FQA11N90F | |
---|---|
Part Number | FQA11N90F |
Producent | ON |
Opis | ON TO-3PF |
dostępna ilość | 703 pcs new original in stock. Zamów akcje i oferty |
Model ECAD | |
Arkusze danych | FQA11N90F.pdf |
FQA11N90F Price |
Poproś o cenę i czas dostawy online or Email us: Info@ariat-tech.com |
Informacje techniczne o FQA11N90F | |||
---|---|---|---|
Numer części producenta | FQA11N90F | Kategoria | Układy scalone |
Producent | ON | Opis | ON TO-3PF |
Pakiet / obudowa | TO-3PF | dostępna ilość | 703 pcs |
Condtion | New Original Stock | Gwarancja | 100% Perfect Functions |
Czas oczekiwania | 2-3days after payment. | Zapłata | PayPal / Telegraphic Transfer / Western Union |
Wysyłka przez | DHL / Fedex / UPS | Port | HongKong |
Email RFQ |
FQA11N90F
FQA11N90F to specjalizowany układ scalony zaprojektowany do aplikacji wysokoprądowych, opracowany przez firmę AMI Semiconductor, która obecnie jest częścią ON Semiconductor.
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Wysokie napięcie dren-źródło (Vdss) wynoszące 900V. Ciągły prąd drenowy (Id) na poziomie 11A. Niski ładunek bramkowy (Qg). Szybka prędkość przełączania. Wysoka impedancja wejściowa. Niski opór w stanie włączonym (Rds(on)).
Efektywna konwersja energii. Zredukowane straty mocy i generowanie ciepła. Zwiększona stabilność termiczna. Wytrzymałość na transjenty przełączania. Oferuje wysoką niezawodność w trudnych warunkach.
Vdss: 900V. Id: 11A. Qg: Wartość typowa podana w karcie katalogowej. Rds(on): Podany w karcie katalogowej. Opakowanie: TO-3P.
Opakowanie TO-3P - solidne i odpowiednie do aplikacji wysokoprądowych. Wymiary opakowania podane w karcie katalogowej.
Bardzo niezawodny w ekstremalnych warunkach pracy. Zbudowany zgodnie z rygorystycznymi standardami jakości ON Semiconductor. Stabilność wydajności w długim okresie.
Wysokie możliwości obsługi napięcia i prądu. Efektywna operacja energetyczna. Odpowiedni do aplikacji wysokoprądowych i wysokoczęstotliwościowych.
Lepsza wydajność w swojej klasie. Idealny do wymagających aplikacji wymagających dużej mocy. Przewaga konkurencyjna w zakresie efektywności i niezawodności.
Zaprojektowany w taki sposób, aby był kompatybilny z szeroką gamą układów i aplikacji. Łatwo integruje się z istniejącymi projektami bez znaczącej modyfikacji.
Spełnia standardy branżowe oraz certyfikacje zgodności określone przez ON Semiconductor.
Zaprojektowany dla długiej żywotności przy odpowiednich warunkach użytkowania. Przyczynia się do oszczędności energii i redukcji śladu węglowego dzięki efektywności.
Jednostki zasilające. Inwertery. Napędy silników. Regulatory przełączające. Aplikacje z przełączaniem o wysokiej mocy.
