| Si3863BDV-T1-GE3 | |
|---|---|
| Part Number | Si3863BDV-T1-GE3 |
| Producent | VISHAY |
| Opis | Si3863BDV-T1-GE3 VISHAY |
| dostępna ilość | 3000 pcs new original in stock. Zamów akcje i oferty |
| Model ECAD | |
| Arkusze danych | |
| Si3863BDV-T1-GE3 Price |
Poproś o cenę i czas dostawy online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Informacje techniczne o Si3863BDV-T1-GE3 | |||
|---|---|---|---|
| Numer części producenta | Si3863BDV-T1-GE3 | Kategoria | Układy scalone |
| Producent | VPG Sensors | Opis | Si3863BDV-T1-GE3 VISHAY |
| Pakiet / obudowa | dostępna ilość | 3000 pcs | |
| Pakiet | TSOP-6 | Condtion | New Original Stock |
| Gwarancja | 100% Perfect Functions | Czas oczekiwania | 2-3days after payment. |
| Zapłata | PayPal / Telegraphic Transfer / Western Union | Wysyłka przez | DHL / Fedex / UPS |
| Port | HongKong | Email RFQ | |
| Pobieranie | Si3863BDV-T1-GE3 PDF - EN.pdf | ||
Model Produktu
Si3863BDV-T1-GE3
Wprowadzenie
Specjalizowany układ scalony firmy Vishay, zaprojektowany do zastosowań w zarządzaniu energią.
Marka i Producent
Vishay
Funkcje
Niski opór w stanie włączonym, szybkie przełączanie, niskie napięcie progowe bramki, wolny od halogenów zgodnie z definicją IEC 61249-2-21, technologia TrenchFET Power MOSFET.
Wydajność Produktu
Doskonała wydajność termiczna, wysoka efektywność dzięki niskim stratom przewodzenia, solidny tlenek bramki dla wysokiej niezawodności.
Specyfikacja Techniczna
MOSFET typu P-Channel. Vds (napięcie dren-źródło) = -12V, Id (ciągły prąd drenowy) = -8A, Rds On (maks.) przy Id, Vgs = 17 mΩ przy -4.5V, -8A, Vgs(th) (napięcie progowe bramki) = -1V.
Rozmiar, Kształt i Opakowanie
Małe wymiary opakowania, bez ołowiu (Pb), dostępne w taśmach i szpulach, opakowanie TSOP-6.
Jakość i Niezawodność
Wysoka niezawodność i długi czas pracy, spełnia standardy jakości Vishay.
Zalety Produktu
Oszczędność energii dzięki niskim stratom mocy, miniaturyzacja produktów końcowych dzięki małemu opakowaniu.
Konkurencyjność Produktu
Konkurencyjne ceny, wysoka wydajność w rozwiązaniach zarządzania energią.
Kompatybilność
Kompatybilność z wieloma poziomami sygnałów, odpowiedni dla źródeł zasilania bramek logicznych.
Certyfikacja Standardowa i Zgodność
Zgodny z RoHS, wolny od halogenów, zgodność z REACH, spełnia zielone standardy Vishay.
Długość Życia i Trwałość
Zapewniona długoterminowa niezawodność, przyjazny dla środowiska dzięki niskiemu zużyciu energii.
Rzeczywiste Pole Zastosowań
Zarządzanie energią, urządzenia zasilane bateriami, przełączanie obciążenia/mocy, elektronika przenośna.
Napisz do nas: Info@Ariat-Tech.com lub RFQ Si3863BDV-T1-GE3 Online.
