FQA140N10 | |
---|---|
Part Number | FQA140N10 |
Producent | onsemi |
Opis | MOSFET N-CH 100V 140A TO3PN |
dostępna ilość | 4500 pcs new original in stock. Zamów akcje i oferty |
Model ECAD | |
Arkusze danych | 1.FQA140N10.pdf2.FQA140N10.pdf3.FQA140N10.pdf4.FQA140N10.pdf5.FQA140N10.pdf6.FQA140N10.pdf7.FQA140N10.pdf8.FQA140N10.pdf |
FQA140N10 Price |
Poproś o cenę i czas dostawy online or Email us: Info@ariat-tech.com |
Informacje techniczne o FQA140N10 | |||
---|---|---|---|
Numer części producenta | FQA140N10 | Kategoria | |
Producent | onsemi | Opis | MOSFET N-CH 100V 140A TO3PN |
Pakiet / obudowa | TO-3PN | dostępna ilość | 4500 pcs |
VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | Vgs (maks.) | ±25V |
Technologia | MOSFET (Metal Oxide) | Dostawca urządzeń Pakiet | TO-3PN |
Seria | QFET® | RDS (Max) @ ID, Vgs | 10mOhm @ 70A, 10V |
Strata mocy (max) | 375W (Tc) | Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
Pakiet | Tube | temperatura robocza | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rodzaj mocowania | Through Hole | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | 7900 pF @ 25 V |
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs | 285 nC @ 10 V | Rodzaj FET | N-Channel |
Cecha FET | - | Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Spust do źródła napięcia (Vdss) | 100 V | Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C | 140A (Tc) |
Podstawowy numer produktu | FQA140 | ||
Pobieranie | FQA140N10 PDF - EN.pdf |
FQA140N10
Wysokowydajny MOSFET typu N-Channel
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
MOSFET N-Channel 100V 140A (Tc) 375W wydajności cieplnej Bez ołowiu / Zgodny z RoHS Poziom wrażliwości na wilgoć 1 Niskie Rds (On) 10 mOhm
140A ciągły prąd drenu (Tc) 100V napięcie drenu do źródła (Vdss) 285nC ładunek bramkowy (Qg) maksymalnie 7900pF pojemność wejściowa (Ciss) maksymalnie
Obudowa z otworami przelotowymi TO-3PN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 70A, 10V Pojemność wejściowa (Ciss) (Max) @ Vds: 7900pF @ 25V Napięcie sterujące (max Rds On, min Rds On): 10V Wydajność cieplna (max): 375W (Tc)
Obudowa TO-3P-3, SC-65-3 Opakowanie w tubach
Bez ołowiu i zgodny z RoHS MSL 1 (nieograniczony)
Wysoka zdolność do przekazywania prądu Wydajna wydajność cieplna Niski opór włączony
Wysoka wydajność po konkurencyjnej cenie Odpowiedni do aplikacji wysokoprądowych
Kompatybilny ze standardowymi napięciami sterującymi MOSFET Otwory przelotowe do łatwej integracji
Bez ołowiu / Zgodny z RoHS
Zapewnia długoterminową niezawodność Poziom wrażliwości na wilgoć 1 dla zwiększonej trwałości
Jednostki zasilające Konwertery DC-DC Napędy silników Aplikacje przełączające
FQA140N10 Zapasy | FQA140N10 Cena | FQA140N10 Electronics | |||
Komponenty FQA140N10 | FQA140N10 Zapasy | FQA140N10 Digikey | |||
Dostawca FQA140N10 | Zamów FQA140N10 online | Zapytanie FQA140N10 | |||
Obraz FQA140N10 | FQA140N10 Zdjęcie | FQA140N10 PDF | |||
