| SIE808DF-T1-E3 | |
|---|---|
| Part Number | SIE808DF-T1-E3 |
| Producent | Vishay Siliconix |
| Opis | MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK |
| dostępna ilość | 2955 pcs new original in stock. Zamów akcje i oferty |
| Model ECAD | |
| Arkusze danych | SIE808DF-T1-E3.pdf |
| SIE808DF-T1-E3 Price |
Poproś o cenę i czas dostawy online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Informacje techniczne o SIE808DF-T1-E3 | |||
|---|---|---|---|
| Numer części producenta | SIE808DF-T1-E3 | Kategoria | |
| Producent | Vishay / Siliconix | Opis | MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK |
| Pakiet / obudowa | 10-PolarPAK® (L) | dostępna ilość | 2955 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | Vgs (maks.) | ±20V |
| Technologia | MOSFET (Metal Oxide) | Dostawca urządzeń Pakiet | 10-PolarPAK® (L) |
| Seria | TrenchFET® | RDS (Max) @ ID, Vgs | 1.6mOhm @ 25A, 10V |
| Strata mocy (max) | 5.2W (Ta), 125W (Tc) | Package / Case | 10-PolarPAK® (L) |
| Pakiet | Tape & Reel (TR) | temperatura robocza | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania | Surface Mount | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | 8800 pF @ 10 V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs | 155 nC @ 10 V | Rodzaj FET | N-Channel |
| Cecha FET | - | Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Spust do źródła napięcia (Vdss) | 20 V | Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
| Podstawowy numer produktu | SIE808 | ||
| Pobieranie | SIE808DF-T1-E3 PDF - EN.pdf | ||
Model Produktu
SIE808DF-T1-E3
Wprowadzenie
Wysokowydajny MOSFET N-channel
Marka i Producent
Vishay / Siliconix
Funkcje
Technologia TrenchFET, Wysoki ciągły prąd drenowy 60A, Niski opór w stanie włączenia 1.6 mOhm, Szybka prędkość przełączania
Wydajność Produktu
Wysoka wydajność z redukcją strat mocy, Możliwości zarządzania ciepłem
Specyfikacja Techniczna
Technologia MOSFET (Metal Oxide)
Rozmiar, Kształt i Opakowanie
Obudowa 10-PolarPAK (L), Montaż powierzchniowy, Opakowanie typu taśma i szpulka (TR)
Jakość i Niezawodność
Pracuje w temperaturach od -55°C do 150°C
Zalety Produktu
Osarge energii dla aplikacji o dużej gęstości mocy
Konkurencyjność Produktu
Lider rynku w kategorii MOSFETów mocy
Kompatybilność
Kompatybilność z standardowymi procesami montażu powierzchniowego
Certyfikacja Standardowa i Zgodność
Zgodność ze standardami branżowymi dla MOSFETów
Długość Życia i Trwałość
Zaprojektowany dla długoterminowej niezawodności
Rzeczywiste Pole Zastosowań
Zarządzanie mocą w informatyce, Infrastruktura telekomunikacyjna, Aplikacje przemysłowe
Napisz do nas: Info@Ariat-Tech.com lub RFQ SIE808DF-T1-E3 Online.
| SIE808DF-T1-E3 Zapasy | SIE808DF-T1-E3 Cena | SIE808DF-T1-E3 Electronics | |||
| Komponenty SIE808DF-T1-E3 | SIE808DF-T1-E3 Zapasy | SIE808DF-T1-E3 Digikey | |||
| Dostawca SIE808DF-T1-E3 | Zamów SIE808DF-T1-E3 online | Zapytanie SIE808DF-T1-E3 | |||
| Obraz SIE808DF-T1-E3 | SIE808DF-T1-E3 Zdjęcie | SIE808DF-T1-E3 PDF | |||
| Arkusz danych SIE808DF-T1-E3 | Pobierz arkusz danych SIE808DF-T1-E3 | Producent Vishay / Siliconix | |||
| Powiązane części dla SIE808DF-T1-E3 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Obraz | Part Number | Opis | Producent | Uzyskaj wycenę | |
 |
SIE806DF-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 60A 10POLARPAK | Vishay Siliconix | ||
|
SIE802DF-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SIE810DF-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 60A POLARPAK | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SIE806DF-T1-E3 | MOSFET N-CH 30V 60A 10POLARPAK | Vishay Siliconix | ||
|
SIE812DF-T1-E3 | MOSFET N-CH 40V 60A 10POLARPAK | Vishay Siliconix | ||
 |
SIE806DF MOS | VISHAY PolarPAK | VISHAY | ||
|
SIE802DF-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 60A 10POLARPAK | Vishay Siliconix | ||
 |
SIE804DF-T1-GE3 | MOSFET N-CH 150V 37A 10POLARPAK | Vishay Siliconix | ||
|
SIE806DF-T1-E3 | MOSFET N-CH 30V 60A 10-POLARPAK | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SIE812DF | SIE812DF vishay | vishay | ||
|
SIE806DF-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SIE808DF-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK | Vishay Siliconix | ||
|
SIE812DF-T1-E3 | MOSFET N-CH 40V 60A 10POLARPAK | Vishay Siliconix | ||
|
SIE808DF-T1-E3 | MOSFET N-CH 20V 60A 10-POLARPAK | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SIE810DF-T1-E3 | MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK | Vishay Siliconix | ||
|
SIE802DF-T1-E3 | MOSFET N-CH 30V 60A 10-POLARPAK | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SIE810DF-T1-E3 | MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK | Vishay Siliconix | ||
|
SIE810DF-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK | Vishay Siliconix | ||
|
SIE804DF-T1-GE3 | MOSFET N-CH 150V 37A POLARPAK | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SIE808DF-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 60A POLARPAK | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
Aktualności
Jeszcze
Polarfire® SOC FPGA firmy Microchip otrzymał certyfikat AEC -Q100, potwierdzając jego niezawodność w trudnych warunkach motoryzacyjnych, w tym dz...
PSOCTM 4000T jest pierwszym produktem Infineon, który zawiera technologię Capsense ™ z piątej generacji firmy i funkcjonalność wieloosobową.Ta ...
Dostawca części motoryzacyjnych ujawnił, że rozwój EV na rynku Ameryki Północnej zatrzymał się, gdy producenci samochodów decydują się na ...
Infineon i Eatron rozszerzają współpracę AI System zarządzania akumulatorami (BMS) o elektronikę przemysłową i konsumpcyjną.Na podstawie mikr...
Na półprzewodnik ogłosił niedawno uruchomienie swojego pierwszego czujnika w czasie rzeczywistym, czasem lotu (ITOF), serii Hyperlux ID, która mo...
Nowe Produkty
Jeszcze
Czujnik fotoelektryczny serii PD30 Miniaturowe czujniki fotoelektryczne Carlo Gavazzi charakteryzuj...
Zestaw do oceny XC112 / XR112 dla koherentnego radaru impulsowego A111Zestaw ewaluacyjny XC112 i XR112 firmy Acconeer z płaskimi elastycznymi kablami...
Serwonapęd i silniki Serii MINAS A6 Rodzina MINAS A6 firmy Panasonic zapewnia stabilną pracę, zmn...
Tablica sterująca UV LED Płytka sterownika LED RayVio dla serii XE i XP1 emitera UV-C Płytka st...
Przemysłowy i rozszerzony test DDR SDRAM Urządzenia DDR SDRAM firmy Insignis gwarantują pracę w ...
E-mail: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966DODAJ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hongkong.
Informacja o prawach autorskich © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Wszelkie prawa zastrzeżone.