| Si3863BDV-T1-GE3 Zapasy | Si3863BDV-T1-GE3 Cena | Si3863BDV-T1-GE3 Electronics | |||
| Komponenty Si3863BDV-T1-GE3 | Si3863BDV-T1-GE3 Zapasy | Si3863BDV-T1-GE3 Digikey | |||
| Dostawca Si3863BDV-T1-GE3 | Zamów Si3863BDV-T1-GE3 online | Zapytanie Si3863BDV-T1-GE3 | |||
| Obraz Si3863BDV-T1-GE3 | Si3863BDV-T1-GE3 Zdjęcie | Si3863BDV-T1-GE3 PDF | |||
| Arkusz danych Si3863BDV-T1-GE3 | Pobierz arkusz danych Si3863BDV-T1-GE3 | Producent VPG Sensors | |||
| Powiązane części dla Si3863BDV-T1-GE3 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Obraz | Part Number | Opis | Producent | Uzyskaj wycenę | |
 |
SI3863DV-T1 | VISHAY | |||
 |
SI3861BDV-T1-E3 | IC LOAD SWITCH LVL SHIFT 6-TSOP | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
 |
SI3861BDV-T1-GE3 | IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 6TSOP | Vishay Siliconix | ||
|
SI3853DV-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 1.6A 6-TSOP | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SI3865BDV-T1-GE3 | IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 6TSOP | Vishay Siliconix | ||
|
SI3861DV-T1-E3 | SI3861DV-T1-E3 VISHAY | VISHAY | ||
|
SI3863DV-T1-E3 | SI3863DV-T1-E3 VISHAY | VISHAY | ||
|
SI3865CDV-T1-E3 | IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 6TSOP | Vishay Siliconix | ||
|
SI3865CDV-T1-E3 | IC LOAD SWITCH LVL SHIFT 6-TSOP | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
 |
SI3861DV-NL | SI3861DV-NL FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
|
Si3863DV-T1-GE3 | Si3863DV-T1-GE3 VISHAY | VISHAY | ||
|
SI3865BDV-T1-GE3 | IC LOAD SWITCH LVL SHIFT 6-TSOP | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SI3853DV-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 1.6A 6TSOP | Vishay Siliconix | ||
|
SI3861DV | SI3861DV VISHAY | VISHAY | ||
|
SI3861DV-T1 | VISHAY SOT-163 | VISHAY | ||
|
SI3861BDV-T1-E3 | IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 6TSOP | Vishay Siliconix | ||
|
SI3865BDV-T1-E3 | IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 6TSOP | Vishay Siliconix | ||
|
SI3865BDV-T1-E3 | IC LOAD SWITCH LVL SHIFT 6-TSOP | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SI3861BDV-T1-GE3 | IC LOAD SWITCH LVL SHIFT 6-TSOP | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SI3865CDV-T1-GE3 | IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 6TSOP | Vishay Siliconix | ||
Aktualności
Jeszcze
Polarfire® SOC FPGA firmy Microchip otrzymał certyfikat AEC -Q100, potwierdzając jego niezawodność w trudnych warunkach motoryzacyjnych, w tym dz...
PSOCTM 4000T jest pierwszym produktem Infineon, który zawiera technologię Capsense ™ z piątej generacji firmy i funkcjonalność wieloosobową.Ta ...
Dostawca części motoryzacyjnych ujawnił, że rozwój EV na rynku Ameryki Północnej zatrzymał się, gdy producenci samochodów decydują się na ...
Infineon i Eatron rozszerzają współpracę AI System zarządzania akumulatorami (BMS) o elektronikę przemysłową i konsumpcyjną.Na podstawie mikr...
Na półprzewodnik ogłosił niedawno uruchomienie swojego pierwszego czujnika w czasie rzeczywistym, czasem lotu (ITOF), serii Hyperlux ID, która mo...
Nowe Produkty
Jeszcze
Czujnik fotoelektryczny serii PD30 Miniaturowe czujniki fotoelektryczne Carlo Gavazzi charakteryzuj...
Zestaw do oceny XC112 / XR112 dla koherentnego radaru impulsowego A111Zestaw ewaluacyjny XC112 i XR112 firmy Acconeer z płaskimi elastycznymi kablami...
Serwonapęd i silniki Serii MINAS A6 Rodzina MINAS A6 firmy Panasonic zapewnia stabilną pracę, zmn...
Tablica sterująca UV LED Płytka sterownika LED RayVio dla serii XE i XP1 emitera UV-C Płytka st...
Przemysłowy i rozszerzony test DDR SDRAM Urządzenia DDR SDRAM firmy Insignis gwarantują pracę w ...
E-mail: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966DODAJ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hongkong.
Informacja o prawach autorskich © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Wszelkie prawa zastrzeżone.