceny XC112 / XR112 dla koherentnego radaru impulsowego A111Zestaw ewaluacyjny XC112 i XR112 firmy Acconeer z płaskimi elastycznymi kablami...
Serwonapęd i silniki Serii MINAS A6 Rodzina MINAS A6 firmy Panasonic zapewnia stabilną pracę, zmn...
Tablica sterująca UV LED Płytka sterownika LED RayVio dla serii XE i XP1 emitera UV-C Płytka st...
Przemysłowy i rozszerzony test DDR SDRAM Urządzenia DDR SDRAM firmy Insignis gwarantują pracę w ...
E-mail: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966DODAJ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hongkong.