| SI3867DV-T1-GE3 | |
|---|---|
| Part Number | SI3867DV-T1-GE3 |
| Producent | Vishay Siliconix |
| Opis | MOSFET P-CH 20V 3.9A 6TSOP |
| dostępna ilość | 18964 pcs new original in stock. Zamów akcje i oferty |
| Model ECAD | |
| Arkusze danych | SI3867DV-T1-GE3.pdf |
| SI3867DV-T1-GE3 Price |
Poproś o cenę i czas dostawy online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Informacje techniczne o SI3867DV-T1-GE3 | |||
|---|---|---|---|
| Numer części producenta | SI3867DV-T1-GE3 | Kategoria | |
| Producent | Vishay / Siliconix | Opis | MOSFET P-CH 20V 3.9A 6TSOP |
| Pakiet / obudowa | 6-TSOP | dostępna ilość | 18964 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA | Vgs (maks.) | ±12V |
| Technologia | MOSFET (Metal Oxide) | Dostawca urządzeń Pakiet | 6-TSOP |
| Seria | TrenchFET® | RDS (Max) @ ID, Vgs | 51mOhm @ 5.1A, 4.5V |
| Strata mocy (max) | 1.1W (Ta) | Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Pakiet | Tape & Reel (TR) | temperatura robocza | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania | Surface Mount | Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs | 11 nC @ 4.5 V |
| Rodzaj FET | P-Channel | Cecha FET | - |
| Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V | Spust do źródła napięcia (Vdss) | 20 V |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C | 3.9A (Ta) | Podstawowy numer produktu | SI3867 |
| Pobieranie | SI3867DV-T1-GE3 PDF - EN.pdf | ||
Napisz do nas: Info@Ariat-Tech.com lub RFQ SI3867DV-T1-GE3 Online.
| SI3867DV-T1-GE3 Zapasy | SI3867DV-T1-GE3 Cena | SI3867DV-T1-GE3 Electronics |
| Komponenty SI3867DV-T1-GE3 | SI3867DV-T1-GE3 Zapasy | SI3867DV-T1-GE3 Digikey |
| Dostawca SI3867DV-T1-GE3 | Zamów SI3867DV-T1-GE3 online | Zapytanie SI3867DV-T1-GE3 |
| Obraz SI3867DV-T1-GE3 | SI3867DV-T1-GE3 Zdjęcie | SI3867DV-T1-GE3 PDF |
| Arkusz danych SI3867DV-T1-GE3 | Pobierz arkusz danych SI3867DV-T1-GE3 | Producent Vishay / Siliconix |
