| FQA13N80-F109 | |
|---|---|
| Part Number | FQA13N80-F109 |
| Producent | onsemi |
| Opis | MOSFET N-CH 800V 12.6A TO3PN |
| dostępna ilość | 2997 pcs new original in stock. Zamów akcje i oferty |
| Model ECAD | |
| Arkusze danych | 1.FQA13N80-F109.pdf2.FQA13N80-F109.pdf3.FQA13N80-F109.pdf4.FQA13N80-F109.pdf5.FQA13N80-F109.pdf6.FQA13N80-F109.pdf7.FQA13N80-F109.pdf8.FQA13N80-F109.pdf9.FQA13N80-F109.pdf |
| FQA13N80-F109 Price |
Poproś o cenę i czas dostawy online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Informacje techniczne o FQA13N80-F109 | |||
|---|---|---|---|
| Numer części producenta | FQA13N80-F109 | Kategoria | |
| Producent | onsemi | Opis | MOSFET N-CH 800V 12.6A TO3PN |
| Pakiet / obudowa | TO-3PN | dostępna ilość | 2997 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | Vgs (maks.) | ±30V |
| Technologia | MOSFET (Metal Oxide) | Dostawca urządzeń Pakiet | TO-3PN |
| Seria | QFET® | RDS (Max) @ ID, Vgs | 750mOhm @ 6.3A, 10V |
| Strata mocy (max) | 300W (Tc) | Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Pakiet | Tube | temperatura robocza | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania | Through Hole | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | 3500 pF @ 25 V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs | 88 nC @ 10 V | Rodzaj FET | N-Channel |
| Cecha FET | - | Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Spust do źródła napięcia (Vdss) | 800 V | Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C | 12.6A (Tc) |
| Podstawowy numer produktu | FQA13 | ||
| Pobieranie | FQA13N80-F109 PDF - EN.pdf | ||
Napisz do nas: Info@Ariat-Tech.com lub RFQ FQA13N80-F109 Online.
| FQA13N80-F109 Zapasy | FQA13N80-F109 Cena | FQA13N80-F109 Electronics | |||
| Komponenty FQA13N80-F109 | FQA13N80-F109 Zapasy | FQA13N80-F109 Digikey | |||
| Dostawca FQA13N80-F109 | Zamów FQA13N80-F109 online | Zapytanie FQA13N80-F109 | |||
| Obraz FQA13N80-F109 | FQA13N80-F109 Zdjęcie | FQA13N80-F109 PDF | |||
| Arkusz danych FQA13N80-F109 | Pobierz arkusz danych FQA13N80-F109 | Producent | |||
| Powiązane części dla FQA13N80-F109 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Obraz | Part Number | Opis | Producent | Uzyskaj wycenę | |
 |
FQA13N50CF | MOSFET N-CH 500V 15A TO3PN | onsemi | ||
 |
FQA15N70 | N-CHANNEL POWER MOSFET | Fairchild Semiconductor | ||
 |
FQA13N50C_F109 | FQA13N50C_F109 N/A | N/A | ||
|
FQA14N10 | FSC | |||
|
FQA160N08 | MOSFET N-CH 80V 160A TO3PN | onsemi | ||
|
FQA13N50C | MOSFET N-CH 500V 13.5A TO3P | onsemi | ||
|
FQA13N50CF | MOSFET N-CH 500V 15A TO3PN | Fairchild Semiconductor | ||
|
FQA13N50C | MOSFET N-CH 500V 13.5A TO3P | Fairchild Semiconductor | ||
|
FQA13N80 | MOSFET N-CH 800V 12.6A TO3PN | onsemi | ||
|
FQA140N10 RHRG30120 | FAIRCHILD | |||
 |
FQA13N50C-F109 | MOSFET N-CH 500V 13.5A TO3P | onsemi | ||
|
FQA13N80_F109 | FQA13N80_F109 N/A | N/A | ||
|
FQA140N10 MOS | FAIRCHILD TO-3P | FAIRCHILD | ||
|
FQA140N10 | MOSFET N-CH 100V 140A TO3PN | onsemi | ||
|
FQA14N30 | MOSFET N-CH 300V 15A TO3P | onsemi | ||
|
FQA13N50CF_F109 | MOSFET N-CH 500V 15A TO3PN | onsemi | ||
|
FQA13N80 | MOSFET N-CH 800V 12.6A TO3PN | Fairchild Semiconductor | ||
|
FQA160N08 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 | Fairchild Semiconductor | ||
|
FQA13N50C-F109 | MOSFET N-CH 500V 13.5A TO3P | Fairchild Semiconductor | ||
|
FQA14N30 | MOSFET N-CH 300V 15A TO3P | Fairchild Semiconductor | ||
Aktualności
Jeszcze
Polarfire® SOC FPGA firmy Microchip otrzymał certyfikat AEC -Q100, potwierdzając jego niezawodność w trudnych warunkach motoryzacyjnych, w tym dz...
PSOCTM 4000T jest pierwszym produktem Infineon, który zawiera technologię Capsense ™ z piątej generacji firmy i funkcjonalność wieloosobową.Ta ...
Dostawca części motoryzacyjnych ujawnił, że rozwój EV na rynku Ameryki Północnej zatrzymał się, gdy producenci samochodów decydują się na ...
Infineon i Eatron rozszerzają współpracę AI System zarządzania akumulatorami (BMS) o elektronikę przemysłową i konsumpcyjną.Na podstawie mikr...
Na półprzewodnik ogłosił niedawno uruchomienie swojego pierwszego czujnika w czasie rzeczywistym, czasem lotu (ITOF), serii Hyperlux ID, która mo...
Nowe Produkty
Jeszcze
Czujnik fotoelektryczny serii PD30 Miniaturowe czujniki fotoelektryczne Carlo Gavazzi charakteryzuj...
Zestaw do oceny XC112 / XR112 dla koherentnego radaru impulsowego A111Zestaw ewaluacyjny XC112 i XR112 firmy Acconeer z płaskimi elastycznymi kablami...
Serwonapęd i silniki Serii MINAS A6 Rodzina MINAS A6 firmy Panasonic zapewnia stabilną pracę, zmn...
Tablica sterująca UV LED Płytka sterownika LED RayVio dla serii XE i XP1 emitera UV-C Płytka st...
Przemysłowy i rozszerzony test DDR SDRAM Urządzenia DDR SDRAM firmy Insignis gwarantują pracę w ...
E-mail: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966DODAJ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hongkong.
Informacja o prawach autorskich © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Wszelkie prawa zastrzeżone.