| SI3905DV-T1-GE3 | |
|---|---|
| Part Number | SI3905DV-T1-GE3 |
| Producent | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Opis | MOSFET 2P-CH 8V 6-TSOP |
| dostępna ilość | 10343 pcs new original in stock. Zamów akcje i oferty |
| Model ECAD | |
| Arkusze danych | |
| SI3905DV-T1-GE3 Price |
Poproś o cenę i czas dostawy online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Informacje techniczne o SI3905DV-T1-GE3 | |||
|---|---|---|---|
| Numer części producenta | SI3905DV-T1-GE3 | Kategoria | Dyskretne produkty półprzewodnikowe |
| Producent | Electro-Films (EFI) / Vishay | Opis | MOSFET 2P-CH 8V 6-TSOP |
| Pakiet / obudowa | Tape & Reel (TR) | dostępna ilość | 10343 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA (Min) | Dostawca urządzeń Pakiet | 6-TSOP |
| Seria | TrenchFET® | RDS (Max) @ ID, Vgs | 125 mOhm @ 2.5A, 4.5V |
| Moc - Max | 1.15W | Opakowania | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | temperatura robocza | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania | Surface Mount | Poziom czułości na wilgoć (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | - |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs | 6nC @ 4.5V | Rodzaj FET | 2 P-Channel (Dual) |
| Cecha FET | Logic Level Gate | Spust do źródła napięcia (Vdss) | 8V |
| szczegółowy opis | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 8V 1.15W Surface Mount 6-TSOP | Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C | - |
| Pobieranie | SI3905DV-T1-GE3 PDF - EN.pdf | ||
Napisz do nas: Info@Ariat-Tech.com lub RFQ SI3905DV-T1-GE3 Online.
| SI3905DV-T1-GE3 Zapasy | SI3905DV-T1-GE3 Cena | SI3905DV-T1-GE3 Electronics |
| Komponenty SI3905DV-T1-GE3 | SI3905DV-T1-GE3 Zapasy | SI3905DV-T1-GE3 Digikey |
| Dostawca SI3905DV-T1-GE3 | Zamów SI3905DV-T1-GE3 online | Zapytanie SI3905DV-T1-GE3 |
| Obraz SI3905DV-T1-GE3 | SI3905DV-T1-GE3 Zdjęcie | SI3905DV-T1-GE3 PDF |
| Arkusz danych SI3905DV-T1-GE3 | Pobierz arkusz danych SI3905DV-T1-GE3 | Producent Electro-Films (EFI) / Vishay |
