SUD08P06-155L-GE3 | |
---|---|
Part Number | SUD08P06-155L-GE3 |
Producent | Vishay Siliconix |
Opis | MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252 |
dostępna ilość | 50287 pcs new original in stock. Zamów akcje i oferty |
Model ECAD | |
Arkusze danych | SUD08P06-155L-GE3.pdf |
SUD08P06-155L-GE3 Price |
Poproś o cenę i czas dostawy online or Email us: Info@ariat-tech.com |
Informacje techniczne o SUD08P06-155L-GE3 | |||
---|---|---|---|
Numer części producenta | SUD08P06-155L-GE3 | Kategoria | |
Producent | Vishay / Siliconix | Opis | MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252 |
Pakiet / obudowa | TO-252 | dostępna ilość | 50287 pcs |
VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | Vgs (maks.) | ±20V |
Technologia | MOSFET (Metal Oxide) | Dostawca urządzeń Pakiet | TO-252 |
Seria | TrenchFET® | RDS (Max) @ ID, Vgs | 155mOhm @ 5A, 10V |
Strata mocy (max) | 1.7W (Ta), 20.8W (Tc) | Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pakiet | Tape & Reel (TR) | temperatura robocza | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rodzaj mocowania | Surface Mount | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | 450 pF @ 25 V |
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs | 19 nC @ 10 V | Rodzaj FET | P-Channel |
Cecha FET | - | Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Spust do źródła napięcia (Vdss) | 60 V | Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C | 8.4A (Tc) |
Podstawowy numer produktu | SUD08 | ||
Pobieranie | SUD08P06-155L-GE3 PDF - EN.pdf |
SUD08P06-155L-GE3
P-Channel 60V TrenchFET Power MOSFET
Vishay / Siliconix
P-Channel MOSFET, TrenchFET Technology, Podłączalna na powierzchnię TO-252, Zgodna z RoHS, Niskie oporności w złączu, Wysoka prędkość przełączania
Zakres temperatury pracy -55°C do 150°C, Prąd ciągły w złączu - 8,4 A przy 25°C, Strata mocy 1,7 W przy otoczeniu, 20,8 W przy temperaturze obudowy
Napięcie złącza źródło-dren 60V, Rds On 155 mOhm przy 5A, 10V, Napięcie progowe 3V przy 250µA, Ładunek bramki 19nC przy 10V, Kapacytancja wejściowa 450pF przy 25V
TO-252-3, DPak (2 przewody + tablica), Pakiet SC-63, Oryginalne opakowanie producenta: Taśma & Przewód
Wysoka jakość i niezawodność zgodnie ze standardami branżowymi
Energooszczędny układ, Optymalizowany pod kątem niskiego ładunku bramki
Konkurencyjna przerwa na przebicie złącza źródło-dren, Wzmożona konkurencyjność na rynku P-Channel MOSFET
Zgodne z standardowymi technikami podłączania na powierzchnię
Zgodność z RoHS
Trwały i zrównoważony design zaprojektowany do długoterminowego użytkowania
Zarządzanie energią w systemach obliczeniowych i telekomunikacyjnych, Zastosowania przełączające i wzmacniające
SUD08P06-155L-GE3 Zapasy | SUD08P06-155L-GE3 Cena | SUD08P06-155L-GE3 Electronics | |||
Komponenty SUD08P06-155L-GE3 | SUD08P06-155L-GE3 Zapasy | SUD08P06-155L-GE3 Digikey | |||
Dostawca SUD08P06-155L-GE3 | Zamów SUD08P06-155L-GE3 online | Zapytanie SUD08P06-155L-GE3 | |||
Obraz SUD08P06-155L-GE3 | SUD08P06-155L-GE3 Zdjęcie | SUD08P06-155L-GE3 PDF | |||
Arkusz danych SUD08P06-155L-GE3 | Pobierz arkusz danych SUD08P06-155L-GE3 | Producent Vishay / Siliconix |