FQA11N90F Zapasy | FQA11N90F Cena | FQA11N90F Electronics | |||
Komponenty FQA11N90F | FQA11N90F Zapasy | FQA11N90F Digikey | |||
Dostawca FQA11N90F | Zamów FQA11N90F online | Zapytanie FQA11N90F | |||
Obraz FQA11N90F | FQA11N90F Zdjęcie | FQA11N90F PDF | |||
Arkusz danych FQA11N90F | Pobierz arkusz danych FQA11N90F | Producent |
Powiązane części dla FQA11N90F | |||||
---|---|---|---|---|---|
Obraz | Part Number | Opis | Producent | Uzyskaj wycenę | |
![]() |
FQA12N60 | MOSFET N-CH 600V 12A TO3P | onsemi | ||
![]() |
FQA11N90C_F109 | FQA11N90C_F109 N/A | N/A | ||
![]() |
FQA11N90_F109 | FQA11N90_F109 N/A | N/A | ||
![]() |
FQA12P20 | MOSFET P-CH 200V 12.6A TO3P | onsemi | ||
![]() |
FQA12N20 | ||||
![]() |
FQA10N80_F109 | MOSFET N-CH 800V 9.8A TO3P | onsemi | ||
![]() |
FQA11N90-F109 | MOSFET N-CH 900V 11.4A TO3PN | onsemi | ||
![]() |
FQA11N90 | MOSFET N-CH 900V 11.4A TO3P | Fairchild Semiconductor | ||
![]() |
FQA12N60C | FQA12N60C Original | Original | ||
![]() |
FQA11N90 | MOSFET N-CH 900V 11.4A TO3P | onsemi | ||
![]() |
FQA13N50 | MOSFET N-CH 500V 13.4A TO3P | onsemi | ||
![]() |
FQA11N90C-F109 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 | onsemi | ||
![]() |
FQA11N90C | MOSFET N-CH 900V 11A TO3P | onsemi | ||
![]() |
FQA11N40 | FQA11N40 FSC | FSC | ||
![]() |
FQA12N60 | MOSFET N-CH 600V 12A TO3P | Fairchild Semiconductor | ||
![]() |
FQA13N50C | MOSFET N-CH 500V 13.5A TO3P | onsemi | ||
![]() |
FQA11N90C | MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P | Fairchild/ON Semiconductor | ||
![]() |
FQA11N90C/FQA11N90 | FAIRCHILD TO-3P | FAIRCHILD | ||
![]() |
FQA13N50C-F109 | MOSFET N-CH 500V 13.5A TO3P | Fairchild Semiconductor | ||
![]() |
FQA13N50C | MOSFET N-CH 500V 13.5A TO3P | Fairchild Semiconductor |
Aktualności
JeszczePolarfire® SOC FPGA firmy Microchip otrzymał certyfikat AEC -Q100, potwierdzając jego niezawodność w trudnych warunkach motoryzacyjnych, w tym dz...
PSOCTM 4000T jest pierwszym produktem Infineon, który zawiera technologię Capsense ™ z piątej generacji firmy i funkcjonalność wieloosobową.Ta ...
Dostawca części motoryzacyjnych ujawnił, że rozwój EV na rynku Ameryki Północnej zatrzymał się, gdy producenci samochodów decydują się na ...
Infineon i Eatron rozszerzają współpracę AI System zarządzania akumulatorami (BMS) o elektronikę przemysłową i konsumpcyjną.Na podstawie mikr...
Na półprzewodnik ogłosił niedawno uruchomienie swojego pierwszego czujnika w czasie rzeczywistym, czasem lotu (ITOF), serii Hyperlux ID, która mo...
Nowe Produkty
JeszczeCzujnik fotoelektryczny serii PD30 Miniaturowe czujniki fotoelektryczne Carlo Gavazzi charakteryzuj...
Zestaw do oceny XC112 / XR112 dla koherentnego radaru impulsowego A111Zestaw ewaluacyjny XC112 i XR112 firmy Acconeer z płaskimi elastycznymi kablami...
Serwonapęd i silniki Serii MINAS A6 Rodzina MINAS A6 firmy Panasonic zapewnia stabilną pracę, zmn...
Tablica sterująca UV LED Płytka sterownika LED RayVio dla serii XE i XP1 emitera UV-C Płytka st...
Przemysłowy i rozszerzony test DDR SDRAM Urządzenia DDR SDRAM firmy Insignis gwarantują pracę w ...
E-mail: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966DODAJ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hongkong.