| SI3900DV-T1-GE3 | |
|---|---|
| Part Number | SI3900DV-T1-GE3 |
| Producent | Vishay Siliconix |
| Opis | MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP |
| dostępna ilość | 21985 pcs new original in stock. Zamów akcje i oferty |
| Model ECAD | |
| Arkusze danych | SI3900DV-T1-GE3.pdf |
| SI3900DV-T1-GE3 Price |
Poproś o cenę i czas dostawy online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Informacje techniczne o SI3900DV-T1-GE3 | |||
|---|---|---|---|
| Numer części producenta | SI3900DV-T1-GE3 | Kategoria | |
| Producent | Vishay / Siliconix | Opis | MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP |
| Pakiet / obudowa | 6-TSOP | dostępna ilość | 21985 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA | Technologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dostawca urządzeń Pakiet | 6-TSOP | Seria | TrenchFET® |
| RDS (Max) @ ID, Vgs | 125mOhm @ 2.4A, 4.5V | Moc - Max | 830mW |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Pakiet | Tape & Reel (TR) |
| temperatura robocza | -55°C ~ 150°C (TJ) | Rodzaj mocowania | Surface Mount |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | - | Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs | 4nC @ 4.5V |
| Cecha FET | Logic Level Gate | Spust do źródła napięcia (Vdss) | 20V |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C | 2A | Konfiguracja | 2 N-Channel (Dual) |
| Podstawowy numer produktu | SI3900 | ||
| Pobieranie | SI3900DV-T1-GE3 PDF - EN.pdf | ||
Napisz do nas: Info@Ariat-Tech.com lub RFQ SI3900DV-T1-GE3 Online.
| SI3900DV-T1-GE3 Zapasy | SI3900DV-T1-GE3 Cena | SI3900DV-T1-GE3 Electronics |
| Komponenty SI3900DV-T1-GE3 | SI3900DV-T1-GE3 Zapasy | SI3900DV-T1-GE3 Digikey |
| Dostawca SI3900DV-T1-GE3 | Zamów SI3900DV-T1-GE3 online | Zapytanie SI3900DV-T1-GE3 |
| Obraz SI3900DV-T1-GE3 | SI3900DV-T1-GE3 Zdjęcie | SI3900DV-T1-GE3 PDF |
| Arkusz danych SI3900DV-T1-GE3 | Pobierz arkusz danych SI3900DV-T1-GE3 | Producent Vishay / Siliconix |