Powiązane części dla SUD08P06-155L-GE3 | |||||
---|---|---|---|---|---|
Obraz | Part Number | Opis | Producent | Uzyskaj wycenę | |
![]() |
SUD08P06-1S5L-E3 | SUD08P06-1S5L-E3 Vishay | Vishay | ||
![]() |
SUD06N10-225L-T1-E3 | SUD06N10-225L-T1-E3 VB | VB | ||
![]() |
SUD06N10-225L_08 | SUD06N10-225L_08 VB | VB | ||
![]() |
SUD08P06-155L-T4E3 | MOSFET P-CH 60V 8.4A DPAK | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
![]() |
SUD08P06-155L-E3 | MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252 | Vishay Siliconix | ||
![]() |
SUD08P06-155L-GE3 | MOSFET P-CH 60V 8.4A DPAK | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
![]() |
SUD10P06-280L-E3 | SUD10P06-280L-E3 VISHAY | VISHAY | ||
![]() |
SUD06N10-22L | VISHAY TO-252 | VISHAY | ||
![]() |
SUD08P06-155L-E3 MOS | VISHAY TO-252 | VISHAY | ||
![]() |
SUD09P10-195-GE3 | MOSFET P-CH 100V 8.8A TO252 | Vishay Siliconix | ||
![]() |
SUD08P06-155L-E3 | MOSFET P-CH 60V 8.4A DPAK | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
![]() |
SUD10P06-280L | SUD10P06-280L VISHAY | VISHAY | ||
![]() |
SUD06N10-255L-T1-E3 | SUD06N10-255L-T1-E3 VB | VB | ||
![]() |
SUD09P10-195 | SUD09P10-195 Vishay | Vishay | ||
![]() |
SUD08P06-155L | SUD08P06-155L VISH | VISH | ||
![]() |
SUD10P06-280L-E3 MOS | VBSEMI TO-252 | VBSEMI | ||
![]() |
SUD08P06-155L-BE3 | MOSFET P-CH 60V 8.2A DPAK | Vishay Siliconix | ||
![]() |
SUD09P10-195-GE3 | MOSFET P-CH 100V 8.8A DPAK | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
![]() |
SUD09P10-195-BE3 | MOSFET P-CH 100V 8.8A DPAK | Vishay Siliconix | ||
![]() |
SUD08P06-155L-T4E3 | MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252 | Vishay Siliconix |
Aktualności
JeszczePolarfire® SOC FPGA firmy Microchip otrzymał certyfikat AEC -Q100, potwierdzając jego niezawodność w trudnych warunkach motoryzacyjnych, w tym dz...
PSOCTM 4000T jest pierwszym produktem Infineon, który zawiera technologię Capsense ™ z piątej generacji firmy i funkcjonalność wieloosobową.Ta ...
Dostawca części motoryzacyjnych ujawnił, że rozwój EV na rynku Ameryki Północnej zatrzymał się, gdy producenci samochodów decydują się na ...
Infineon i Eatron rozszerzają współpracę AI System zarządzania akumulatorami (BMS) o elektronikę przemysłową i konsumpcyjną.Na podstawie mikr...
Na półprzewodnik ogłosił niedawno uruchomienie swojego pierwszego czujnika w czasie rzeczywistym, czasem lotu (ITOF), serii Hyperlux ID, która mo...
Nowe Produkty
JeszczeCzujnik fotoelektryczny serii PD30 Miniaturowe czujniki fotoelektryczne Carlo Gavazzi charakteryzuj...
Zestaw do oceny XC112 / XR112 dla koherentnego radaru impulsowego A111Zestaw ewaluacyjny XC112 i XR112 firmy Acconeer z płaskimi elastycznymi kablami...
Serwonapęd i silniki Serii MINAS A6 Rodzina MINAS A6 firmy Panasonic zapewnia stabilną pracę, zmn...
Tablica sterująca UV LED Płytka sterownika LED RayVio dla serii XE i XP1 emitera UV-C Płytka st...
Przemysłowy i rozszerzony test DDR SDRAM Urządzenia DDR SDRAM firmy Insignis gwarantują pracę w ...
E-mail: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966DODAJ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hongkong.