Arkusz danych FQA140N10 | Pobierz arkusz danych FQA140N10 | Producent |
Powiązane części dla FQA140N10 | |||||
---|---|---|---|---|---|
Obraz | Part Number | Opis | Producent | Uzyskaj wycenę | |
![]() |
FQA13N50C-F109 | MOSFET N-CH 500V 13.5A TO3P | Fairchild Semiconductor | ||
![]() |
FQA13N50CF_F109 | MOSFET N-CH 500V 15A TO3PN | onsemi | ||
![]() |
FQA13N80-F109 | MOSFET N-CH 800V 12.6A TO3PN | onsemi | ||
![]() |
FQA13N50CF | MOSFET N-CH 500V 15A TO3PN | onsemi | ||
![]() |
FQA13N50CF | MOSFET N-CH 500V 15A TO3PN | Fairchild Semiconductor | ||
![]() |
FQA14N10 | FSC | |||
![]() |
FQA14N30 | MOSFET N-CH 300V 15A TO3P | Fairchild Semiconductor | ||
![]() |
FQA15N70 | N-CHANNEL POWER MOSFET | Fairchild Semiconductor | ||
![]() |
FQA140N10 RHRG30120 | FAIRCHILD | |||
![]() |
FQA13N50C-F109 | MOSFET N-CH 500V 13.5A TO3P | onsemi | ||
![]() |
FQA13N80_F109 | FQA13N80_F109 N/A | N/A | ||
![]() |
FQA16N25C | MOSFET N-CH 250V 17.8A TO3P | onsemi | ||
![]() |
FQA13N50C_F109 | FQA13N50C_F109 N/A | N/A | ||
![]() |
FQA13N80 | MOSFET N-CH 800V 12.6A TO3PN | onsemi | ||
![]() |
FQA140N10 MOS | FAIRCHILD TO-3P | FAIRCHILD | ||
![]() |
FQA14N30 | MOSFET N-CH 300V 15A TO3P | onsemi | ||
![]() |
FQA13N80 | MOSFET N-CH 800V 12.6A TO3PN | Fairchild Semiconductor | ||
![]() |
FQA16N25C | MOSFET N-CH 250V 17.8A TO3P | Fairchild Semiconductor | ||
![]() |
FQA160N08 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 | Fairchild Semiconductor | ||
![]() |
FQA160N08 | MOSFET N-CH 80V 160A TO3PN | onsemi |
Aktualności
JeszczePolarfire® SOC FPGA firmy Microchip otrzymał certyfikat AEC -Q100, potwierdzając jego niezawodność w trudnych warunkach motoryzacyjnych, w tym dz...
PSOCTM 4000T jest pierwszym produktem Infineon, który zawiera technologię Capsense ™ z piątej generacji firmy i funkcjonalność wieloosobową.Ta ...
Dostawca części motoryzacyjnych ujawnił, że rozwój EV na rynku Ameryki Północnej zatrzymał się, gdy producenci samochodów decydują się na ...
Infineon i Eatron rozszerzają współpracę AI System zarządzania akumulatorami (BMS) o elektronikę przemysłową i konsumpcyjną.Na podstawie mikr...
Na półprzewodnik ogłosił niedawno uruchomienie swojego pierwszego czujnika w czasie rzeczywistym, czasem lotu (ITOF), serii Hyperlux ID, która mo...
Nowe Produkty
JeszczeCzujnik fotoelektryczny serii PD30 Miniaturowe czujniki fotoelektryczne Carlo Gavazzi charakteryzuj...
Zestaw do oceny XC112 / XR112 dla koherentnego radaru impulsowego A111Zestaw ewaluacyjny XC112 i XR112 firmy Acconeer z płaskimi elastycznymi kablami...
Serwonapęd i silniki Serii MINAS A6 Rodzina MINAS A6 firmy Panasonic zapewnia stabilną pracę, zmn...
Tablica sterująca UV LED Płytka sterownika LED RayVio dla serii XE i XP1 emitera UV-C Płytka st...
Przemysłowy i rozszerzony test DDR SDRAM Urządzenia DDR SDRAM firmy Insignis gwarantują pracę w ...
E-mail: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966DODAJ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hongkong.